Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2020
Two-Stage Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Low-Temperature Hydrothermal Method
Ryabko A.A.
, Maximov A.I., Verbitskii V.N., Levitskii V.S.,
Moshnikov V.A.
,
Terukov E.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 11, с. 1496-1502
DOI
2020
Two-Stage Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Low-Temperature Hydrothermal Method
Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis 1) Two-Stage
,
the Low-Temperature Hydrothermal Method Ryabko /.A.A
, Maximov A.I., Verbitskii V.N.,
Levitskii V.S.
,
Moshnikov V.A.
,
Terukov // Semiconductors 2020 Vol 54 11 E.I.№.P.1496-1502
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 11, с. 1496-1502
2020
Two-photon exciton absorption in CdSe/CdS nanoplatelets colloidal solution
Laktaev I.D.
,
Przhiyalkovskii D.V.
,
Saidzhonov B.M.
,
Vasiliev R.B.
,
Smirnov A.M.
,
Butov O.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 14, с. 1900-1903
2019
Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy
Липкова Е.А.
,
Ефимова А.И.
,
Гончар К.А.
,
Преснов Д.Е.
,
Елисеев А.А.
,
Лапшин А.Н.
,
Тимошенко В.Ю.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 11, с. 1557-1561
DOI
2019
Differential Absorption Features of CdSe QDs in the Case of Resonant and Nonresonant Excitons Excitation
Smirnov A.M.
,
Golinskaya A.D.
,
Zharkova E.V.
,
Bubenov S.S.
,
Dorofeev S.G.
,
Dneprovskii V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 16, с. 2155-2157
DOI
2019
Effect of Ion-Beam Processing during RF Magnetron Sputtering on the properties of ZnO Films
Krylov P.N.
,
Alalykin A.S.
,
Durman E.A.
,
Zakirova R.M.
,
Fedotova I.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 11, с. 1457-1464
DOI
2019
Effect of Praseodymium and Lanthanum Substitution for Bismuth on the Thermoelectric Properties of BiCuSeO Oxyselenides
Novitskii A.P.
,
Serhiienko I.A.
, Novikov S.V., Kuskov K.V.,
Leybo D.V.
, Pankratova D.S., Burkov A.T.,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 2, с. 215-219
DOI
2019
Effect of the copper contents on the kinetics of the microwave photoconductivity of CIGS solid solutions
Novikov G.F.
,
Rabenok E.V.
,
Orishina P.S.
,
Gapanovich M.V.
,
Odin I.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 3, с. 304-309
DOI
2019
Electrical Transport Properties of Nb and Ga Double Substituted Fe2VAl Heusler Compounds
Voronin A.I.
,
Serhiienko I.A.
, Ashim Ye Zh,
Kurichenko V.L.
,
Novitskii A.P.
,
Inerbaev T.M.
,
Umetsu R.
,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 13, с. 1856-1859
DOI
2019
Electrical and Optical Characteristics of Si-Nanoparticle Films Deposited onto Substrates by High-Voltage Electrospraying from Ethanol Sols
Kononov N.N.
,
Davydova D.V.
,
Bubenov S.S.
,
Dorofeev S.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 4, с. 552-565
DOI
2019
Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
Uaman Svetikova T.A.
,
Ikonnikov A.V.
,
Rumyantsev V.V.
,
Kozlov D.V.
,
Chernichkin V.I.
,
Galeeva A.V.
,
Varavin V.S.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 9, с. 1266-1271
DOI
2019
Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAsStructures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
Krivobok V.S., Litvinov D.A., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Pashkeev D.A.,
Chernopittsky M.A.
,
Grigor’eva L.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 12, с. 1608-1616
DOI
2019
Features of defect formation in nanostructured silicon under ion irradiation
Kozhemiako A.V.
,
Evseev A.P.
,
Balakshin Yu V.
,
Shemukhin A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 6, с. 800-805
DOI
2019
Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes
Ikonnikov A.V.
,
Chernichkin V.I.
,
Dudin V.S.
,
Akopian D.A.
,
Akimov A.N.
,
Klimov A.E.
,
Tereshchenko O.E.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 9, с. 1272-1277
DOI
2019
Features of the Temperature Dependences of the Photoconductivity of Organometallic CH3NH3PbI3 Perovskite Films
Amasev D.V.
,
Tameev A.R.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 12, с. 1597-1602
DOI
2019
Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1–xLaxCuSeO Oxyselenides
Pankratova D.S.,
Novitskii A.P.
, Kuskov K.V., Sergienko I.A.,
Leybo D.V.
, Burkov A.T., Konstantinov P.P.,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 5, с. 624-627
DOI
2019
Influence of V Doping on the Thermoelectric Properties of Fe2Ti1 –xVxSn Heusler Alloys
Taranova A.I.,
Novitskii A.P.
, Voronin A.I.,
Taskaev S.V.
,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 6, с. 768-771
DOI
2019
Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon
Balakshin Yu V.
,
Kozhemiako A.V.
,
Petrovic S.
,
Erich M.
,
Shemukhin A.A.
,
Chernysh V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 8, с. 1011-1017
DOI
2019
Investigation into the distribution of built-in electric fields in led heterostructures with multiple GAN/INGAN quantum wells by electroreflectance spectoscopy
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 4, с. 477-483
2019
Modification of Carbon-Nanotube Wettability by Ion Irradiation
Morkovkin A.I.
,
Vorobyeva E.A.
,
Evseev A.P.
,
Balakshin Yu V.
,
Shemukhin A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 12, с. 1683-1687
DOI
2019
Optically Induced Charge Exchange in ZnO-Based Composite Structures with Embedded CsPbBr3 Nanocrystals
Drozdov K.A.
,
Krylov I.V.
,
Chizhov A.S.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 6, с. 814-818
DOI
2019
Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1 –xSbx)2Te3 Topological Insulators
Galeeva A.V.
,
Gomanko M.A.
,
Tamm M.E.
,
Yashina L.V.
,
Danilov S.N.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 1, с. 37-41
DOI
2019
STRUCTURE AND PROPERTIES OF ZN-IMPLANTED SI NEAR-SURFACE LAYER MODIFICATION DEPENDING ON IRRADIATION FLUENCE OF 132 XE 26+ IONS WITH ENERGY OF 167 MEV
Privezentsev V.V.,
Kulikauskas V.S.
, Skuratov V.A., Zilova O.S., Burmistrov A.A., Presnyakov M.Y., Goryachev A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 3, с. 313-320
DOI
2019
Temperature coefficient of movement of the resonance level of iron in Pb1-x-ySnxFeyTe alloys
Skipetrov E.P.
,
Kovalev B.B.
,
Skipetrova L.A.
,
Knotko A.V.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 11, с. 1419-1426
DOI
2019
Thermoelectric Characteristics of Heavily Doped p-Type Lead Telluride at Different Heavy-Hole Band Depths
Dmitriev A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 4, с. 419-427
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>