Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2007
Metal-insulator transition in chromium-doped Pb1-xGexTe alloys
Skipetrov E.P.
,
Pakpur F.A.
,
Pichugin N.A.
,
Slyn'ko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1035-1040
DOI
2007
Modification of the properties of porous silicon on adsorption of iodine molecules
Vorontsov A.S.
, Osminkina L.A.,
Tkachenko A.E.
,
Konstantinova E.A.
,
Elenskii V.G.
,
Timoshenko V.YU
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 953-957
DOI
2007
Modification of the properties of porous silicon on adsorption of iodine molecules
Vorontsov A.S.
,
Osminkina L.A.
,
Tkachenko A.E.
,
Konstantinova E.A.
, Elenskii V.G.,
Timoshenko V.Yu
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 953-957
DOI
2007
Optical properties of organic semiconductors based on erbium phthalocyanine complexes in the mid- and near-infrared spectral regions
Belogorokhov I.A.
,
Tikhonov E.V.
,
Breusova M.O.
,
Pushkarev V.E.
,
Tomilova L.G.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 10, с. 1204-1208
DOI
2007
Photoconductivity of the Pb0.75Sn0.25Te : In alloy in an alternating electric field
Kozhanov A.E.
,
Nikorich A.V.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
,
Dmitriev A.V.
,
Shklover V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 6, с. 663-665
DOI
2007
Photoconductivity of the Pb0.75Sn0.25Te : In alloy in an alternating electric field
Kozhanov,
Nikorich A V ; Ryabova L I ; Khokhlov A.E.;
,
D Dmitriev R.;.A.V.;.Shklover V
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 6, с. 663-665
2007
Raman scattering in semiconductor structures based on monophthalocyanine and triphthalocyanine molecules incorporating erbium ions
Belogorokhov I.A.
,
Tikhonov E.V.
,
Breusova M.O.
,
Pushkarev V.E.
,
Zoteev A.V.
,
Tomilova L.G.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 11, с. 1361-1363
DOI
2007
Resonant gallium level in Pb1-xSnxTe alloys under pressure
Skipetrov E.P.
,
Golubev A.V.
,
Slyn'ko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 2, с. 145-149
DOI
2007
Simulation of the fluctuations of energy and charge deposited during e-beam exposure
Borisov S.S.
,
Zaitsev S.I.
,
Grachev E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 877-878
DOI
2007
Specific features of dissipation of electronic excitation energy in coupled molecular solid systems based on silicon nanocrystals on intense optical pumping
Palenov D.A.,
Zhigunov D.M.
,
Shalygina O.A.
, Kashkarov P.K.,
Timoshenko V.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 11, с. 1351-1355
DOI
2007
Specific features of electrical properties of the In(x)Ga(1-x)Nalloy
Komissarova T.A.
, Matrosov N.N.,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
, Jmerik V.N.,
Ivanov S.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 5, с. 540-541
DOI
2007
Superconducting tunneling-junction detectors of X-ray radiation. Issues concerning the energy resolution
Andrianov V.A.
,
Gor’kov V.P.
,
Koshelets V.P.
,
Filippenko L.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 2, с. 215-222
2006
Alternating current conductivity of anisotropically nanostructured silicon
Forsh P.A.,
Martyshov M.N.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 4, с. 471-475
DOI
2006
Charge carrier transport in a structure with silicon nanocrystals embedded into oxide matrix
Ryabchikov Yu V., Forsh P.A.,
Lebedev E.A.
,
Timoshenko V.Yu
, Kashkarov P.K., Kamenev B.V.,
Tsybeskov L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 9, с. 1052-1054
DOI
2006
Conduction mechanisms of magnetic semiconductors with a garnet structure in relation to variable-valence impurity concentration
Bulatov M.F.
, Parkhomenko Yu N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 2, с. 169-171
DOI
2006
Conductivity of Pb1-xSnxTe : In solid solutions in an ac electric field
Kozhanov A.E.
,
Nikorich A.V.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 9, с. 1021-1024
DOI
2006
Hopping epsilon(2) conductivity of boron-doped a-Si : H films annealed in hydrogen at high temperature
Zvyagin I.P.
,
Kurova I.A.
,
Nal’gieva M.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 1, с. 108-112
DOI
2006
INFRARED AND SUBMILLIMETER SPECTROSCOPY OF GROOVED SILICON STRUCTURES
Krutkova E.Yu
,
Timoshenko V.Yu
,
Golovan L.A.
,
Kashkarov P.K.
,
Astrova E.V.
, Perova T.S.,
Gorshunov B.P.
, Volkov A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 7, с. 834-838
2006
Impedance spectroscopy of ultrafine-grain SnO2 ceramics with a variable grain size
Vasil'ev R.B.
,
Dorofeev S.G.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
,
Gas'kov A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 1, с. 104-107
DOI
2006
Infrared and submillimeter spectroscopy of grooved silicon structures
Krutkova E.Yu,
Timoshenko V.Yu
,
Golovan' L.A.
, Kashkarov P.K.,
Astrova E.V.
,
Perova T.S.
, Gorshunov B.P., Volkov A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 7, с. 834-838
DOI
2006
Nonlinear Longitudinal Waves of Interacting Fields of Deformation and Defect Concentration in Germanium and Silicon
Mirzade F.Kh
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 3, с. 262-269
2006
Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles
Badylevich M.V.
, Blokhin I.V.,
Golovin Yu I.
,
Dmitrievskiǐ A.A.
, Kartsev S.V.,
Suchkova N.Yu
,
Tolotaev M.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 12, с. 1375-1377
DOI
2006
Persistent IR photoconductivity in InAs/GaAs structures with QD layers
Kul'bachinskii V.A.
, Rogozin V.A.,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Zvonkov B.N.
,
Dashevsky Z.M.
, Casian V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 2, с. 210-216
DOI
2006
Photoluminescence of erbium ions in heterostructures with silicon nanocrystals
Zhigunov D.M.
,
Shalygina O.A.
, Teterukov S.A.,
Timoshenko V.Yu
, Kashkarov P.K.,
Zacharias M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 10, с. 1193-1197
DOI
2006
Stabilization of the fermi level by a resonant gallium level in Pb1-xSnxTe alloys
Skipetrov E.P.
,
Zvereva E.A.
, Dmitriev N.N.,
Golubev A.V.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 40, № 8, с. 893-897
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>