Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAsStructures Used for the Production of Mid-IR Photodetectorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.