ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

---

Semiconductorsжурнал

Статьи, опубликованные в журнале

• • 2021 Photoaccumulating Nanoheterostructures Based on Titanium Dioxide
  • Konstantinova E.A., Zaitsev V.B., Kytina E.V., Marikutsa A.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 55, № 2, с. 219-227 DOI
• • 2021 Quantum-Confinement Effect in Silicon Nanocrystals during Their Dissolution in Model Biological Fluids
  • Gongalsky M.B., Tsurikova U.A., Gonchar K.A., Gvindgiliiia G.Z., Osminkina L.А.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 55, с. 61-65 DOI
• 
  • 2020 Conductance Quantization in Memristive Structures Based on Poly-p-Xylylene
  • Shvetsov B.S., Minnekhanov A.A., Nesmelov A.A., Martyshov M.N., Rylkov V.V., Demin V.A., Emelyanov A.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 9, с. 1103-1107 DOI
• 
  • 2020 Effect of a nickel impurity on the galvanomagnetic properties and electronic structure of PbTe
  • Skipetrov E.P., Kovalev B.B., Shevchenko I.V., Knotko A.V., Slynko V.E.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 10, с. 1171-1179 DOI
• 
  • 2020 Formation of a Two-Phase Structure in CH3NH3PbI3 Organometallic Perovskite
  • Amasev D.V., Mikhalevich V.G., Tameev A.R., Saitov Sh R., Kazanskii A.G.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 6, с. 543-546 DOI
• 
  • 2020 High-Frequency Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition from the Linear to Quadratic Frequency Dependence
  • Ormont M.A., Zvyagin I.P.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 1, с. 33-39 DOI
• 
  • 2020 Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates
  • Seredin P.V., Goloshchapov D.L., Zolotukhin D.S., Lenshin A.S., Khudyakov Yu Yu, Mizerov A.M., Timoshnev S.N., Arsentyev I.N., Beltyukov A.N., Leiste Harald, Kukushkin S.A.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 5, с. 596-608 DOI
• 
  • 2020 Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
  • Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Turkin A.N., Mirzai S.S., Kureshov V.A., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 4, с. 495-500
• 
  • 2020 Modification of the Photoelectric Properties of Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Films under Preliminary Illumination at Elevated Temperatures
  • Ormnt N.N., Kurova I.A.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 4, с. 437-440 DOI
• 
  • 2020 Nonlinear optical response of the colloidal CdSe nanoplatelets under one-photon stationary excitation of excitons
  • Smirnov A.M., Golinskaya A.D., Kozlova M.V., Zharkova E.V., Saidzhonov B.M., Vasiliev R.B., Dneprovskii V.S.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 14, с. 1907-1910
• 
  • 2020 Optical and Transport Properties of Epitaxial Pb0.74Sn0.26Te(In) Films with a Modifiable Surface
  • Ikonnikov A.V., Dudin V.S., Artamkin A.I., Akimov A.N., Klimov A.E., Tereshchenko O.E., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 9, с. 1086-1091 DOI
• 
  • 2020 Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
  • Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Turkin A.N., Kureshov V.A., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 3, с. 362-365
• 
  • 2020 Structure, Composition, and Properties of Zn- and O-Ion Implanted Silicon at Elevated Temperatures
  • Privezentsev V.V., Sergeev A.P., Kulikauskas V.S., Kiselev D.A., Trifonov A.Yu, Tereshchenko A.N.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 12, с. 1650-1656 DOI
• 
  • 2020 Two-photon exciton absorption in CdSe/CdS nanoplatelets colloidal solution
  • Laktaev I.D., Przhiyalkovskii D.V., Saidzhonov B.M., Vasiliev R.B., Smirnov A.M., Butov O.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 14, с. 1900-1903
• 
  • 2019 Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy
  • Липкова Е.А., Ефимова А.И., Гончар К.А., Преснов Д.Е., Елисеев А.А., Лапшин А.Н., Тимошенко В.Ю.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 11, с. 1557-1561 DOI
• 
  • 2019 Differential Absorption Features of CdSe QDs in the Case of Resonant and Nonresonant Excitons Excitation
  • Smirnov A.M., Golinskaya A.D., Zharkova E.V., Bubenov S.S., Dorofeev S.G., Dneprovskii V.S.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 16, с. 2155-2157 DOI
• 
  • 2019 Effect of Ion-Beam Processing during RF Magnetron Sputtering on the properties of ZnO Films
  • Krylov P.N., Alalykin A.S., Durman E.A., Zakirova R.M., Fedotova I.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 11, с. 1457-1464 DOI
• 
  • 2019 Effect of Praseodymium and Lanthanum Substitution for Bismuth on the Thermoelectric Properties of BiCuSeO Oxyselenides
  • Novitskii A.P., Serhiienko I.A., Novikov S.V., Kuskov K.V., Leybo D.V., Pankratova D.S., Burkov A.T., Khovaylo V.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 2, с. 215-219 DOI
• 
  • 2019 Effect of the copper contents on the kinetics of the microwave photoconductivity of CIGS solid solutions
  • Novikov G.F., Rabenok E.V., Orishina P.S., Gapanovich M.V., Odin I.N.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 3, с. 304-309 DOI
• 
  • 2019 Electrical Transport Properties of Nb and Ga Double Substituted Fe2VAl Heusler Compounds
  • Voronin A.I., Serhiienko I.A., Ashim Ye Zh, Kurichenko V.L., Novitskii A.P., Inerbaev T.M., Umetsu R., Khovaylo V.V.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 13, с. 1856-1859 DOI
• 
  • 2019 Electrical and Optical Characteristics of Si-Nanoparticle Films Deposited onto Substrates by High-Voltage Electrospraying from Ethanol Sols
  • Kononov N.N., Davydova D.V., Bubenov S.S., Dorofeev S.G.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 4, с. 552-565 DOI
• 
  • 2019 Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
  • Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Chernichkin V.I., Galeeva A.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V., Gavrilenko V.I.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 9, с. 1266-1271 DOI
• 
  • 2019 Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAsStructures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
  • Krivobok V.S., Litvinov D.A., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Pashkeev D.A., Chernopittsky M.A., Grigor’eva L.N.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 12, с. 1608-1616 DOI
• 
  • 2019 Features of defect formation in nanostructured silicon under ion irradiation
  • Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 6, с. 800-805 DOI
• 
  • 2019 Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes
  • Ikonnikov A.V., Chernichkin V.I., Dudin V.S., Akopian D.A., Akimov A.N., Klimov A.E., Tereshchenko O.E., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
  • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 53, № 9, с. 1272-1277 DOI