Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы: << предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
следующая >>
2021
Photoaccumulating Nanoheterostructures Based on Titanium Dioxide
Konstantinova E.A.
,
Zaitsev V.B.
,
Kytina E.V.
,
Marikutsa A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 2, с. 219-227
DOI
2021
Quantum-Confinement Effect in Silicon Nanocrystals during Their Dissolution in Model Biological Fluids
Gongalsky M.B.
,
Tsurikova U.A.
,
Gonchar K.A.
,
Gvindgiliiia G.Z.
,
Osminkina L.А.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, с. 61-65
DOI
2020
Conductance Quantization in Memristive Structures Based on Poly-p-Xylylene
Shvetsov B.S.
,
Minnekhanov A.A.
,
Nesmelov A.A.
,
Martyshov M.N.
,
Rylkov V.V.
,
Demin V.A.
,
Emelyanov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 9, с. 1103-1107
DOI
2020
Effect of a nickel impurity on the galvanomagnetic properties and electronic structure of PbTe
Skipetrov E.P.
,
Kovalev B.B.
,
Shevchenko I.V.
,
Knotko A.V.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 10, с. 1171-1179
DOI
2020
Formation of a Two-Phase Structure in CH3NH3PbI3 Organometallic Perovskite
Amasev D.V.
,
Mikhalevich V.G.
,
Tameev A.R.
,
Saitov Sh R.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 6, с. 543-546
DOI
2020
High-Frequency Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition from the Linear to Quadratic Frequency Dependence
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 1, с. 33-39
DOI
2020
Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates
Seredin P.V.
,
Goloshchapov D.L.
, Zolotukhin D.S.,
Lenshin A.S.
, Khudyakov Yu Yu,
Mizerov A.M.
,
Timoshnev S.N.
, Arsentyev I.N.,
Beltyukov A.N.
, Leiste Harald,
Kukushkin S.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 5, с. 596-608
DOI
2020
Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
,
Mirzai S.S.
,
Kureshov V.A.
,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 495-500
2020
Modification of the Photoelectric Properties of Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Films under Preliminary Illumination at Elevated Temperatures
Ormnt N.N.
,
Kurova I.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 437-440
DOI
2020
Nonlinear optical response of the colloidal CdSe nanoplatelets under one-photon stationary excitation of excitons
Smirnov A.M.
,
Golinskaya A.D.
,
Kozlova M.V.
,
Zharkova E.V.
,
Saidzhonov B.M.
,
Vasiliev R.B.
,
Dneprovskii V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 14, с. 1907-1910
2020
Optical and Transport Properties of Epitaxial Pb0.74Sn0.26Te(In) Films with a Modifiable Surface
Ikonnikov A.V.
,
Dudin V.S.
,
Artamkin A.I.
,
Akimov A.N.
,
Klimov A.E.
,
Tereshchenko O.E.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 9, с. 1086-1091
DOI
2020
Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
,
Kureshov V.A.
,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 3, с. 362-365
2020
Structure, Composition, and Properties of Zn- and O-Ion Implanted Silicon at Elevated Temperatures
Privezentsev V.V., Sergeev A.P.,
Kulikauskas V.S.
, Kiselev D.A., Trifonov A.Yu, Tereshchenko A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 12, с. 1650-1656
DOI
2020
Two-photon exciton absorption in CdSe/CdS nanoplatelets colloidal solution
Laktaev I.D.
,
Przhiyalkovskii D.V.
,
Saidzhonov B.M.
,
Vasiliev R.B.
,
Smirnov A.M.
,
Butov O.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 14, с. 1900-1903
2019
Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy
Липкова Е.А.
,
Ефимова А.И.
,
Гончар К.А.
,
Преснов Д.Е.
,
Елисеев А.А.
,
Лапшин А.Н.
,
Тимошенко В.Ю.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 11, с. 1557-1561
DOI
2019
Differential Absorption Features of CdSe QDs in the Case of Resonant and Nonresonant Excitons Excitation
Smirnov A.M.
,
Golinskaya A.D.
,
Zharkova E.V.
,
Bubenov S.S.
,
Dorofeev S.G.
,
Dneprovskii V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 16, с. 2155-2157
DOI
2019
Effect of Ion-Beam Processing during RF Magnetron Sputtering on the properties of ZnO Films
Krylov P.N.
,
Alalykin A.S.
,
Durman E.A.
,
Zakirova R.M.
,
Fedotova I.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 11, с. 1457-1464
DOI
2019
Effect of Praseodymium and Lanthanum Substitution for Bismuth on the Thermoelectric Properties of BiCuSeO Oxyselenides
Novitskii A.P.
,
Serhiienko I.A.
, Novikov S.V., Kuskov K.V.,
Leybo D.V.
, Pankratova D.S., Burkov A.T.,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 2, с. 215-219
DOI
2019
Effect of the copper contents on the kinetics of the microwave photoconductivity of CIGS solid solutions
Novikov G.F.
,
Rabenok E.V.
,
Orishina P.S.
,
Gapanovich M.V.
,
Odin I.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 3, с. 304-309
DOI
2019
Electrical Transport Properties of Nb and Ga Double Substituted Fe2VAl Heusler Compounds
Voronin A.I.
,
Serhiienko I.A.
, Ashim Ye Zh,
Kurichenko V.L.
,
Novitskii A.P.
,
Inerbaev T.M.
,
Umetsu R.
,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 13, с. 1856-1859
DOI
2019
Electrical and Optical Characteristics of Si-Nanoparticle Films Deposited onto Substrates by High-Voltage Electrospraying from Ethanol Sols
Kononov N.N.
,
Davydova D.V.
,
Bubenov S.S.
,
Dorofeev S.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 4, с. 552-565
DOI
2019
Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
Uaman Svetikova T.A.
,
Ikonnikov A.V.
,
Rumyantsev V.V.
,
Kozlov D.V.
,
Chernichkin V.I.
,
Galeeva A.V.
,
Varavin V.S.
,
Mikhailov N.N.
,
Dvoretskii S.A.
,
Morozov S.V.
,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 9, с. 1266-1271
DOI
2019
Excitonic Effects and Impurity–Defect Emission in GaAs/AlGaAsStructures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
Krivobok V.S., Litvinov D.A., Nikolaev S.N., Onishchenko E.E., Pashkeev D.A.,
Chernopittsky M.A.
,
Grigor’eva L.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 12, с. 1608-1616
DOI
2019
Features of defect formation in nanostructured silicon under ion irradiation
Kozhemiako A.V.
,
Evseev A.P.
,
Balakshin Yu V.
,
Shemukhin A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 6, с. 800-805
DOI
2019
Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes
Ikonnikov A.V.
,
Chernichkin V.I.
,
Dudin V.S.
,
Akopian D.A.
,
Akimov A.N.
,
Klimov A.E.
,
Tereshchenko O.E.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 9, с. 1272-1277
DOI
Страницы: << предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
следующая >>