Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы: << предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2022
Magnetic properties of Pb1-ySсyTe alloys
Skipetrov E.P.
,
Bogdanov E.V.
,
Skipetrova L.A.
,
Solovev A.A.
,
Knotko A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 56, № 14, с. 2131-2139
DOI
2022
Mott and Efros–Shklovskii Variable-Range Hopping Conduction in Films Formed by Silicon Nanoparticles Doped with Phosphorus and Boron
Dorofeev S.G.
,
Kononov N.N.
,
Bubenov S.S.
,
Popelensky V.M.
,
Vinokurov A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 56, № 2, с. 58-66
DOI
2022
Phase transformations in composite films of the system Se-Cu, obtained using explosive crystallization and thermal annealing
Kogai V.Ya
,
Mogileva T.N.
,
Fateev A.E.
,
Mikheev G.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 56, № 6, с. 380-386
DOI
2022
Study of the Parameters of a Two-Dimensional Electron Gas in InGaN/GaN Quantum Wells by Terahertz Plasmon Resonance
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 11, с. 1059-1067
DOI
2022
Thermoelectric Figure of Merit and Quantum Mobility of Holes in Copper-Doped Antimony-Telluride Single Crystals
Kul’bachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Apreleva A.S.
,
Konstantinova E.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 56, № 2, с. 78-84
DOI
2021
Experimental Studies of Modification of the Characteristics of GaAs Structures with Schottky Contacts after Exposure to Fast Neutrons
Volkova E.V.,
Loginov A.B.
,
Loginov B.A.
, Tarasova E.A., Puzanov A.S., Korolev S.A.,
Semyonovykh E.S.
, Khazanova S.V.,
Obolensky S.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 12, с. 903-906
DOI
2021
Photoaccumulating Nanoheterostructures Based on Titanium Dioxide
Konstantinova E.A.
,
Zaitsev V.B.
,
Kytina E.V.
,
Marikutsa A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 2, с. 219-227
DOI
2021
Quantum-Confinement Effect in Silicon Nanocrystals during Their Dissolution in Model Biological Fluids
Gongalsky M.B.
,
Tsurikova U.A.
,
Gonchar K.A.
,
Gvindgiliiia G.Z.
,
Osminkina L.А.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, с. 61-65
DOI
2021
Study of the Sensitivity of Porous SnO2-Based Thick-Film Elements to the Hydrogen Concentration in Air
Amelichev V.V.
,
Generalov S.S.
, Nikolaeva A.V.,
Polomoshnov S.A.
,
Kovalev V.A.
,
Kovalev A.M.
,
Krivetskiy V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
DOI
2021
Surface Morphology and Optical Properties of Glassy Selenium Films after Laser Modification
Aleksandrovich E.V.
,
Aleksandrovich A.N.
,
Bystrov S.G.
,
Mikheev G.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 5, с. 582-588
DOI
2020
Conductance Quantization in Memristive Structures Based on Poly-p-Xylylene
Shvetsov B.S.
,
Minnekhanov A.A.
,
Nesmelov A.A.
,
Martyshov M.N.
,
Rylkov V.V.
,
Demin V.A.
,
Emelyanov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 9, с. 1103-1107
DOI
2020
Effect of a nickel impurity on the galvanomagnetic properties and electronic structure of PbTe
Skipetrov E.P.
,
Kovalev B.B.
,
Shevchenko I.V.
,
Knotko A.V.
,
Slynko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 10, с. 1171-1179
DOI
2020
Evolution of Electron Transport under Resistive Switching in Porphyrazine Films
Drozdov K.A.
,
Krylov I.V.
,
Vasilik V.A.
,
Kosov A.D.
,
Dubinina T.V.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 3, с. 296-300
DOI
2020
Formation of a Two-Phase Structure in CH3NH3PbI3 Organometallic Perovskite
Amasev D.V.
,
Mikhalevich V.G.
,
Tameev A.R.
,
Saitov Sh R.
,
Kazanskii A.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 6, с. 543-546
DOI
2020
High-Frequency Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition from the Linear to Quadratic Frequency Dependence
Ormont M.A.
,
Zvyagin I.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 1, с. 33-39
DOI
2020
Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates
Seredin P.V.
,
Goloshchapov D.L.
, Zolotukhin D.S.,
Lenshin A.S.
, Khudyakov Yu Yu,
Mizerov A.M.
,
Timoshnev S.N.
, Arsentyev I.N.,
Beltyukov A.N.
, Leiste Harald,
Kukushkin S.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 5, с. 596-608
DOI
2020
Influence of the Degree of Crystallinity on the Dispersion of the Optical Parameters of Ge2Sb2Te5 Phase-Change Memory Thin Films
Fedyanina M.E.
, Lazarenko P.I.,
Vorobyov Y.V.
, Kozyukhin S.A.,
Dedkova A.A.
,
Yakubov A.O.
, Levitskii V.S.,
Sagunova I.V.
, Sherchenkov A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 13, с. 1775-1783
DOI
2020
Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
,
Mirzai S.S.
, Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 495-500
2020
Modification of the Photoelectric Properties of Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Films under Preliminary Illumination at Elevated Temperatures
Ormnt N.N.
,
Kurova I.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 437-440
DOI
2020
Nonlinear optical response of the colloidal CdSe nanoplatelets under one-photon stationary excitation of excitons
Smirnov A.M.
,
Golinskaya A.D.
,
Kozlova M.V.
,
Zharkova E.V.
,
Saidzhonov B.M.
,
Vasiliev R.B.
,
Dneprovskii V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 14, с. 1907-1910
DOI
2020
Optical and Transport Properties of Epitaxial Pb0.74Sn0.26Te(In) Films with a Modifiable Surface
Ikonnikov A.V.
,
Dudin V.S.
,
Artamkin A.I.
,
Akimov A.N.
,
Klimov A.E.
,
Tereshchenko O.E.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 9, с. 1086-1091
DOI
2020
Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
, Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 3, с. 362-365
2020
Spin-Valley Dynamics of Interlayer Excitons in Heterobilayers MoxW1–xSe2/WSe2
Liubomirov A.D.
,
Kravtsov V.
, Cherbunin R.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 11, с. 1518-1521
DOI
2020
Structure, Composition, and Properties of Zn- and O-Ion Implanted Silicon at Elevated Temperatures
Privezentsev V.V., Sergeev A.P.,
Kulikauskas V.S.
, Kiselev D.A., Trifonov A.Yu, Tereshchenko A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 12, с. 1650-1656
DOI
2020
Two-Stage Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis and the Low-Temperature Hydrothermal Method
Synthesis of Structured Microsystems Based on Zinc-Oxide Nanorods by Ultrasonic Spray Pyrolysis 1) Two-Stage
,
the Low-Temperature Hydrothermal Method Ryabko /.A.A
, Maximov A.I., Verbitskii V.N.,
Levitskii V.S.
,
Moshnikov V.A.
,
Terukov // Semiconductors 2020 Vol 54 11 E.I.№.P.1496-1502
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 11, с. 1496-1502
Страницы: << предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>