|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Features of defect formation in nanostructured silicon under ion irradiationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2019 г.
- Авторы: Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 6
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 800
- Последняя страница: 805
- Оригинальные версии: Особенности дефектообразования в наноструктурированном кремнии при ионном облучении
- DOI: 10.1134/S1063782619060095
- Аннотация: Nanostructured silicon is irradiated by Si+ and He+ ions with energies of 200 and 150 keV, respectively. Destruction of the structure of irradiated samples and the accumulation of defects at different irradiation fluences are investigated by Raman scattering. It is shown that single-crystal silicon films are amorphized under irradiation at 0.7 displacements per atom. However, at 0.5 displacements per atom, porous silicon does not completely amorphize and the Raman spectra contain a weak signal of the amorphous silicon phase along with a pronounced signal of the crystalline silicon phase. The size of nanocrystals in the structure of porous silicon at different irradiation fluences is estimated.
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Первая страница | Pervaya_stranitsa.pdf | 360,9 КБ | 6 мая 2019 [balakshiny] |