ИСТИНА

Караванский В.А.

Соавторы: Бушуев В.А., Ломов А.А., Zavaritskaya T.N., Днепровский В.С., Карцев А.А., Сутырин А.Г., Bayliss S.A., Васильев А.Л., Мельник В.Н., Мельник Н.Н., Тимошенко В.Ю., Gavrilov S.A., Klimov V.I. показать полностью..., Lomov A.A., Rakova E.V., Константинова Е.А., Ломов А.А., Ломов А.А., Belogorokhov A.I., Blau W.J., Bykovsky Y.A., Dovidenko E., Gushina N., Henari F.Z., Morgenstern K., Okorokov D., Бейлис С., Васильев А.Л., Гаврилов С.А., Ежов А.А., Заварицкая Т.Н., Образцов А.Н., Панов В.И., Ракова Е.В., Солдатов Е.С., Суятин Д.Б.

19 статей, 9 докладов на конференциях, 6 тезисов докладов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 280, Scopus: 195

IstinaResearcherID (IRID): 1162997

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2009 Application of X-Ray Diffraction Methods in the Study of Micrometer-Sized Porous Si Layers
    • Lomov A.A., Bushuev V.A., Kartsev A.A., Karavanskii V.A., Vasil’ev A.L.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 54, № 3, с. 379-385 DOI
  • 
    • 2009 Применение рентгеновских дифракционных методов для исследования микронных пористых слоев кремния
    • Ломов А.А., Бушуев В.А., Карцев А.А., Караванский В.А., Васильев А.Л.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 54, № 3, с. 410-417
  • 
    • 2003 Characterization of the Structure of Porous Germanium Layers by High-Resolution X-ray Diffractometry
    • Lomov A.A., Bushuev V.A., Karavanskii V.A., Bayliss S.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 48, № 2, с. 326-334
  • 
    • 2003 Observation of nanocrystals in porous stain-etched germanium
    • Karavanskii V.A., Lomov A.A., Sutyrin A.G., Bushuev V.A., Loikho N.N., Melnik N.N., Zavaritskaya T.N., Bayliss S.A.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 197, № 1, с. 144-149
  • 
    • 2003 Raman and X-ray studies of nanocrystals in porous stain-etched germanium
    • Karavanskii V.A., Lomov A.A., Sutyrin A.G., Bushuev V.A., Loiko N.N., Melnik N.N., Zavaritskaya T.N., Bayliss S.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 437, с. 290-296
  • 
    • 2003 Структура слоев пористого германия по данным высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
    • Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский В.А., Бейлис С.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 48, № 2, с. 362-371
  • 
    • 2001 Study of surface and interface roughnesses in porous silicon by high-resolution X-ray methods
    • Lomov A.A., Bushuev V.A., Karavanskii V.A.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 16, № 9, с. 1429-1436
  • • 2000 Diagnostics of Submicron Luminescent Films of Porous Silicon
    • Karavanskii V.A., Lomov A.A., Rakova E.V., Gavrilov S.A., Melnik N.N., Zavaritskaya T.N., Bushuev V.A.
    • в журнале Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, том 15, с. 1781-1793
  • 
    • 2000 Study of surface and interface roughnesses in porous silicon by high-resolution X-ray methods
    • Lomov A.A., Bushuev V.A., Karavanskii V.A.
    • в журнале Crystallography Reports, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 45, № 5, с. 842-847
  • 
    • 2000 Исследование шероховатостей поверхности и границ раздела пористого кремния высокоразрешающими рентгеновскими методами
    • Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский В.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 45, № 5, с. 915-920
  • • 2000 Структура пленок пористого кремния по данным рентгеновской рефлектометрии
    • Бушуев В.А., Ломов А.А., Сутырин А.Г., Караванский В.А.
    • в журнале Перспективные материалы, издательство Интерконтакт Наука (М.), № 4, с. 25-33
  • • 1999 Диагностика субмикронных люминесцентных пленок пористого кремния
    • Караванский В.А., Ломов А.А., Ракова Е.В., Гаврилов С.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.Н., Бушуев В.А.
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, издательство Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва), № 12, с. 32-39
  • 
    • 1998 Ion implantation of porous gallium phosphide
    • Ushakov V.V., Dravin V.A., Mel'nik N.N., Zavaritskaya T.V., Loiko N.N., Karavanskii V.A., Konstantinova E.A., Timoshenko V.Y.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 32, № 8, с. 886-890 DOI
  • 
    • 1997 Radiation hardness of porous silicon
    • Ushakov V.V., Dravin V.A., Melnik N.N., Karavanskii V.A., Konstantinova E.A., Timoshenko V.Y.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 31, № 9, с. 966-969 DOI
  • 
    • 1995 3rd-order optical nonlinearity and all-optical switching in porous silicon
    • Henari F.Z., Morgenstern K., Blau W.J., Karavanskii V.A., Dneprovskii V.S.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 67, № 3, с. 323-325 DOI
  • 
    • 1995 Strong optical nonlinearities in quantum wires and dots of porous silicon
    • Dneprovskii V., Ejov A., Gushina N., Okorokov D., Panov V., Karavanskii V., Maslov A., Sokolov V., Dovidenko E.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 188, с. 297-306 DOI
  • 
    • 1994 Intense photoluminescence in porous gallium-phosphide
    • Belogorokhov AI, Karavanskii VA, Obraztsov AN, Timoshenko VY
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 60, № 4, с. 274-279
  • 
    • 1994 Nonlinear-transmission spectra of porous silicon: Manifestation of size quantization
    • Klimov V.I., Dneprovskii V.S., Karavanskii V.A.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 64, № 20, с. 2691-2693 DOI
  • 
    • 1993 Quantum-size effect and pronounced optical nonlinearities in porous silicon
    • Dneprovskii V.S., Karavanskii V.A., Klimov V.I., Maslov A.P.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 57, № 7, с. 406-409

• Доклады на конференциях

  • • 2008 Характеризация микронных пористых слоёв кремния по данным рентгеновской дифрактометрии
    • Авторы: Карцев А.А., Бушуев В.А., Караванский В.А., Васильев А.Л., Ломов А.А.
    • Материалы II Международной научной школы-семинара ”Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии” (Великий Новгород, 1-5 сентября 2008 г.), С. 103-106., Великий Новгород, Россия, Россия, 2008
  • • 2003 Characterization of nanocrystals in porous germanium layer by X-ray diffraction.
    • Авторы: Lomov A.A., Караванский В.А., Бушуев В.А.
    • Int. Conf. “Micro- and nanoelectronics-2003”, Abstracts. October 6th-10th, 2003. Moscow-Zelenograd, Russia. P1-23. , Moscow-Zelenograd, Russia, Россия, 2003
  • • 2002 Characterization of porous GaAs layers by X-ray reflectometry.
    • Авторы: Lomov A.A., Бушуев В.А., Dravin V., Сутырин А.Г., Караванский В.А.
    • Third International Conference Porous Semicondactors Science and Tnechnology (Tenerif, Spain, 10-15 March 2002), P. 197-198., Tenerif, Spain, Испания, 2002
  • • 2002 Observation of nanocrystals in porous stain-etched germanium.
    • Авторы: Ломов А.А., Сутырин А.Г., Бушуев В.А., Лойко Н.Г., Мельник В.Н., Zavaritskaya T.N., Bayliss S.A., Караванский В.А.
    • Third International Conference Porous Semicondactors Science and Tnechnology (Tenerif, Spain, 10-15 March 2002), P. 197-198., Tenerif, Spain, Испания, 2002
  • • 2002 Исследование морфологии поверхности пористого германия методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
    • Авторы: Бушуев В.А., Караванский В.А., Ломов А.А.
    • Тез. докл. Международного семинара “Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)”, Великий Новгород, 18-20 ноября 2002 г. С. 44-46., Великий Новгород, Россия, Россия, 2002
  • • 2001 Характеризация stain-etch пленок пористого германия методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии.
    • Авторы: Ломов А.А., Бушуев В.А., Лойко Н.Н., Сутырин А.Г., Bayliss S.A., Караванский В.А.
    • Тез. III Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (21-25 мая 2001, Москва). С. 338., Москва, Россия, ИКАН, Россия, 2001
  • • 1999 Рентгеновская рефлектометрия пористых бор-диффузионных слоев кремниевых подложек.
    • Авторы: Ломов А.А., Сутырин А.Г., Караванский В.А., Бушуев В.А.
    • Тез. 2-ой Национальной конф. при применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-99). Москва, 23-27 мая 1999 г. С. 255. , Москва, Россия, ИКАН, Россия, 1999
  • • 1998 Диагностика сверхтонких люминесцентных пленок пористого кремния.
    • Авторы: Караванский В.А., Ломов А.А., Ракова Е.В., Бушуев В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.Н., Гаврилов С.А.
    • Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции “Микро- и наноэлектроника-98”. Звенигород. 1998. C. P 2-59., Звенигород, Россия, Россия, 1998
  • • 1998 Параметры пористых наноструктур по данным малоуглового рассеяния в методе трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
    • Авторы: Ломов А.А., Караванский В.А., Бушуев В.А.
    • Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции “Микро- и наноэлектроника-98”. Звенигород. 1998. C. P 2-59., Звенигород, Россия, Россия, 1998

• Тезисы докладов

  • • 2008 Характеризация микронных пористых слоёв кремния по данным рентгеновской дифрактометрии
    • Карцев А.А., Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский А.В., Васильев А.Л.
    • в сборнике Материалы II Международной научной школы-семинара ”Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии” (Великий Новгород, 1-5 сентября 2008 г.). 2008. С. 103-106, место издания Великий Новгород, тезисы, с. 103-106
  • • 2008 Характеризация микронных пористых слоёв кремния по данным рентгеновской дифрактометрии
    • Карцев А.А., Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский А.В., Васильев А.Л.
    • в сборнике Материалы II Международной научной школы-семинара ”Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии” (Великий Новгород, 1-5 сентября 2008 г.). 2008. С. 103-106, место издания Великий Новгород, тезисы, с. 103-106
  • • 2001 STM study of porous Si surface morphology at initial anodization stage
    • Suyatin D.B., Bykovsky Yu A., Karavansky V.A., Soldatov E.S.
    • в сборнике Научная сессия МИФИ - 2001. II Всероссийская конференция. Униерситеты России -фундаментальные исследования. Физика элементарных частиц и атомного ядра, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, место издания Московский государственный инженерно-физический институт. Типография МИФИ 115409. Москва, Каширское шоссе, 31, том 10, тезисы
  • • 1999 Рентгеновская рефлектометрия пористых бор-диффузионных слоев кремниевых подложек
    • Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский В.А., Сутырин А.Г.
    • в сборнике Тезисы докладов 2-й национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-99, Москва), место издания Изд-во ИК РАН Москва, тезисы, с. 150-150
  • • 1998 Диагностика сверхтонких люминесцентных пленок пористого кремния
    • Караванский В.А., Ломов А.А., Ракова Е.В., Гаврилов С.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.Н., Бушуев В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции “Микро- и наноэлектроника-98” (Звенигород. 1998), C. P 2-58, место издания Москва, тезисы, с. 58-58
  • • 1998 Параметры пористых наноструктур по данным малоуглового рассеяния в методе трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
    • Ломов А.А., Бушуев В.А., Караванский В.А.
    • в сборнике Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции “Микро- и наноэлектроника-98” (Звенигород. 1998), С Р 2-59, место издания Москва, тезисы, с. 59-59