|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Specific features of electrical properties of the In(x)Ga(1-x)Nalloyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Komissarova T.A., Matrosov N.N., Ryabova L.I., Khokhlov D.R., Jmerik V.N., Ivanov S.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 41
- Номер: 5
- Год издания: 2007
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 540
- Последняя страница: 541
- DOI: 10.1134/S1063782607050119
- Аннотация: Temperature dependences of the Hall coefficient and resistivity of the InxGa1 - x N alloys (0 <= x <= 1) are investigated. It is found that, at x <= 0.4, the temperature dependences of the Hall coefficient and resistivity have the activation-related portion. The activation energy depends linearly on the In content in the alloy. At x approximate to 0.5, the activation portion vanishes. The main scattering mechanism depends on the temperature, on the defect density in the film (this density is largely determined by the used intermediate GaN layers), and on the alloy composition x.
- Добавил в систему: Рябова Людмила Ивановна