Resonant gallium level in Pb1-xSnxTe alloys under pressureстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

[1] Skipetrov E. P., Golubev A. V., Slyn'ko V. E. Resonant gallium level in pb1-xsnxte alloys under pressure // Semiconductors. — 2007. — Vol. 41, no. 2. — P. 145–149. The effect of pressure on electrical properties of the n-Pb1−x SnxTe alloy (x = 0.21) doped with gallium is studied. A decrease in the free-electron concentration with increasing temperature and an increase in this concentration with increasing pressure are observed; these observations indicate that the Fermi level is pinned at the resonant gallium level. The two-band Kane’s dispersion law and experimental data were used to calculate the pressure dependences of the electron concentration and Fermi level. A diagram of transformation of the charge-carrier energy spectrum in Pb1−x SnxTe:Ga subjected to pressure is suggested; the rate of the shift of the gallium resonant level in reference to the midgap under the effect of pressure is determined. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть