ИСТИНА

Якимов Е.Б.

Соавторы: Pearton S.J., Shchemerov I.V., Лагов П.Б., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Chernykh A., Kochkova A., Vasilev A.A., Павлов Ю.С., Danilin A.B., Ren F., Бушуев В.А., Григорьев М.В. показать полностью..., Магомедбеков Э.П., Рау Э.И., Фахртдинов Р.Р., Шабельникова Я.Л., орлов в.и., Dae-Woo J., Drenin A.S., Garanin N.S., Gorbatkova O.G., In-Hwan L., Khrisanov I.A., Kim J., Kim J., Kononchuk O.V., Kozhukhova E.A., Kukharchuk O.F., Lee I.H., Letovaltseva M.E., Mares, Meshkov I.N., Miliachenko A.D., Minghan X., Nikolaev V.I., Orlov O.S., Pechnikov A.I., Sergey Z., Shcherbatchev K.D., Sidorin A.A., Siemek K., Stepanov S.I., Stolbunov V.S., Suvorov A.A., Xian M., Yang J., hh h., Аристов В.В., Борисов С.С., Зайцев С.И., Иванов Е.М., Кобец У.А., Соколов В.Н., ред ).

13 статей

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 133, Scopus: 143

IstinaResearcherID (IRID): 1163930

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2022 Point defect creation by proton and carbon irradiation of α-Ga2O3
    • Polyakov Alexander Y., Nikolaev Vladimir I., Meshkov Igor N., Siemek Krzysztof, Lagov Petr B., Yakimov Eugene B., Pechnikov Alexei I., Orlov Oleg S., Sidorin Alexey A., Stepanov Sergey I., Shchemerov Ivan V., Vasilev Anton A., Chernykh Alexey V., Losev Anton A., Miliachenko Alexandr D., Khrisanov Igor A., Pavlov Yu S., Kobets U.A., Pearton Stephen J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 132, № 3, с. 035701 DOI
  • 
    • 2021 1 GeV proton damage in β-Ga2O3
    • Polyakov A.Y., Shchemerov I.V., Vasilev A.A., Kochkova A.I., Smirnov N.B., Chernykh A.V., Yakimov E.B., Lagov P.B., Pavlov Yu S., Ivanov E.M., Gorbatkova O.G., Drenin A.S., Letovaltseva M.E., Xian Minghan, Ren Fan, Kim Jihyun, Pearton S.J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 130, № 18 DOI
  • 
    • 2020 Pulsed fast reactor neutron irradiation effects in Si doped n-type β-Ga2O3
    • Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Vasilev A.A., Yakimov E.B., Chernykh A.V., Kochkova A.I., Lagov P.B., Pavlov Yuri S., Kukharchuk O.F., Suvorov A.A., Garanin N.S., In-Hwan Lee, Minghan Xian, Fan Ren, Pearton S.J.
    • в журнале Journal of Physics D - Applied Physics, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 53, № 27 DOI
  • 
    • 2018 Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated β-Ga2O3
    • Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Yakimov E.B., Pearton S.J., Fares C., Yang J., Ren F., Kim J., Lagov P.B., Stolbunov V.S., Kochkova A.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 113, № 092102, с. 092102-1-092102-5 DOI
  • 
    • 2017 Point defects controlling non-radiative recombination in GaN blue light emitting diodes: Insights from radiation damage experiments
    • Lee I.H., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Lagov P.B., Zinov'ev R.A., Yakimov E.B., Shcherbachev K.D., Pearton S.J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 122, № 11, с. 115704-1-115704-6 DOI
  • 
    • 2017 Study of Low Voltage Prebreakdown Sites in Multicrystalline Si Based Cells by the LBIC, EL, and EDS Methods
    • Orlov V.I., Yakimov E.B., Magomedbekov E.P., Danilin A.B.
    • в журнале Advances in Condensed Matter Physics, издательство Hindawi Publishing Corporation (United States), том 2017 DOI
  • 
    • 2017 Study of short-circuits in multycrystalline Si based cells by the LBIC, EL and EDS methods
    • Orlov Valery I., Yakimov Evgeniy B., Magomedbekov Eldar P., Danilin Alexey B.
    • в журнале Journal of Engineering and Applied Science, издательство Cairo University (Egypt), том 12, № 20, с. 5069-5073
  • 
    • 2013 Properties of nanopillar structures prepared by dry etching of undoped GaN grown by maskless epitaxial overgrowth
    • Polyakov A.Y., Dae-Woo Jeon, Govorkov A.V., Smirnov N.B., Sokolov V.N., Kozhukhova E.A., Yakimov E.B., In-Hwan Lee
    • в журнале Journal of Alloys and Compounds, издательство Elsevier BV (Netherlands), № 554, с. 258-263 DOI
  • 
    • 2012 Calculating the Extended Defect Contrast for the X-ray-Beam-Induced Current Method
    • Shabel’nikova Ya L., Yakimov E.B., Grigor’ev M.V., Fahrtdinov R.R., Bushuev V.A.
    • в журнале Technical Physics Letters, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 38, № 10, с. 913-916 DOI
  • 
    • 2012 Расчет контраста протяженных дефектов в методе индуцированного рентгеновским пучком тока
    • Шабельникова Я.Л., Якимов Е.Б., Григорьев М.В., Фахртдинов Р.Р., Бушуев В.А.
    • в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 38, № 20, с. 1-7
  • 
    • 2007 EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures
    • Yakimov E.B., Borisov S.S., Zaitsev S.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 41, № 4, с. 411-413
  • • 1998 Application of Surface Electron Beam Induced Voltage Method for the Contactless Characterization of Semiconductor Structures
    • Rau E.I., Zhukov A.N., Yakimov Eugene B.
    • в журнале Solid State Phenomena
  • • 1990 SEM investigation of semiconductors by the capacitance techniques
    • Aristov Vitaly V., Kononchuk Oleg V., Rau Edward I., Yakimov Eugeny B.
    • в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 12, № 1-4 DOI