Авакянц Лев Павлович
пользователь
доктор физико-математических наук с 2010 года
доцент по кафедре общей физики с 21 июня 1995 г.
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 95,
Scopus: 86
IstinaResearcherID (IRID): 994854
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2020
Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
-
Aslanyan A.E.,
Avakyants L.P.,
Chervyakov A.V.,
Turkin A.N.,
Mirzai S.S.,
Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.,
Marmalyuk A.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 4, с. 495-500
-
-
-
2020
Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
-
Aslanyan A.E.,
Avakyants L.P.,
Chervyakov A.V.,
Turkin A.N.,
Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.,
Marmalyuk A.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 54, № 3, с. 362-365
-
-
2020
Исследование напряженности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе INGаN/GаN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
-
Асланян А.Э.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Туркин А.Н.,
Мирзаи С.С.,
Курешов В.А.,
Сабитов Д.Р.,
Мармалюк А.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 54, № 4, с. 420-425
-
-
2020
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе INGаN/GaN с разным количеством квантовых ям
-
Асланян А.Э.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Туркин А.Н.,
Курешов В.А.,
Сабитов Д.Р.,
Мармалюк А.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 54, № 3, с. 292-295
-
-
-
-
-
2018
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
-
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Казаков И.П.,
Базалевский М.А.,
Деев П.М.,
Червяков А.В.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 7, с. 708-711
DOI
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2013
Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
-
Khabibullin RA,
Galiev GB,
Klimov EA,
Ponomarev DS,
Vasil'evskii IS,
Kulbachinskii VA,
Bokov PY,
AVAKYANTS L.,
Chervyakov AV
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208
DOI
-
-
-
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
-
Хабибуллин Р.А.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Мальцев П.П.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
-
-
2012
The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
-
Khabibullin R.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Ponomarev D.S.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Avakyanz L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.
-
в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 345, № 1, с. 012015
DOI
-
-
-
-
-
2011
Photoreflectance study of indium segregation in the InGaAs quantum well
-
Avakyants LP,
Bokov PY,
Chervyakov AV,
Glazyrin EA,
Kazakov IP
-
в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7747, с. 77470M
DOI
-
-
-
-
-
-
2010
Interference effects in the electroreflectance and electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting-diode heterostructures
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Y.,
Chervyakov A.V.,
Chuyas A.V.,
Yunovich A.E.,
Vasileva E.D.,
Bauman D.A.,
Uelin V.V.,
Yavich B.S.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 44, № 8, с. 1090-1095
DOI
-
-
-
2010
Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
-
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Чуяс А.В.,
Юнович А.Э.,
Васильева Е.Д.,
Бауман Д.А.,
Уелин В.В.,
Явич Б.С.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 44, № 8, с. 1124-1129
-
-
-
2008
A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experiments
-
Bokov P.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Yunovich A.,
Vasileva E.,
Snegov F.,
Bauman D.,
Yavich B.
-
в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 1040, с. 184-189
-
-
-
-
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
-
Avakyants L.P.,
Badgutdinov M.L.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Shirokov S.S.,
Yunovich A.E.,
Bogdanov A.A.,
Vasil’Eva E.D.,
Nikolaev D.A.,
Feopentov A.V.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
-
-
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
-
Avakyants L.P.,
Badgutdinov M.L.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Shirokov S.S.,
Yunovich A.E.,
Bogdanov A.A.,
Vasil’eva E.D.,
Nikolaev D.A.,
Feopenyov A.V.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
-
-
2007
Автоматизированная система физического эксперимента в учебном процессе
-
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Иванцов А.A.,
Митин И.В.,
Китов И.А.,
Салецкий А.М.,
Червяков А.В.
-
в журнале Физическое образование в ВУЗах, издательство Изд. дом МФО (М.), том 13, № 3, с. 110-118
-
-
2007
Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN
-
Авакянц Л.П.,
Бадгутдинов М.Л.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Широков С.С.,
Юнович А.Э.,
Богданов А.А.,
Васильева Е.Д.,
Николаев Д.А.,
Феопентов А.В.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 41, № 9, с. 1078-1084
-
-
2006
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
-
Yunovich A.E.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Bokov P.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Vasileva E.,
Feopentov A.,
Snegov F.,
Bauman D.,
Yavich B.
-
в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 955, с. 210-212
-
-
2006
Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells: Photoreflectance experiment and self-consistent calculations
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.
-
в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 21, № 4, с. 462-466
DOI
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2003
Investigation of electronic transitions in coupled-quantum-well structures with a built-in electric field by photoreflectance spectroscopy
-
Galiev G.B.,
Kaminskiǐ V.É.,
Mokerov V.G.,
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Kul’bachinskiǐ V.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 1, с. 77-81
DOI
-
-
2003
Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения
-
Галиев Г.Б.,
Каминский В.Э.,
Мокеров В.Г.,
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Кульбкачинский В.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 1, с. 77-82
-
-
-
2002
Study of the Effects of Size Quantization in Coupled AlxGa 1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells by Means of Photoreflectance Spectroscopy
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Galiev G.B.,
Kaminskiǐ V.É.,
Kul’bachinskiǐ V.A.,
Mokerov V.G.,
Chervyakov A.V.
-
в журнале Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya), издательство Optical Society of America (United States), том 93, № 6, с. 857-861
DOI
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Статьи в сборниках
-
-
2007
Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
-
Yunovich A.E.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Bokov P.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Vasileva E.,
Feopentov A.,
Snegov F.,
Bauman D.,
and Yavich B.
-
в сборнике III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, Proc. 955E,, издательство Materials Research Society (United States), с. 15-36
-
-
-
-
-
Книги
-
Доклады на конференциях
-
-
-
-
-
2019
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
(Устный)
-
Авторы:
Червяков А.В.,
Туркин А.Н.,
Мазалов А.В.,
Курешов В.Р.,
Сабитов Д.Р.,
Мармалюк А.А.,
Асланян А.Э.,
Авакянц Л.П.
-
10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Россия, 15-16 мая 2019
-
-
-
-
2017
Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
(Устный)
-
Авторы:
АВАКЯНЦ Л.П.,
АСЛАНЯН А.Э.,
БОКОВ П.Ю.,
ВОЛКОВ В.В.,
КОГАН Л.М.,
ТУРКИН А.Н.,
ЧЕРВЯКОВ А.В.,
ЮНОВИЧ А.Э.
-
8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Москва, Россия, 24 мая 2017
-
-
2017
Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
(Стендовый)
-
Авторы:
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
-
-
2017
Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра
(Устный)
-
Авторы:
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Авакянц Л.П.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
-
-
-
-
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия.
(Устный)
-
Авторы:
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Юнович А.Э.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Волков В.В.
-
Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
-
-
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия.
(Устный)
-
Авторы:
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Юнович А.Э.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Волков В.В.
-
Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
-
-
-
2015
Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
-
Авторы:
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Деев П.М.,
Казаков И.П.,
Базалевский М.А.
-
6-я Междунродная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники., Москва, Россия, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 20-21 мая 2015 г., Россия, 20-21 мая 2015
-
-
-
-
-
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
-
Авторы:
Bokov P.,
Avalyants L.,
Chervyakov A.,
Vasilevskii I.,
Klimov E.,
Lyalin I.,
Galiev G.
-
32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
-
-
-
-
-
-
Тезисы докладов
-
-
2019
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
-
Асланян А.Э.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Туркин А.Н.,
Мазалов А.В.,
Курешов В.Р.,
Сабитов Д.Р.,
Мармалюк А.А.
-
в сборнике Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, серия Сборник трудов, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва, тезисы, с. 196-197
-
-
-
2017
Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 88-89
-
-
2017
Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения". Сборник трудов, место издания НИЯУ "МИФИ" Москва, тезисы, с. 144-145
-
-
2017
Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра 90
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 90-91
-
-
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2016. СЕКЦИЯ ФИЗИКИ. Сборник тезисов докладов, место издания М., Физический факультет МГУ, тезисы, с. 7-8
-
-
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Научная конференция «Ломоносовские Чтения», г., тез. докладов
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Матешев И.С.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике СБОРНИК ТЕЗИСОВ ДОКЛАДОВ "НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ "ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ", Секция физики, место издания Издательский отдел физического факультета МГУ Отделе оперативной печати физического факультета МГУ, тезисы, с. 7-8
-
-
2016
Особенности спектров электро-люминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов
-
Авакянц Л.П.,
Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.,
Волков В.В.,
Коган Л.М.,
Туркин А.Н.,
Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
-
в сборнике Мокеровские чтения. 7-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 25 мая 2016 года, Москва, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 129-130
-
-
-
-
-
2014
Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectance
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Meahchankin A.V.,
Zvonkov B.N.
-
в сборнике Тезисы докладов 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014, место издания Ecole Polytechnique Lausanne Лозанна, Швейцария, тезисы
-
-
2014
Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
-
Avakyants L.,
Aslanyan A.,
Bokov P.,
Chervyakov A.,
Polozhentsev K.
-
в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
-
-
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
-
Bokov P.,
Avalyants L.,
Chervyakov A.,
Galiev G.,
Klimov E.,
Lyalin I.,
Vasilevskii I.
-
в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
-
-
-
-
-
2012
Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
-
Авакянц Л.П.,
Aslanyan A.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Polozhentsev K.
-
в сборнике Тезисы докладов International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012, место издания Саппоро, Япония, тезисы
-
-
2012
Fast Fourier Transform of the Frantz-Keldysh oscilla-tions from the In-GaAs/GaAs/AlGaAs structures with the nonun-form built-in electric field
-
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.,
Kazakov I.P.,
Trufanov E.A.
-
в сборнике Тезисы докладов 21th International Conference on Spectral Line Shapes,, Saint Petersburg, June 3-9, 2012, 2012, место издания Санкт-Петербург, тезисы
-
-
2011
Photoreflectance study of carriers drift and diffusion in the different thickness InGaAs quantum well
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Glazyrin E.V.,
Kazakov I.P.
-
в сборнике Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia, р. 169, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 169-169
-
-
-
2010
Интерференционные эф-фекты в спектрах элек-троотражения гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
-
Авакянц Л.П.,
Боков П.Ю.,
Червяков А.В.
-
в сборнике Сборник тезисов 7 Всероссийской кон-ференции «Нитриды галлия, индия и алюминия, структу-ры и приборы-2010», Москва, 01-03 фев-раля 2010 г., Санкт-Петебрург, стр. 131-132, место издания ФТИ РАН Санкт-Петербург, тезисы, с. 131-132
-
-
2009
Frequency dependent photoreflectance from p-i-n GaAs structures
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.,
Kolmakova T.P.
-
в сборнике Abstracts of 16th international conference Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures. Montpellier, France, 24-28 of August 2009, p. 154, место издания Монпелье, Франция, тезисы, с. 154-154
-
-
НИРы
-
-
-
-
1 января 2006 - 31 декабря 2025
Исследование межмолекулярных взаимодействий в конденсированных средах спектрально-люминесцентными методами
-
Физический факультет
-
Руководитель:
Салецкий А.М.
Участники НИР:
Авакянц Л.П.,
Баранов А.Н.,
Букато И.В.,
Букато И.В.,
Буравцова В.Е.,
Викторова О.И.,
Викторова О.И.,
Власова И.М.,
Глушкова Т.М.,
Гордеева Ю.А.,
Грачев А.В.,
Каминская Т.П.,
Манькова А.А.,
Пацаева С.В.,
Погожев В.А.,
Поляков П.А.,
Попов В.В.,
Русакова Н.Е.,
Усманов Н.Н.,
Усманов Н.Н.,
Усманов Н.Н.,
Харчева А.В.,
Червяков А.В.,
Шелякин Л.Б.
-
-
Патенты
-
Руководство диссертациями
-
Диссертации
-
Руководство дипломными работами
-
Авторство учебных курсов
-
Преподавание учебных курсов