ИСТИНА

Авакянц Лев Павлович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики, профессор, с 6 декабря 2010

доктор физико-математических наук с 2010 года

доцент по кафедре общей физики с 21 июня 1995 г.

Соавторы: Червяков А.В., Боков П.Ю., Салецкий А.М., Асланян А.Э., Юнович А.Э., Колесников С.В., Китов И.А., Кульбачинский В.А., Митин И.В., Туркин А.Н., Polozhentsev K., Киселев Д.Ф., Волков В.В. показать полностью..., Горелик В.С., Yavich B., Матешев И.С., Glazyrin E.V., Galiev G.B., Badgutdinov M., Kazakov I.P., Казаков И.П., Коган Л.М., Положенцев К.Ю., Васильевский И.С., Поляков П.А., Mokerov V.G., Galiev G.B., Bauman D.A., Kaminskiǐ V.É., Деев П.М., Курова И.А., Галиев Г.Б., Базалевский М.А., Snegov F., Feopentov A., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В., Николаев Д.А., Ормонт Н.Н., Широков С.С., Слепков А.И., Пономарев Д.С., Kolmakova T.P., Vasileva E.A., Chuyas A.V., Khabibullin R.A., Штыркова А.П., Шихлинская Р.Э., Баранов А.Н., Чуяс А.В., Шартс К.М., Шартс О.Н., Звонков Б.Н., Злобина Л.И., Кацнельсон А.А., Климов Е.А., Климов Е.А., Колесова Н.С., Колмакова Т.П., Курешов В.Р., Л П., Лялин И.И., Мазалов А.В., Мальцев П.П., Мамедов А.А., Велиюлин Э.И., Волков В.В., Гвоздкова И.А., Глушкова Т.М., Явич Б.С., Феопентов А.В., Слободянюк А.В., Хабибуллин Р.А., Уелин В.В., Свербиль А.В., Сабитов Д.Р., Темпер Э.М., Свяховский С.Е., Авдюхина В.М., Бадгутдинов М.Л., MOLODTSOV V., Meshchankin A.V., Naulik L.R., Shirokov S.S., Trufanov E.A., Uelin V.V., Бауман Д.А., KISELEV D., Bogdanov A.A., Косарева О.Г., Пономарев А.С., Андреев П.А.

79 статей, 24 книги, 21 доклад на конференциях, 24 тезисов докладов, 3 НИР, 1 патент, 9 диссертаций, 7 дипломных работ, 11 учебных курсов

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 75, Scopus: 75

IstinaResearcherID (IRID): 994854

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • • 2019 Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 53, № 4, с. 493-499
  • 
    • 2018 Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Bazalevskii M.A., Deev P.M., Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 52, № 7, с. 849-852 DOI
  • • 2018 Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Базалевский М.А., Деев П.М., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 52, № 7, с. 708-711 DOI
  • 
    • 2017 Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a p–n junction
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu, Polozhentsev K.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 51, № 2, с. 189-192 DOI
  • 
    • 2017 Raman Scattering in InP Doped by Be+-Ion Implantation
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 51, № 2, с. 168-172
  • 
    • 2017 Study of built-in electric field in active region of GaN/InGaN/AlGaNLEDs by electroreflectance spectroscopy
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Yu
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 130, № 4, с. 45-48 DOI
  • • 2017 Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be+
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 2, с. 177-181
  • • 2017 Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p_n-перехода
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 2, с. 198-201
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в журнале Ученые Записки Физического Факультета МГУ, № 3, с. 163401-1-163401-7
  • 
    • 2015 Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Galiev G.B., Kazakov I.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 49, № 9, с. 1202-1206 DOI
  • 
    • 2015 Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 9, с. 1238-1242
  • 
    • 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
    • Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 47, № 9, с. 1203-1208 DOI
  • 
    • 2013 Linear Electro-Optic Effect in Electroreflectance Spectra of AlGaN/InGaN/GaN Light Emitting Diodes Structures
    • Avakyants Lev P., Aslanyan Artem E., Bokov Pavel Yu, Chervyakov Anatoly V., Polozhentsev Kirill Yu
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 52, с.  08JK11 DOI
  • • 2013 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    • Хабибуллин Р.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
  • 
    • 2012 The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Ponomarev D.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Avakyanz L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство Institute of Physics (United Kingdom), том 345, № 1, с. 012015 DOI
  • 
    • 2012 The difference between reflectance and electroreflectance spectra of AlGaN/GaN/InGaN LED structures
    • Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 9, № 3-4, с. 818-821 DOI
  • 
    • 2011 Photoreflectance Spectroscopy of Electron-Hole States in a Graded-Width GaAs/InGaAs/GaAs Quantum Well
    • Avakyants L.P., Bokov P.Y., Glazyrin E.V., Kazakov I.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 45, № 3, с. 320-324 DOI
  • 
    • 2011 Photoreflectance spectroscopy of delta-doped GaAs layers
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Bugakov I.V., Kolmakova T.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Inorganic Materials, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 5, с. 455-458 DOI
  • 
    • 2011 Photoreflectance study of indium segregation in the InGaAs quantum well
    • Avakyants LP, Bokov PY, Chervyakov AV, Glazyrin EA, Kazakov IP
    • в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7747, с. 77470M DOI
  • 
    • 2011 Raman spectroscopy determination of carrier concentration in n-In xGa1-xAs epitaxial films
    • AVAKYANTS L., Kolmakova T.P.
    • в журнале Inorganic Materials, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 4, с. 335-339
  • • 2011 ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК N-INXGA1 - XAS МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
    • Авакянц Л.П., Колмакова Т.П.
    • в журнале Неорганические материалы, том 47, № 4, с. 389-393
  • • 2011 Спектроскопия фотоотражения дельта легированных слоев GaAs
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В., Колмакова Т.П., Червяков А.В.
    • в журнале Неорганические материалы, том 47, № 5, с. 517-520
  • • 2011 Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Глазырин Е.В., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 3, с. 330-334
  • 
    • 2010 Interference effects in the electroreflectance and electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting-diode heterostructures
    • Avakyants L.P., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Chuyas A.V., Yunovich A.E., Vasileva E.D., Bauman D.A., Uelin V.V., Yavich B.S.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 44, № 8, с. 1090-1095 DOI
  • 
    • 2010 Piezoelectric field compensation in the InGaN quantum wells of GaN/InGaN/AlGaN LEDs structures: Electroreflectance experiment
    • Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A., Yunovich A., Vasileva E., Yavich B.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 7, № 7-8, с. 1863-1865 DOI
  • • 2010 Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Чуяс А.В., Юнович А.Э., Васильева Е.Д., Бауман Д.А., Уелин В.В., Явич Б.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 44, № 8, с. 1124-1129
  • 
    • 2009 Electroreflectance diagnostics of InGaN/AlGaN/GaN based LEDs structures
    • Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A., Chuas A., Yunovich A., Vasileva E., Yavich B.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 6, № 12, с. 2852-2854 DOI
  • 
    • 2008 A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experiments
    • Bokov P., Avakyants L., Badgutdinov M., Chervyakov A., Shirokov S., Yunovich A., Vasileva E., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 1040, с. 184-189
  • 
    • 2008 Photoreflectance study of plasma-etched semi-insulating GaAs substrates treated
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Grigoriev A.T., Chervyakov A.V.
    • в журнале Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 72, № 7, с. 941-943 DOI
  • 
    • 2007 Determination of the carrier concentration in doped n-GaAs layers by Raman and light reflection spectroscopies
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Volchkov N.A., Kazakov I.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya), издательство Optical Society of America (United States), том 102, № 5, с. 712-716 DOI
  • 
    • 2007 Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
    • Avakyants L.P., Badgutdinov M.L., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Shirokov S.S., Yunovich A.E., Bogdanov A.A., Vasil’Eva E.D., Nikolaev D.A., Feopentov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 41, № 9, с. 1060-1066 DOI
  • 
    • 2007 Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
    • Avakyants L.P., Badgutdinov M.L., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Shirokov S.S., Yunovich A.E., Bogdanov A.A., Vasil’eva E.D., Nikolaev D.A., Feopenyov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 41, № 9, с. 1060-1066 DOI
  • • 2007 Автоматизированная система физического эксперимента в учебном процессе
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Иванцов А.A., Митин И.В., Китов И.А., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • в журнале Физическое образование в ВУЗах, издательство Изд. дом МФО (М.), том 13, № 3, с. 110-118
  • • 2007 Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN
    • Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С., Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 41, № 9, с. 1078-1084
  • 
    • 2006 Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
    • Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., Yavich B.
    • в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 955, с. 210-212
  • 
    • 2006 Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells: Photoreflectance experiment and self-consistent calculations
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство Institute of Physics Publishing (United Kingdom), том 21, № 4, с. 462-466 DOI
  • • 2006 Исследование активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния света и фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Червяков А.В.
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 7, с. 91-94
  • • 2006 Комбинационное рассеяние света в глобулярных фотонных кристаллах заполненных нитратом натрия
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Злобина Л.И., Мельник Н.Н., Свербиль П.П., Фадюшин А.Б., Червяков А.В.
    • в журнале Неорганические материалы, том 42, № 6, с. 703-709
  • 
    • 2005 Computerized setup for double-monochromator photoreflectance spectroscopy
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Technical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 50, № 10, с. 1316-1318 DOI
  • 
    • 2005 Photoreflection studies of the dopant activation in InP implanted with Be(+) ions
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 39, № 2, с. 174-176 DOI
  • • 2005 Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
    • в журнале Журнал технической физики, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 75, № 10, с. 66-68
  • 
    • 2004 Inelastic light scattering near the ferroelectric phase-transition point in bismuth vanadate crystals
    • Avakyants L.P., Gorelik V.S., Sverbil P.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Journal of Russian Laser Research, издательство Kluwer Academic/Plenum Publishers (United States), том 25, № 6, с. 535-580
  • 
    • 2004 Photoreflectance investigation of built-in electric fields in strained GaAs/GaAsP superlattices
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Kolmakova T.P.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 1, с. 45-48
  • 
    • 2004 Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period GaAs/GaAsP superlattices
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Kolmakova T.P., Chervyakov A.V.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 38, № 12, с. 1384-1389 DOI
  • 
    • 2004 Raman scattering as nondestructive method for monitoring of GaAs (100) surface after electron-cyclotron plasma etching
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Grigor’ev A.T., Chervyakov A.V.
    • в журнале IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA, том 68, № 3, с. 450-453
  • • 2004 Неупругое рассеяние света вблизи точки сегнето-эластического фазового перехода в кристалле ванадата висмута
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Свербиль П.П., Червяков А.В.
    • в журнале Препринт № 14 Физического института АН им. П.Н.Лебедева. Москва
  • 
    • 2003 Investigation of electronic transitions in coupled-quantum-well structures with a built-in electric field by photoreflectance spectroscopy
    • Galiev G.B., Kaminskiǐ V.É., Mokerov V.G., Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Kul’bachinskiǐ V.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 37, № 1, с. 77-81 DOI
  • • 2003 Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения
    • Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Кульбкачинский В.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 1, с. 77-82
  • 
    • 2002 Photoreflection study of quantum confinement effects in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures
    • Avakyants L.P., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Kazakov I.P.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), № 4, с. 48-51
  • 
    • 2002 Study of the Effects of Size Quantization in Coupled AlxGa 1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells by Means of Photoreflectance Spectroscopy
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Galiev G.B., Kaminskiǐ V.É., Kul’bachinskiǐ V.A., Mokerov V.G., Chervyakov A.V.
    • в журнале Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya), издательство Optical Society of America (United States), том 93, № 6, с. 857-861 DOI
  • • 2002 Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs /GaAs/AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г., Червяков А.В.
    • в журнале Оптика и спектроскопия, том 93, № 6, с. 929-934
  • • 2002 Размерное квантование в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs по данным спектроскопии фотоотражения
    • Л П., Авакянц, Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета, издательство Ред. журн. (М.), том 3, № 32, с. 48-50
  • 
    • 2000 Characterization of electrical and structural properties of ion-implanted GaAs by Raman scattering
    • Avakyants LP, Poliakov PA, Gorelik VS
    • в журнале Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, издательство SPIE (Bellingham, WA, United States), том 4070, с. 438-443 DOI
  • 
    • 2000 Raman scattering from phonon-plasmon modes in gallium arsenide implanted by silicon ions
    • Avakyants LP, Poliakov PA, Gorelik VS
    • в журнале Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, издательство SPIE (Bellingham, WA, United States), том 4069, с. 11-16 DOI
  • 
    • 2000 Комбинационное рассеяние и отражение света в сегнетоэлектрическом кристалле титаната свинца
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Червяков А.В.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 64, № 6, с. 1173-1176
  • 
    • 2000 Комбинационное рассеяние света в полярных фторорганических соединениях типа CnF2n+1Br
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Злобина Л.И., Шартс О.Н., Червяков А.В.
    • в журнале Известия Российской академии наук. Серия физическая, том 64, № 6, с. 1189-1193
  • • 1999 Исследование компенсации проводимости n-GaAs при имплантации ионами B методом фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Коршунов А.Б., Темпер Э.М., Червяков А.В.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 2, с. 17-21
  • • 1999 Комбинационное рассеяние света на фонон-плазмонных модах в ионно-легированном арсениде галлия
    • Авакянц Л.П., В Горелик С.В.С, Поляков П.А.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 3, с. 24-31
  • • 1997 Упорядочение структуры гидрогенизированных пленок кремния под влиянием непрерывного лазерного облучения
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Курова И.А., Червяков А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 39, № 12, с. 2152-2155
  • 
    • 1994 ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
    • KUROVA I.A., LUPACHEVA A.N., MELESHKO N.V., ORMONT N.N., AVAKYANZ L.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 28, № 1, с.  72-74
  • • 1994 Изучение зависимости энергии перехода Е1+*1 от состава Hg1-xMnxTe методом фотоотражения
    • Авакянц Л.П., Велиюлин Э.И., Мамедов А.А., Червяков А.В.
    • в журнале Вестник Московского университета, издательство Ред. журн. (М.), том 33, № 4, с. 86-87
  • • 1994 Электрические свойства пленок a-Si:H(B), облученных мощными световыми импульсами
    • Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Авакянц Л.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 28, № 1, с. 120-124
  • • 1993 Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Китов И.А., Червяков А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 35, № 5, с. 1354-1362
  • 
    • 1991 MEASUREMENT OF RAMAN POLARIZATION ANISOTROPY IN GYROTROPIC CRYSTALS
    • Avakyants L.P., Gvozdkova I.A., Naulik L.R., Slobodyanyuk A.V.
    • в журнале Journal of Applied Spectroscopy, издательство Springer-Verlag (Heidelberg, Germany), том 54, с. 603-606
  • • 1989 Интенсивность рассеяния света мягкими оптической и акустической модами в области сегнетоэластического фазового перехода в BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Известия АН СССР. Серия физическая, том 53, № 7, с. 110-112
  • • 1989 Исследование структуры и спектров комбинационного рассеяния пористого кремния
    • Авакянц Л.П., Авдюхина В.М., Кацнесон А.А., Колесова Н.С.
    • в журнале Поверхность. Физизика, химия, механика, № 5, с. 94-99
  • • 1989 Температурная зависимость компонент тензора спонтанной деформации полидоменного сегнетоэластика BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Известия АН СССР. Серия физическая, том 53, № 7, с. 98-99
  • 
    • 1988 Automated apparatus for combination scattering difference spectroscopy
    • Avakyants L.P., Kitov I.A., Chervyakov A.V.
    • в журнале Instruments and Experimental Techniques, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 31, № 2, с. 427-431
  • • 1988 Автоматизированная установка для разностной спектроскопии КРС
    • Авакянц Л.П., Китов И.А., Червяков А.В.
    • в журнале Приборы и техника эксперимента, издательство ИКЦ «Академкнига» (Москва), том 31, № 2, с. 145-148
  • 
    • 1986 ANISOTROPY OF ACOUSTIC ANOMALIES AT PHASE-TRANSITION IN LEAD GERMANATE ON HYPERSOUND FREQUENCIES
    • AVAKYANTS LP, GLUSHKOVA TM, KISELEV DF, MOLODTSOV VV
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 28, № 3, с. 749-753
  • • 1985 Исследование сегнетоэластического фазового перехода в BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 30, № 5, с. 1021-1023
  • • 1985 Температурная зависимость доменной структуры BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 27, № 1, с. 231-233
  • • 1984 Взаимодействие парамера порядка и деформации в сегнетоэластике BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Известия АН СССР. Серия физическая, том 48, № 6, с. 1107-1110
  • • 1983 Температурная зависимость показателей преломления BiVO4
    • Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Червяков А.В.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 25, № 9, с. 2782-2784

• Статьи в сборниках

  • • 2007 Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
    • Yunovich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P., Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov F., Bauman D., and Yavich B.
    • в сборнике III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, Proc. 955E,, издательство Materials Research Society (United States), с. 15-36
  • 
    • 2004 Room temperature photoreflectance investigation of undoped and doped GaAs/AlGaAs quantum well structures
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в сборнике Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, с. 605-612 DOI
  • • 2004 НЕУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА ВБЛИЗИ ТОЧКИ СЕГНЕТОЭЛАСТИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛЕ ВАНАДАТА ВИСМУТА
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Свербиль А.В., Червяков А.В.
    • в сборнике Препринт ФИАН, место издания Фиан Москва, том 14, с. 2-128
  • • 1998 Комбинационное рассеяние света квазиодномерными фторорганическими молекулами CnF2n+1Br при различных длинах молекулярных цепочек. Сборник трудов Международной конференции
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Злобина Л.И., Шартс К.М., Шартс О.Н., Червяков А.В.
    • в сборнике КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ-70 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ", место издания Москва, с. 129-132
  • • 1998 Комбинационное рассеяние света на фонон - плазмонных модах в арсениде галия, ионно-легированных кремнием
    • Авакянц Л.П., Горелик В.С., Поляков П.А.
    • в сборнике Сборник трудов Международной конференции "КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ-70 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ, место издания Москва, с. 44-52

• Книги

  • • 2019 Введение в квантовую физику. Методика решения задач
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • издательство Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова (Москва) , ISBN 978-5-9905983-3-1, 400 с.
  • • 2017 Излучение света
    • Авакянц Л.П., Косарева О.Г., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ Москва, 25 с.
  • • 2017 Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова Москва, 22 с.
  • • 2017 Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова Москва, 22 с.
  • • 2017 Общий физический практикум (оптика), задача № 408 "Основы спектрального анализа"
    • Авакянц Л.П., Баранов А.Н., Китов И.А., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания Физический факультет МГУ, 32 с.
  • • 2017 Общий физический практикум (оптика), задача № 409 "Дифракция Фраунгофера"
    • Авакянц Л.П., Китов И.А., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания Изд. физического факультета МГУ, 18 с.
  • • 2017 Электроны и дырки в полупроводниках
    • Авакянц Л.П., Андреев П.А., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ Москва, 32 с.
  • • 2016 Ансамбли невзаимодействующих квантовых частиц. Ферми-газ и Бозе-газ
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ Москва, 29 с.
  • • 2016 Излучение абсолютно черного тела
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ Москва, 18 с.
  • • 2016 Корпускулярные свойства излучения
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ Москва, 24 с.
  • • 2016 Модели атома водорода
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ, 32 с.
  • • 2016 Основные понятия квантовой механики
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 36 с.
  • • 2016 Спин. Электрон в магнитном поле
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 26 с.
  • • 2016 Уравнение Шредингера. Дискретный спектр
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 32 с.
  • • 2016 Уравнение Шредингера. Непрерывный спектр
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 39 с.
  • • 2016 Фононы. Теплоемкость кристаллов
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 20 с.
  • • 2016 Электроны в периодическом потенциале. Магноны
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 25 с.
  • • 2015 Волны де Бройля. Соотношение неопределенностей
    • Авакянц Л.П., Колесников С.В., Салецкий А.М.
    • место издания ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ, 20 с.
  • • 2012 Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Салецкий А.М., Слепков А.И., Червяков А.В.
    • место издания Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова, 22 с.
  • • 2004 Общий физический практикум (молекулярная физика), задача 234 "Статистика фотоотсчетов ФЭУ"
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Пономарев А.С., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова, 20 с.
  • • 1997 Общий физический практикум (оптика), задача № 408 "Основы спектрального анализа"
    • Авакянц Л.П., Баранов А.Н., Китов И.А., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова, 25 с.
  • • 1997 Общий физический практикум (оптика), задача № 409 "Дифракция Фраунгофера"
    • Авакянц Л.П., Китов И.А., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • место издания Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова, 16 с.
  • • 1986 Разработка семинаров по механическим колебаниям и волнам в упругой среде
    • Авакянц Л.П., Шихлинская Р.Э., Штыркова А.П.
    • издательство МГУ (Москва) , 76 с.
  • • 1984 Разработка семинаров по механике и теории относительности
    • Авакянц Л.П., Шихлинская Р.Э., Штыркова А.П.
    • издательство МГУ (Москва) , 148 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2019 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области (Устный)
    • Авторы: Червяков А.В., Туркин А.Н., Мазалов А.В., Курешов В.Р., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А., Асланян А.Э., Авакянц Л.П.
    • 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Россия, 15-16 мая 2019
  • • 2018 Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals (Стендовый)
    • Авторы: Свяховский С.Е., Асланян А.Е., Боков П.Ю., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • 18th International Conference on Laser Optics "ICLO 2018" (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018 г.), г. Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018
  • • 2017 Electroreflectance study of built-in electric field distribution in GaN/InGaN multiple quantum wells (Устный)
    • Авторы: Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V.
    • EMRS Fall Meeting 2017, Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors, Варшава, Польша, 18-22 сентября 2017
  • • 2017 Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия (Устный)
    • Авторы: АВАКЯНЦ Л.П., АСЛАНЯН А.Э., БОКОВ П.Ю., ВОЛКОВ В.В., КОГАН Л.М., ТУРКИН А.Н., ЧЕРВЯКОВ А.В., ЮНОВИЧ А.Э.
    • 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Москва, Россия, 24 мая 2017
  • • 2017 Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра (Стендовый)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • 11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
  • • 2017 Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра (Устный)
    • Авторы: Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Авакянц Л.П., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • 11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
  • • 2016 Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов. (Устный)
    • Авторы: Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э., Авакянц Л.П., Асланян А.Э.
    • 7-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Россия, 25 мая 2016
  • • 2016 Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов. (Устный)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • 7-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", Россия, 25 мая 2016
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. (Устный)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. (Устный)
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2015 Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes (Стендовый)
    • Авторы: Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Y.
    • 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия, 12-15 октября 2015
  • • 2015 Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
    • Авторы: Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Базалевский М.А., Деев П.М., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • 6-я Междунродная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники., Москва, Россия, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 20-21 мая 2015 г., Россия, 20-21 мая 2015
  • • 2015 Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • 10-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы», Санкт-Петербург, Россия, 23-25 марта 2015
  • • 2014 Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectance
    • Авторы: Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Meahchankin A.V., Zvonkov B.N.
    • 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014
  • • 2014 Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Авторы: Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Galiev G., Klimov E., Lyalin I., Vasilevskii I.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2014 Evaluation of the Internal Electric Field Inhomogeneities in Multiple InGaN/GaN Quantum Wells Structures Using Electroreflectance Spectroscopy
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Charvyakov A., Polozhentsev K.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2014, Wroclaw, Poland, 24-29 August 2014, Польша, 2014
  • • 2013 Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • 9-я Всероссийская конференция НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ, Москва, физический факультет МГУ, Россия, 2013
  • • 2013 Задача общего физического практикума «Свободные и вынужденные колебания пружинного маятника»
    • Авторы: Боков П.Ю., Салецкий А.М., Слепков А.И., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • ФИЗИКА В СИСТЕМЕ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ (ФССО-2013), Петрозаводск, 3-7 июня 2013
  • • 2012 Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
    • Авторы: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Червяков А.В., Polozhentsev K.
    • International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012
  • • 2012 Fast Fourier Transform of the Frantz-Keldysh oscilla-tions from the In-GaAs/GaAs/AlGaAs structures with the nonun-form built-in electric field
    • Авторы: Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Kazakov I.P., Trufanov E.A.
    • 21th International Conference on Spectral Line Shapes,, Saint Petersburg, June 3-9, 2012, 2012

• Тезисы докладов

  • • 2019 Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
    • Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Мазалов А.В., Курешов В.Р., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, серия Сборник трудов, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва, тезисы, с. 196-197
  • • 2018 Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals
    • Свяховский С.Е., Асланян А.Е., Боков П.Ю., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • в сборнике 2018 International Conference Laser Optics (ICLO), серия IEEE, место издания IEEE, тезисы
  • • 2017 Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 88-89
  • • 2017 Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения". Сборник трудов, место издания НИЯУ "МИФИ" Москва, тезисы, с. 144-145
  • • 2017 Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра 90
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017), место издания Москва, тезисы, с. 90-91
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2016. СЕКЦИЯ ФИЗИКИ. Сборник тезисов докладов, место издания М., Физический факультет МГУ, тезисы, с. 7-8
  • • 2016 Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Научная конференция «Ломоносовские Чтения», г., тез. докладов
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике СБОРНИК ТЕЗИСОВ ДОКЛАДОВ "НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ "ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ", Секция физики, место издания Издательский отдел физического факультета МГУ Отделе оперативной печати физического факультета МГУ, тезисы, с. 7-8
  • • 2016 Особенности спектров электро-люминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 7-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 25 мая 2016 года, Москва, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 129-130
  • • 2015 Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes
    • Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Y.
    • в сборнике Сборник тезисов 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия, место издания Мессина, Италия, тезисы
  • • 2015 Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы
  • • 2015 Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Базалевский М.А., Деев П.М., Казаков И.П., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник трудов 6-ой Междунродной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы
  • • 2014 Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectance
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Meahchankin A.V., Zvonkov B.N.
    • в сборнике Тезисы докладов 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014, место издания Ecole Polytechnique Lausanne Лозанна, Швейцария, тезисы
  • • 2014 Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
    • Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
  • • 2014 Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
    • Bokov P., Avalyants L., Chervyakov A., Galiev G., Klimov E., Lyalin I., Vasilevskii I.
    • в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
  • • 2013 Задача общего физического практикума «Свободные и вынужденные колебания пружинного маятника»
    • Боков П.Ю., Салецкий А.М., Слепков А.И., Червяков А.В., Авакянц Л.П.
    • в сборнике Тезисы докладов конференции ФИЗИКА В СИСТЕМЕ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ (ФССО-2013), Петрозаводск, 3-7 июня 2013, место издания ПетрГУ Петрозаводск, тезисы
  • • 2013 Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2013), место издания МГУ Москва, тезисы
  • • 2013 Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
    • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2013), место издания МГУ Москва, тезисы
  • • 2012 Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
    • Авакянц Л.П., Aslanyan A., Боков П.Ю., Червяков А.В., Polozhentsev K.
    • в сборнике Тезисы докладов International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012, место издания Саппоро, Япония, тезисы
  • • 2012 Fast Fourier Transform of the Frantz-Keldysh oscilla-tions from the In-GaAs/GaAs/AlGaAs structures with the nonun-form built-in electric field
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Kazakov I.P., Trufanov E.A.
    • в сборнике Тезисы докладов 21th International Conference on Spectral Line Shapes,, Saint Petersburg, June 3-9, 2012, 2012, место издания Санкт-Петербург, тезисы
  • • 2011 Photoreflectance study of carriers drift and diffusion in the different thickness InGaAs quantum well
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Glazyrin E.V., Kazakov I.P.
    • в сборнике Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia, р. 169, место издания Санкт-Петербург, тезисы, с. 169-169
  • • 2010 Динамика носителей в клиновидной квантовой яме InGaAs при локальном фотовозбуждении
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Глазырин Е.В., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2010», секция «Физика», серия СЕКЦИЯ ФИЗИКИ, место издания М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Москва Москва, тезисы, с. 79-81
  • • 2010 Интерференционные эф-фекты в спектрах элек-троотражения гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
    • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.
    • в сборнике Сборник тезисов 7 Всероссийской кон-ференции «Нитриды галлия, индия и алюминия, структу-ры и приборы-2010», Москва, 01-03 фев-раля 2010 г., Санкт-Петебрург, стр. 131-132, место издания ФТИ РАН Санкт-Петербург, тезисы, с. 131-132
  • • 2009 Frequency dependent photoreflectance from p-i-n GaAs structures
    • Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Chervyakov A.V., Kolmakova T.P.
    • в сборнике Abstracts of 16th international conference Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures. Montpellier, France, 24-28 of August 2009, p. 154, место издания Монпелье, Франция, тезисы, с. 154-154
  • • 1995 Компьютерная экспериментальная физическая лаборатория на базе локальной сети ЭВМ «Поиск»
    • Авакянц Л.П., Китов И.А., Митин И.В., Салецкий А.М., Червяков А.В.
    • в сборнике «Физика в системе современного образования» ФССО-95. Тезисы докладов международной конференции 26-30 июня 1995 года. Петрозаводск, 1995, место издания Петрозаводск, тезисы, с. 35-36

• НИРы

  • • 1 декабря 2014 - 31 декабря 2015 Время жизни фотовозбужденных носителей и фазочувствительный анализ спектров фотоотражения
    • Физический факультет
    • Руководитель: Боков П.Ю. Участники НИР: Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Лялин И.И., Мещанкин А.В., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
  • • 1 января 2013 - 31 декабря 2014 Исследование встроенных пьезоэлектрических полей в квантовых структурах на основе соединений А3N методами модуляционной спектроскопии
    • Физический факультет
    • Руководитель: Авакянц Л.П. Участники НИР: Асланян А.Э., Боков П.Ю., Лялин И.И., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
  • • 1 января 2006 - 31 декабря 2020 Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
    • Физический факультет
    • Руководитель: Авакянц Л.П. Ответственный исполнитель: Боков П.Ю. Участники НИР: Боков П.Ю., Червяков А.В.

• Патенты

  • • 1985 Устройство компенсации нелинейности и механического гистерезиса пьезоэлементов
    • Авторы: Авакянц Л.П., Кудряшов И.А., Шмальгаузен В.И.
    • #1358739, 18 июля

• Руководство диссертациями

  • • 2019 Модуляционная спектроскопия светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Асланян Артём Эдуардович, МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Авакянц Лев Павлович, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете МГУ.01.08 МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Оппоненты: Образцова Елена Дмитриевна, Горелик Владимир Семёнович, Снигирёв Олег Васильевич
    • Объявление о защите
  • • 2005 Спектроскопия фотоотражения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия и фосфида индия
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Боков Павел Юрьевич, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.45 при МГУ имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
  • • 1994 ОСОБЕННОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СОЕДИНЕНИЯХ n-GаАs И n-InGaAs
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Китов Иван Алексеевич
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 501.001.45 при НИИЯФ МГУ
    • Организация, в которой выполнялась работа: Физический факультет
  • • 1991 Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Гвоздкова Ирина Александровна, к.ф.-м.н., доц.
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К.053.05.17 при Физический факультет МГУ
  • • 1991 Размерные и плазменные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния полупроводников с тэтраэдрической координацией
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Ефимов Алексей Дмитриевич
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К.053.05.07 при МГУ им.Ломоносова
  • • 1990 Комбинационное рассеяние света в структурно-разупорядоченном кремнии
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Образцова Е.Д., к.ф.-м.н., доц.
    • Научный руководитель: Авакянц Лев Павлович, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К.053.05.07 при МГУ им.Ломоносова
  • • 1989 Динамика решетки и упругооптические свойства сегнетоэластического кристалла ВiVО4
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Червяков А.В., к.ф.-м.н., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научные руководители: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова, Киселев Дмитрий Федорович
    • Защищена в совете К.053.05.17 при Физический факультет МГУ

• Диссертации

  • • 2010 Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия
    • Докторская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Авакянц Л.П., д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете д.501.001.45 при НИИЯФ МГУ
  • • 1978 Влияние дальнодействующих диполь-дипольных сил на акустические и акустооптические свойства одноосных сегнетоэлектрических кристаллов
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
    • Автор: Авакянц Лев Павлович, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Научные руководители: Матвеев Алексей Николаевич, Киселев Дмитрий Федорович
    • Защищена в совете К.053.05.17 при Физический факультет МГУ

• Руководство дипломными работами

  • • 2003 Исследование электронных переходов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П.
    • Автор: Боков П.Ю., (Специалист)
  • • 2003 Исследование электронных переходов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
    • Научные руководители: Авакянц Л.П., Червяков А.В.
    • Автор: Боков П.Ю. (Специалист)
  • • 2001 Синтез и исследование механических свойств одностенных углеродных нанотрубок
    • Научные руководители: Авакянц Л.П., Образцова Е.Д.
    • Автор: Осадчий А.В., (Специалист)
  • • 2001 Особенности взаимодействия связанных мод в соединениях InGaAs
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П.
    • Автор: Пономарев А.С. (Специалист)
  • • 2001 Исследование полупроводниковых структур на основе GaAs
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П.
    • Автор: Желтяков П.А. (Специалист)
  • • 1993 Комбинационное рассеяние света в гетерофазном кремнии
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П.
    • Автор: Сединкин Е.Г. (Специалист)
  • • 1989 Автоматизированная установка для разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света на базе ЭВМ "Электроника-60"
    • Научный руководитель: Авакянц Л.П.
    • Автор: Китов И.А., (Специалист)

• Авторство учебных курсов

  • • 2013 Введение в квантовую физику
    • Автор: Авакянц Л.П.
  • • 2013 Атомная физика
    • Автор: Авакянц Л.П.
  • • 2011 Введение в квантовую физику
    • Автор: Авакянц Лев Павлович
  • • 2010 Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
    • Автор: Авакянц Л.П.
  • • 2010 Введение в квантовую физику
    • Автор: Авакянц Л.П.
  • • 1913 Атомная физика
    • Автор: Авакянц Л.П.

• Преподавание учебных курсов

  • • 1 сентября 2017 - 14 декабря 2017 Электромагнетизм
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, базовой части, лабораторные занятия, 90 часов
  • • 8 февраля 2016 - 23 мая 2016 Оптика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, базовой части, лабораторные занятия, 85 часов
  • • с 7 сентября 2015 Атомная физика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
  • • с 11 февраля 2013 Атомная физика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
  • • с 7 февраля 2013 Введение в квантовую физику
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
  • • с 7 февраля 2013 Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 72 часов
  • • с 7 февраля 2013 Введение в квантовую физику
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, базовой части, семинары, 34 часов
  • • 1 сентября 2012 - 31 декабря 2012 Электромагнетизм
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, базовой части, практические занятия, 90 часов
  • • 6 февраля 2012 - 31 мая 2012 Оптика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, базовой части, практические занятия, 85 часов
  • • 7 февраля 2011 - 23 мая 2011 Оптика
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение экспериментальной и теоретической физики, Кафедра общей физики
    • обязательная, базовой части, практические занятия, 85 часов
  • • 8 февраля 2010 - 31 декабря 2012 Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 68 часов
  • • 8 февраля 2010 - 29 декабря 2011 Введение в квантовую физику
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
    • обязательная, базовой части, лекции, 36 часов