Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
отправить сообщение
Авакянц Лев Павлович
пользователь
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
, профессор, с 6 декабря 2010
доктор физико-математических наук с 2010 года
доцент по кафедре общей физики с 21 июня 1995 г.
Соавторы:
Червяков А.В.
,
Боков П.Ю.
,
Асланян А.Э.
,
Салецкий А.М.
,
Бурмистров Е.Р.
,
Юнович А.Э.
,
Колесников С.В.
,
Туркин А.Н.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Polozhentsev K.
,
Кульбачинский В.А.
,
Yavich B.
показать полностью...
,
Волков В.В.
,
Горелик В.С.
,
Киселев Д.Ф.
,
Badgutdinov M.
,
Galiev G.B.
,
Glazyrin E.V.
,
Kazakov I.P.
,
Матешев И.С.
,
Сабитов Д.Р.
,
Bauman D.A.
,
Galiev G.B.
,
Kaminskiǐ V.É.
,
Mokerov V.G.
,
Васильевский И.С.
,
Казаков И.П.
,
Коган Л.М.
,
Положенцев К.Ю.
,
Поляков П.А.
,
Feopentov A.
,
Snegov F.
,
Базалевский М.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Деев П.М.
,
Курова И.А.
,
Свяховский С.Е.
,
Chuyas A.V.
,
Khabibullin R.A.
,
Kolmakova T.P.
,
Mirza S.S.
,
Vasileva E.A.
,
Баранов А.Н.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Николаев Д.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Пономарев Д.С.
,
Слепков А.И.
,
Широков С.С.
,
Шихлинская Р.Э.
,
Штыркова А.П.
,
Bogdanov A.A.
,
KISELEV D.
,
Kurashov V.N.
,
MOLODTSOV V.
,
Meshchankin A.V.
,
Naulik L.R.
,
Shirokov S.S.
,
Skrabatun A.V.
,
Trufanov E.A.
,
Uelin V.V.
,
Авдюхина В.М.
,
Андреев П.А.
,
Бадгутдинов М.Л.
,
Бауман Д.А.
,
Велиюлин Э.И.
,
Волков В.В.
,
Гвоздкова И.А.
,
Глушкова Т.М.
,
Горелик В.С.
,
Звонков Б.Н.
,
Злобина Л.И.
,
Кацнельсон А.А.
,
Климов Е.А.
,
Климов Е.А.
,
Колесова Н.С.
,
Колмакова Т.П.
,
Косарева О.Г.
,
Курешов В.Р.
,
Л П.
,
Лялин И.И.
,
Мазалов А.В.
,
Мальцев П.П.
,
Мамедов А.А.
,
Пономарев А.С.
,
Свербиль А.В.
,
Слободянюк А.В.
,
Темпер Э.М.
,
Уелин В.В.
,
Феопентов А.В.
,
Хабибуллин Р.А.
,
Чуяс А.В.
,
Шартс К.М.
,
Шартс О.Н.
,
Явич Б.С.
103 статьи
,
24 книги
,
37 докладов на конференциях
,
24 тезисов докладов
,
4 НИР
,
1 патент
,
9 диссертаций
,
7 дипломных работ
,
26 учебных курсов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 111, Scopus: 99
IstinaResearcherID (IRID): 994854
Деятельность
Статьи в журналах
2023
Determination of 2DEG parameters in LED heterostructures with three InxGa1 – xN/GaN quantum wells by the THz-TDs method
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Physics of the Solid State
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 65, № 2, с. 185-194
DOI
2023
Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) of LED Heterostructures with Three and Five InGaN/GaN Quantum Wells
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Journal of Experimental and Theoretical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 136, № 5, с. 594-605
DOI
2023
Определение параметров 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением (THz-TDs)
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 65, № 2, с. 185-194
DOI
2023
Терагерцевая спектроскопия с временным разрешением (THZ–TDs) светодиодных гетероструктур с тремя и пятью квантовыми ямами InGaN/GaN
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Журнал экспериментальной и теоретической физики
, том 163, № 5, с. 669-681
DOI
2022
Study of the Parameters of a Two-Dimensional Electron Gas in InGaN/GaN Quantum Wells by Terahertz Plasmon Resonance
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 55, № 11, с. 1059-1067
DOI
2022
Studying the Nonequilibrium Auger Transition Using the Emission Auger Spectroscopy Data
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Inorganic Materials: Applied Research
, том 13, № 4, с. 1083-1088
DOI
2022
Эмиссионные Оже-спектры, характеризующие механизм неравновесного Оже-перехода в пленках оксида серебра Ag2О
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Материаловедение
, издательство
Наука и технологии
(М.)
, № 2, с. 3-9
DOI
2021
Photoreflectance Spectroscopy Of Porous Silicon Photonic Crystals
Avakyants Lev P.
,
Svyakhovskiy Sergey E.
,
Burmistrov Evgeny R.
в журнале
Journal of Russian Laser Research
, издательство
Kluwer Academic/Plenum Publishers
(United States)
, том 42, № 6, с. 713-719
DOI
2021
Piezoelectric Relaxation of Two-Dimensional Electron Gas in Heterostructures with InGaN/GaN Quantum Wells
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Russian Physics Journal
, издательство
Springer Nature
(Switzerland)
, том 64, № 5, с. 770-782
DOI
2021
Piezoelectric relaxation of two-dimentional electron gas in InGaN/GaN heterostructures with quantum wells
Burmistrov Evgeny R.
,
Avakyants Lev P.
в журнале
SN Applied Sciences
, том 3, № 8
DOI
2021
Relaxation time, mobility, and effective mass of 2DEG in InGaN/GaN quantum wells according to terahertz plasmon resonance data
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 76, № 5, с. 10-18
DOI
2021
Spontaneous Raman scattering in mixtures of light and heavy water
Gorelik V.S.
,
Avakyants Lev
,
Skrabatun Alexander
в журнале
Journal of Raman Spectroscopy
, издательство
John Wiley & Sons Inc.
(United States)
, № September
DOI
2021
Study Of Nonequilibrium Auger-Transition Using Emission Auger Spectroscopy
Burmistrov E.R.
,
Avakyants L.P.
в журнале
Journal of Applied Spectroscopy
, издательство
Springer-Verlag
(Heidelberg, Germany)
, том 88, № 5, с. 911-917
DOI
2021
Возможность возбуждения неравновесных Оже - переходов корпускулярными зондами
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Наноструктуры. Математическая физика и моделирование
, том 21, № 1, с. 37-49
DOI
2021
Время релаксации, подвижность и эффективная масса 2ДЭГ в квантовых ямах InGaN/GaN по данным терагерцевого плазмонного резонанса
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 5, с. 1-8
2021
Исследование неравновесного Оже-перехода по данным эмиссионной Оже-спектроскопии
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Журнал прикладной спектроскопии
, издательство
Наука и техника
(Минск)
, том 88, № 5, с. 675-681
2021
Исследование параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 55, № 11, с. 1059-1067
DOI
2021
Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Физика
, том 64, № 5, с. 9-19
DOI
2020
Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantumwells by electrotransmission spectroscopy
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
,
Mirzai S.S.
, Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 4, с. 495-500
2020
Photoreflectance in monolayer mesoporous silicon structures
Avakyants L.P.
,
Svyakhovskiy S.E.
,
Aslanyan A.E.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Journal of Russian Laser Research
, издательство
Kluwer Academic/Plenum Publishers
(United States)
, том 41, № 3, с. 207-214
2020
Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED hetterostructures with different numbers of QWS
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Chervyakov A.V.
,
Turkin A.N.
, Kureshov V.A.,
Sabitov D.R.
, Marmalyuk A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 54, № 3, с. 362-365
2020
Исследование напряженности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе INGаN/GаN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Мирзаи С.С.
, Курешов В.А.,
Сабитов Д.Р.
, Мармалюк А.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 54, № 4, с. 420-425
2020
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе INGаN/GaN с разным количеством квантовых ям
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Курешов В.А.
,
Сабитов Д.Р.
, Мармалюк А.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 54, № 3, с. 292-295
2019
Investigation into the distribution of built-in electric fields in led heterostructures with multiple GAN/INGAN quantum wells by electroreflectance spectoscopy
Aslanyan A.E.
,
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 53, № 4, с. 477-483
2019
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 53, № 4, с. 493-499
2018
Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Bazalevskii M.A.
,
Deev P.M.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 52, № 7, с. 849-852
DOI
2018
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Казаков И.П.
,
Базалевский М.А.
,
Деев П.М.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 52, № 7, с. 708-711
DOI
2017
Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a p–n junction
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Yu
,
Polozhentsev K.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 189-192
DOI
2017
Raman Scattering in InP Doped by Be+-Ion Implantation
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 168-172
2017
Study of built-in electric field in active region of GaN/InGaN/AlGaNLEDs by electroreflectance spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Polozhentsev K.Yu
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 130, № 4, с. 45-48
DOI
2017
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be+
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 51, № 2, с. 177-181
2017
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p_n-перехода
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 51, № 2, с. 198-201
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 3, с. 163401-1-163401-7
2015
Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Galiev G.B.
,
Kazakov I.P.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 49, № 9, с. 1202-1206
DOI
2015
Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Галиев Г.Б.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 49, № 9, с. 1238-1242
2013
Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
Khabibullin RA
,
Galiev GB
,
Klimov EA
,
Ponomarev DS
,
Vasil'evskii IS
,
Kulbachinskii VA
,
Bokov PY
,
AVAKYANTS L.
,
Chervyakov AV
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 47, № 9, с. 1203-1208
DOI
2013
Linear Electro-Optic Effect in Electroreflectance Spectra of AlGaN/InGaN/GaN Light Emitting Diodes Structures
Avakyants Lev P.
,
Aslanyan Artem E.
,
Bokov Pavel Yu
,
Chervyakov Anatoly V.
,
Polozhentsev Kirill Yu
в журнале
Japanese Journal of Applied Physics
, издательство
Institute of Pure and Applied Physics
(Japan)
, том 52, с. 08JK11
DOI
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
Хабибуллин Р.А.
,
Галиев Г.Б.
, Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.
,
Васильевский И.С.
,
Кульбачинский В.А.
,
Боков П.Ю.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Мальцев П.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 47, № 9, с. 1215-1220
2012
The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
Khabibullin R.A.
,
Vasil’evskii I.S.
, Ponomarev D.S.,
Galiev G.B.
, Klimov E.A.,
Avakyanz L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Journal of Physics: Conference Series
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 345, № 1, с. 012015
DOI
2012
The difference between reflectance and electroreflectance spectra of AlGaN/GaN/InGaN LED structures
Avakyants L.
,
Aslanyan A.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Polozhentsev K.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 9, № 3-4, с. 818-821
DOI
2011
Photoreflectance Spectroscopy of Electron-Hole States in a Graded-Width GaAs/InGaAs/GaAs Quantum Well
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Y.
,
Glazyrin E.V.
, Kazakov I.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 45, № 3, с. 320-324
DOI
2011
Photoreflectance spectroscopy of delta-doped GaAs layers
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Bugakov I.V., Kolmakova T.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 47, № 5, с. 455-458
DOI
2011
Photoreflectance study of indium segregation in the InGaAs quantum well
Avakyants LP
,
Bokov PY
,
Chervyakov AV
,
Glazyrin EA
,
Kazakov IP
в журнале
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
, издательство
SPIE, the International Society for Optical Engineering
(Bellingham, WA, United States)
, том 7747, с. 77470M
DOI
2011
Raman spectroscopy determination of carrier concentration in n-In xGa1-xAs epitaxial films
AVAKYANTS L.
,
Kolmakova T.P.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 47, № 4, с. 335-339
2011
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК N-INXGA1 - XAS МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
Авакянц Л.П.
,
Колмакова Т.П.
в журнале
Неорганические материалы
, том 47, № 4, с. 389-393
2011
Спектроскопия фотоотражения дельта легированных слоев GaAs
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
, Бугаков И.В., Колмакова Т.П.,
Червяков А.В.
в журнале
Неорганические материалы
, том 47, № 5, с. 517-520
2011
Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Глазырин Е.В.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 45, № 3, с. 330-334
2010
Interference effects in the electroreflectance and electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting-diode heterostructures
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
,
Chuyas A.V.
,
Yunovich A.E.
, Vasileva E.D.,
Bauman D.A.
,
Uelin V.V.
,
Yavich B.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 44, № 8, с. 1090-1095
DOI
2010
Piezoelectric field compensation in the InGaN quantum wells of GaN/InGaN/AlGaN LEDs structures: Electroreflectance experiment
Avakyants L.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Yunovich A.
, Vasileva E.,
Yavich B.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 7, № 7-8, с. 1863-1865
DOI
2010
Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Чуяс А.В.
,
Юнович А.Э.
, Васильева Е.Д.,
Бауман Д.А.
,
Уелин В.В.
,
Явич Б.С.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 44, № 8, с. 1124-1129
2009
Electroreflectance diagnostics of InGaN/AlGaN/GaN based LEDs structures
Avakyants L.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Chuas A.
,
Yunovich A.
, Vasileva E.,
Yavich B.
в журнале
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
, том 6, № 12, с. 2852-2854
DOI
2008
A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experiments
Bokov P.
,
Avakyants L.
,
Badgutdinov M.
,
Chervyakov A.
, Shirokov S.,
Yunovich A.
, Vasileva E.,
Snegov F.
,
Bauman D.
,
Yavich B.
в журнале
Materials Research Society Symposium Proceedings
, том 1040, с. 184-189
2008
Photoreflectance study of plasma-etched semi-insulating GaAs substrates treated
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Grigoriev A.T.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 72, № 7, с. 941-943
DOI
2007
Determination of the carrier concentration in doped n-GaAs layers by Raman and light reflection spectroscopies
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Volchkov N.A., Kazakov I.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
, издательство
Optical Society of America
(United States)
, том 102, № 5, с. 712-716
DOI
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
Avakyants L.P.
,
Badgutdinov M.L.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
, Shirokov S.S.,
Yunovich A.E.
, Bogdanov A.A., Vasil’Eva E.D., Nikolaev D.A., Feopentov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
Avakyants L.P.
,
Badgutdinov M.L.
,
Bokov P.Yu
, Chervyakov A.V.,
Shirokov S.S.
,
Yunovich A.E.
,
Bogdanov A.A.
,
Vasil’eva E.D.
,
Nikolaev D.A.
,
Feopenyov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
2007
Автоматизированная система физического эксперимента в учебном процессе
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
, Иванцов А.A.,
Митин И.В.
,
Китов И.А.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физическое образование в ВУЗах
, издательство
Изд. дом МФО
(М.)
, том 13, № 3, с. 110-118
2007
Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN
Авакянц Л.П.
,
Бадгутдинов М.Л.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Широков С.С.
,
Юнович А.Э.
, Богданов А.А., Васильева Е.Д.,
Николаев Д.А.
,
Феопентов А.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 41, № 9, с. 1078-1084
2006
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
Yunovich A.E.
,
Avakyants L.
,
Badgutdinov M.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
, Shirokov S., Vasileva E.,
Feopentov A.
,
Snegov F.
,
Bauman D.
,
Yavich B.
в журнале
Materials Research Society Symposium Proceedings
, том 955, с. 210-212
2006
Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells: Photoreflectance experiment and self-consistent calculations
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Galiev G.B.
, Klimov E.A., Vasil’evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.
в журнале
Semiconductor Science and Technology
, издательство
IOP Publishing
([Bristol, UK], England)
, том 21, № 4, с. 462-466
DOI
2006
Исследование активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния света и фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
, Вихрова О.В., Данилов Ю.А.,
Червяков А.В.
в журнале
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
, издательство
ФГБУ "Издательство "Наука"
(Москва)
, № 7, с. 91-94
2006
Комбинационное рассеяние света в глобулярных фотонных кристаллах заполненных нитратом натрия
Авакянц Л.П.
, Горелик В.С., Злобина Л.И., Мельник Н.Н., Свербиль П.П., Фадюшин А.Б.,
Червяков А.В.
в журнале
Неорганические материалы
, том 42, № 6, с. 703-709
2005
Computerized setup for double-monochromator photoreflectance spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Technical Physics
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 50, № 10, с. 1316-1318
DOI
2005
Photoreflection studies of the dopant activation in InP implanted with Be(+) ions
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 39, № 2, с. 174-176
DOI
2005
Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
в журнале
Журнал технической физики
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 75, № 10, с. 66-68
2004
Inelastic light scattering near the ferroelectric phase-transition point in bismuth vanadate crystals
Avakyants L.P.
, Gorelik V.S., Sverbil P.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Journal of Russian Laser Research
, издательство
Kluwer Academic/Plenum Publishers
(United States)
, том 25, № 6, с. 535-580
2004
Photoreflectance investigation of built-in electric fields in strained GaAs/GaAsP superlattices
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
, Kolmakova T.P.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 1, с. 45-48
2004
Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period GaAs/GaAsP superlattices
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Kolmakova T.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 12, с. 1384-1389
DOI
2004
Raman scattering as nondestructive method for monitoring of GaAs (100) surface after electron-cyclotron plasma etching
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Grigor’ev A.T.,
Chervyakov A.V.
в журнале
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
, том 68, № 3, с. 450-453
2004
Неупругое рассеяние света вблизи точки сегнето-эластического фазового перехода в кристалле ванадата висмута
Авакянц Л.П.
, Горелик В.С., Свербиль П.П.,
Червяков А.В.
в журнале
Препринт № 14 Физического института АН им. П.Н.Лебедева. Москва
2003
Investigation of electronic transitions in coupled-quantum-well structures with a built-in electric field by photoreflectance spectroscopy
Galiev G.B.
,
Kaminskiǐ V.É.
,
Mokerov V.G.
,
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Kul’bachinskiǐ V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 1, с. 77-81
DOI
2003
Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения
Галиев Г.Б.
,
Каминский В.Э.
,
Мокеров В.Г.
,
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Кульбкачинский В.А.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 37, № 1, с. 77-82
2002
Photoreflection study of quantum confinement effects in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
, Kazakov I.P.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 4, с. 48-51
2002
Study of the Effects of Size Quantization in Coupled AlxGa 1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells by Means of Photoreflectance Spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Galiev G.B.
,
Kaminskiǐ V.É.
,
Kul’bachinskiǐ V.A.
,
Mokerov V.G.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
, издательство
Optical Society of America
(United States)
, том 93, № 6, с. 857-861
DOI
2002
Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs /GaAs/AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Галиев Г.Б.
,
Каминский В.Э.
,
Кульбачинский В.А.
,
Мокеров В.Г.
,
Червяков А.В.
в журнале
Оптика и спектроскопия
, том 93, № 6, с. 929-934
2002
Размерное квантование в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs по данным спектроскопии фотоотражения
Л П.
,
Авакянц
,
Боков П.Ю.
, Казаков И.П.,
Червяков А.В.
в журнале
Вестник Московского университета
, издательство
Ред. журн.
(М.)
, том 3, № 32, с. 48-50
2000
Characterization of electrical and structural properties of ion-implanted GaAs by Raman scattering
Avakyants LP
,
Poliakov PA
, Gorelik VS
в журнале
Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
, издательство
SPIE
(Bellingham, WA, United States)
, том 4070, с. 438-443
DOI
2000
Raman scattering from phonon-plasmon modes in gallium arsenide implanted by silicon ions
Avakyants LP
,
Poliakov PA
, Gorelik VS
в журнале
Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
, издательство
SPIE
(Bellingham, WA, United States)
, том 4069, с. 11-16
DOI
2000
Комбинационное рассеяние и отражение света в сегнетоэлектрическом кристалле титаната свинца
Авакянц Л.П.
, Горелик В.С.,
Червяков А.В.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 64, № 6, с. 1173-1176
2000
Комбинационное рассеяние света в полярных фторорганических соединениях типа CnF2n+1Br
Авакянц Л.П.
, Горелик В.С., Злобина Л.И., Шартс О.Н.,
Червяков А.В.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 64, № 6, с. 1189-1193
1999
Исследование компенсации проводимости n-GaAs при имплантации ионами B методом фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
, Коршунов А.Б.,
Темпер Э.М.
,
Червяков А.В.
в журнале
Краткие сообщения по физике
, издательство
Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
(М.)
, № 2, с. 17-21
1999
Комбинационное рассеяние света на фонон-плазмонных модах в ионно-легированном арсениде галлия
Авакянц Л.П.
, В Горелик С.В.С,
Поляков П.А.
в журнале
Краткие сообщения по физике
, издательство
Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
(М.)
, № 3, с. 24-31
1997
Упорядочение структуры гидрогенизированных пленок кремния под влиянием непрерывного лазерного облучения
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
,
Курова И.А.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 39, № 12, с. 2152-2155
1994
ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
KUROVA I.A.
,
LUPACHEVA A.N.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
AVAKYANZ L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 1, с. 72-74
1994
Изучение зависимости энергии перехода Е1+*1 от состава Hg1-xMnxTe методом фотоотражения
Авакянц Л.П.
,
Велиюлин Э.И.
,
Мамедов А.А.
,
Червяков А.В.
в журнале
Вестник Московского университета
, издательство
Ред. журн.
(М.)
, том 33, № 4, с. 86-87
1994
Электрические свойства пленок a-Si:H(B), облученных мощными световыми импульсами
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 28, № 1, с. 120-124
1993
Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
,
Китов И.А.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 35, № 5, с. 1354-1362
1991
MEASUREMENT OF RAMAN POLARIZATION ANISOTROPY IN GYROTROPIC CRYSTALS
Avakyants L.P.
,
Gvozdkova I.A.
,
Naulik L.R.
,
Slobodyanyuk A.V.
в журнале
Journal of Applied Spectroscopy
, издательство
Springer-Verlag
(Heidelberg, Germany)
, том 54, с. 603-606
1989
Интенсивность рассеяния света мягкими оптической и акустической модами в области сегнетоэластического фазового перехода в BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Известия АН СССР. Серия физическая
, том 53, № 7, с. 110-112
1989
Исследование структуры и спектров комбинационного рассеяния пористого кремния
Авакянц Л.П.
,
Авдюхина В.М.
,
Кацнесон А.А.
,
Колесова Н.С.
в журнале
Поверхность. Физика, химия, механика
, № 5, с. 94-99
1989
Температурная зависимость компонент тензора спонтанной деформации полидоменного сегнетоэластика BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Известия АН СССР. Серия физическая
, том 53, № 7, с. 98-99
1988
Automated apparatus for combination scattering difference spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Kitov I.A.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Instruments and Experimental Techniques
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 31, № 2, с. 427-431
1988
Автоматизированная установка для разностной спектроскопии КРС
Авакянц Л.П.
,
Китов И.А.
,
Червяков А.В.
в журнале
Приборы и техника эксперимента
, издательство
ИКЦ «Академкнига»
(Москва)
, том 31, № 2, с. 145-148
1986
ANISOTROPY OF ACOUSTIC ANOMALIES AT PHASE-TRANSITION IN LEAD GERMANATE ON HYPERSOUND FREQUENCIES
AVAKYANTS LP
,
GLUSHKOVA TM
,
KISELEV DF
,
MOLODTSOV VV
в журнале
Fizika Tverdogo Tela
, том 28, № 3, с. 749-753
1985
Исследование сегнетоэластического фазового перехода в BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Кристаллография
, издательство
ФГУП Издательство «Наука»
(Москва)
, том 30, № 5, с. 1021-1023
1985
Температурная зависимость доменной структуры BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 27, № 1, с. 231-233
1984
Взаимодействие парамера порядка и деформации в сегнетоэластике BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Известия АН СССР. Серия физическая
, том 48, № 6, с. 1107-1110
1983
Температурная зависимость показателей преломления BiVO4
Авакянц Л.П.
,
Киселев Д.Ф.
,
Червяков А.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 25, № 9, с. 2782-2784
Статьи в сборниках
2007
Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
Yunovich A.E.
,
Avakyants L.
,
Badgutdinov M.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Shirokov S.
,
Vasileva E.
,
Feopentov A.
,
Snegov F.
,
Bauman D.
,
and Yavich B.
в сборнике
III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, Proc. 955E,
, издательство
Materials Research Society
(United States)
, с. 15-36
2004
Room temperature photoreflectance investigation of undoped and doped GaAs/AlGaAs quantum well structures
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Galiev G.B.
, Klimov E.A.
в сборнике
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
, с. 605-612
DOI
2004
НЕУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА ВБЛИЗИ ТОЧКИ СЕГНЕТОЭЛАСТИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КРИСТАЛЛЕ ВАНАДАТА ВИСМУТА
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
,
Свербиль А.В.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Препринт ФИАН
, место издания
Фиан Москва
, том 14, с. 2-128
1998
Комбинационное рассеяние света квазиодномерными фторорганическими молекулами CnF2n+1Br при различных длинах молекулярных цепочек. Сборник трудов Международной конференции
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
,
Злобина Л.И.
,
Шартс К.М.
,
Шартс О.Н.
,
Червяков А.В.
в сборнике
КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ-70 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ"
, место издания
Москва
, с. 129-132
1998
Комбинационное рассеяние света на фонон - плазмонных модах в арсениде галия, ионно-легированных кремнием
Авакянц Л.П.
,
Горелик В.С.
,
Поляков П.А.
в сборнике
Сборник трудов Международной конференции "КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ-70 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ
, место издания
Москва
, с. 44-52
Книги
2019
Введение в квантовую физику. Методика решения задач
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
издательство
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова
(Москва)
, ISBN 978-5-9905983-3-1, 400 с.
2019
Дифракция монохроматического излучения на периодических структурах. Лабораторный практикум по физике (оптика)
Митин И.В.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Асланян А.Э.
место издания
Отдел оперативной печати физического факультета МГУ Москва
, 14 с.
2017
Излучение света
Авакянц Л.П.
,
Косарева О.Г.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ Москва
, 25 с.
2017
Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
место издания
издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова Москва
, 22 с.
2017
Общий физический практикум (оптика), задача № 408 "Основы спектрального анализа"
Авакянц Л.П.
,
Баранов А.Н.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
издательство
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова
(Москва)
, 32 с.
2017
Общий физический практикум (оптика), задача № 409 "Дифракция Фраунгофера"
Авакянц Л.П.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
место издания
Изд. физического факультета МГУ
, 18 с.
2017
Электроны и дырки в полупроводниках
Авакянц Л.П.
,
Андреев П.А.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ Москва
, 32 с.
2016
Ансамбли невзаимодействующих квантовых частиц. Ферми-газ и Бозе-газ
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ Москва
, 29 с.
2016
Излучение абсолютно черного тела
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ Москва
, 18 с.
2016
Корпускулярные свойства излучения
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ Москва
, 24 с.
2016
Модели атома водорода
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ
, 32 с.
2016
Основные понятия квантовой механики
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 36 с.
2016
Спин. Электрон в магнитном поле
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 26 с.
2016
Уравнение Шредингера. Дискретный спектр
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 32 с.
2016
Уравнение Шредингера. Непрерывный спектр
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 39 с.
2016
Фононы. Теплоемкость кристаллов
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 20 с.
2016
Электроны в периодическом потенциале. Магноны
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 25 с.
2015
Волны де Бройля. Соотношение неопределенностей
Авакянц Л.П.
,
Колесников С.В.
,
Салецкий А.М.
место издания
ООП физического факультета МГУ физический факультет МГУ
, 20 с.
2012
Общий физический практикум (механика), задача №118 "Изучение свободных и вынужденных колебаний пружинного маятника"
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Салецкий А.М.
,
Слепков А.И.
,
Червяков А.В.
место издания
Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова
, 22 с.
2004
Общий физический практикум (молекулярная физика), задача 234 "Статистика фотоотсчетов ФЭУ"
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Пономарев А.С.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
место издания
Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова
, 20 с.
1997
Общий физический практикум (оптика), задача № 408 "Основы спектрального анализа"
Авакянц Л.П.
,
Баранов А.Н.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
место издания
Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова
, 25 с.
1997
Общий физический практикум (оптика), задача № 409 "Дифракция Фраунгофера"
Авакянц Л.П.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
место издания
Москва, издательский отдел физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова
, 16 с.
1986
Разработка семинаров по механическим колебаниям и волнам в упругой среде
Авакянц Л.П.
,
Шихлинская Р.Э.
,
Штыркова А.П.
издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, 76 с.
1984
Разработка семинаров по механике и теории относительности
Авакянц Л.П.
,
Шихлинская Р.Э.
,
Штыркова А.П.
издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, 148 с.
Доклады на конференциях
2023
Влияние встроенных пьезоэлектрических полей на спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
XXX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2023"
, Россия, 10-19 апреля 2023
2023
Спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
Ломоносовские чтения 2023
, Россия, 4-14 апреля 2023
2023
Влияние встроенных пьезоэлектрических полей на спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
V Всероссийская научно-практическая конференция "Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве"
, Рязань, Россия, 23-24 марта 2023
2023
Терагерцовая спектроскопия с временным разрешением (THz-TDs) светодиодных гетероструктур со МКЯ InxGa1-xN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 1-3 февраля 2023
2022
Параметры 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя КЯ/КБ InxGa1-xN/GaN по данным THz-TDS
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
XXIV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто – и наноэлектронике
, Санкт-Петербург, Россия, 29 ноября - 2 декабря 2022
2022
Эффективная масса, подвижность и время релаксации 2ДЭГ в трёх КЯ InGaN/GaN методом THz-TDs спектроскопии.
(Устный)
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Бурмистров Е.Р.
Ломоносовские чтения - 2022. Секция Физика.
, Москва, МГУ, физический факультет, Россия, 15-22 апреля 2022
2022
Эффективная масса, подвижность и время релаксации 2ДЭГ в пяти КЯ InxGa1-xN/GaN методом THz-TDs спектроскопии
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
XXIX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2022"
, МГУ имени М.В. Ломоносова, Россия, 11-22 апреля 2022
2021
Возбуждение плазмонных осцилляций в системе 2ДЭГ и оценка параметров 2Д электронной плазмы по данным спектров эмиссии ТГц излучения
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
64-я Всероссийская научная конференция МФТИ
, г. Москва, Россия, 23 ноября - 3 декабря 2021
2021
Метод THz-TDS в исследовании динамики двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
ХXIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
, Санкт-Петербург, Россия, 22-26 ноября 2021
2021
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ INGAN/GAN МЕТОДОМ ТЕРАГЕРЦОВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
"Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2021)
, Минск, Беларусь, 21-24 сентября 2021
2021
РЕАЛИЗАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОГО ОЖЕ – ПЕРЕХОДА ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ КОРПУСКУЛЯРНЫМИ ЗОНДАМИ
(Стендовый)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
25-я Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2021)"
, Ярославль, Россия, 23-27 августа 2021
2021
МЕТОДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА В ИССЛЕДОВАНИИ ПАРАМЕТРОВ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ INGAN/GAN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
Ломоносовские чтения - 2021. Секция физики
, МГУ имени М.В.Ломоносова, Россия, 21-28 апреля 2021
2021
Пьезоэлектрические поля в светодиодных гетероструктурах на основе квантовых ям InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
XXVIII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2021"
, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия, 12-23 апреля 2021
2021
ВЛИЯНИЕ ТАНГЕНЦИАЛЬНЫХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ИНТЕГРАЛЬНУЮ СВЕТИМОСТЬ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
III Всероссийская научно-практическая конференция «Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве»
, Россия, Рязань, Россия, 21-26 марта 2021
2021
Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в светодиодных гетероструктурах InGaN/GaN
(Устный)
Авторы:
Бурмистров Е.Р.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
X МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОНИКЕ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ОПТИКЕ
, НИЯУ МИФИ, Россия, 27-29 января 2021
2020
Photoreflectance spectroscopy of the mesoporous silicon structures
(Устный)
Авторы:
Svyakhovskiy S.E.
,
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Chervyakov A.V.
Saratov Fall Meeting 2020
, Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия, 28 сентября - 2 октября 2020
2019
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
(Устный)
Авторы:
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Мазалов А.В.
,
Курешов В.Р.
,
Сабитов Д.Р.
,
Мармалюк А.А.
,
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Россия, 15-16 мая 2019
2018
Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals
(Стендовый)
Авторы:
Свяховский С.Е.
,
Асланян А.Е.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Авакянц Л.П.
18th International Conference on Laser Optics "ICLO 2018" (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018 г.)
, г. Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018
2017
Electroreflectance study of built-in electric field distribution in GaN/InGaN multiple quantum wells
(Устный)
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
EMRS Fall Meeting 2017, Group III-Nitrides: fundamental research, optoelectronic devices and sensors
, Варшава, Польша, 18-22 сентября 2017
2017
Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
(Устный)
Авторы:
АВАКЯНЦ Л.П.
,
АСЛАНЯН А.Э.
,
БОКОВ П.Ю.
,
ВОЛКОВ В.В.
,
КОГАН Л.М.
,
ТУРКИН А.Н.
,
ЧЕРВЯКОВ А.В.
,
ЮНОВИЧ А.Э.
8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения"
, Москва, Россия, 24 мая 2017
2017
Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
(Стендовый)
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Юнович А.Э.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Коган Л.М.
11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы"
, Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
2017
Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра
(Устный)
Авторы:
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
,
Юнович А.Э.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Авакянц Л.П.
11 Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы"
, Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Россия, 1-3 февраля 2017
2016
Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов.
(Устный)
Авторы:
Боков П.Ю.,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
, Туркин А.Н., Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
,
Авакянц Л.П.
, Асланян А.Э.
7-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения"
, Россия, 25 мая 2016
2016
Особенности спектров электролюминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов.
(Устный)
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Юнович А.Э.
,
Коган Л.М.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Волков В.В.
7-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения"
, Россия, 25 мая 2016
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия.
(Устный)
Авторы:
Авакянц Л.П.
, Асланян А.Э., Боков П.Ю.,
Юнович А.Э.
,
Матешев И.С.
, Туркин А.Н., Червяков А.В.,
Волков В.В.
Ломоносовские чтения - 2016
, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия.
(Устный)
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
Ломоносовские чтения - 2016
, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
2015
Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes
(Стендовый)
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
,
Polozhentsev K.Y.
2nd International conference on enhances spectroscopies
, Мессина, Италия, 12-15 октября 2015
2015
Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Деев П.М.
,
Казаков И.П.
,
Базалевский М.А.
6-я Междунродная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники.
, Москва, Россия, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 20-21 мая 2015 г., Россия, 20-21 мая 2015
2015
Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
10-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы»
, Санкт-Петербург, Россия, 23-25 марта 2015
2014
Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectance
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Meahchankin A.V.
,
Zvonkov B.N.
17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014
2014
Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
Авторы:
Avakyants L.
,
Aslanyan A.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Polozhentsev K.
32 International Conference on Physics of Semiconductors
, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
Авторы:
Bokov P.
,
Avalyants L.
,
Chervyakov A.
,
Galiev G.
,
Klimov E.
,
Lyalin I.
,
Vasilevskii I.
32 International Conference on Physics of Semiconductors
, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
2014
Evaluation of the Internal Electric Field Inhomogeneities in Multiple InGaN/GaN Quantum Wells Structures Using Electroreflectance Spectroscopy
Авторы:
Avakyants L.
,
Aslanyan A.
,
Bokov P.
,
Charvyakov A.
,
Polozhentsev K.
International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2014
, Wroclaw, Poland, 24-29 August 2014, Польша, 2014
2013
Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Червяков А.В.
,
Положенцев К.Ю.
,
Боков П.Ю.
9-я Всероссийская конференция НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ
, Москва, физический факультет МГУ, Россия, 2013
2013
Задача общего физического практикума «Свободные и вынужденные колебания пружинного маятника»
Авторы:
Боков П.Ю.
,
Салецкий А.М.
,
Слепков А.И.
,
Червяков А.В.
,
Авакянц Л.П.
ФИЗИКА В СИСТЕМЕ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ (ФССО-2013)
, Петрозаводск, 3-7 июня 2013
2012
Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Polozhentsev K.
International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012
, Sapporo, Japan, Япония, 2012
2012
Fast Fourier Transform of the Frantz-Keldysh oscilla-tions from the In-GaAs/GaAs/AlGaAs structures with the nonun-form built-in electric field
Авторы:
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Kazakov I.P.
,
Trufanov E.A.
21th International Conference on Spectral Line Shapes,
, Saint Petersburg, June 3-9, 2012, 2012
Тезисы докладов
2019
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Мазалов А.В.
,
Курешов В.Р.
,
Сабитов Д.Р.
, Мармалюк А.А.
в сборнике
Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники
, серия
Сборник трудов
, место издания
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва
, тезисы, с. 196-197
2018
Photoreflectance Spectroscopy of Nonlinear Photonic Crystals
Свяховский С.Е.
,
Асланян А.Е.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Авакянц Л.П.
в сборнике
2018 International Conference Laser Optics (ICLO)
, серия
IEEE
, место издания
IEEE
, тезисы
2017
Особенности спектров электролюминесценции светодиодов в коротковолновой области спектра
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в сборнике
Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 88-89
2017
Спектры электролюминесценции и электроотражения светодиодных гетероструктур на основе нитрида галлия
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в сборнике
8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения". Сборник трудов
, место издания
НИЯУ "МИФИ" Москва
, тезисы, с. 144-145
2017
Спектры электроотражения светодиодных гетероструктур InGaN/GaN в синей области спектра 90
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в сборнике
Сборник тезисов докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2017)
, место издания
Москва
, тезисы, с. 90-91
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Матешев И.С.
,
Туркин А.Н.
, Червяков А.В.,
Юнович А.Э.
в сборнике
ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2016. СЕКЦИЯ ФИЗИКИ. Сборник тезисов докладов
, место издания
М., Физический факультет МГУ
, тезисы, с. 7-8
2016
Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Научная конференция «Ломоносовские Чтения», г., тез. докладов
Авакянц Л.П.
, Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Матешев И.С.
, Туркин А.Н.,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в сборнике
СБОРНИК ТЕЗИСОВ ДОКЛАДОВ "НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ "ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ", Секция физики
, место издания
Издательский отдел физического факультета МГУ Отделе оперативной печати физического факультета МГУ
, тезисы, с. 7-8
2016
Особенности спектров электро-люминесценции ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Волков В.В.
,
Коган Л.М.
,
Туркин А.Н.
,
Червяков А.В.
,
Юнович А.Э.
в сборнике
Мокеровские чтения. 7-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 25 мая 2016 года, Москва
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, тезисы, с. 129-130
2015
Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Y.
,
Chervyakov A.V.
,
Polozhentsev K.Y.
в сборнике
Сборник тезисов 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия
, место издания
Мессина, Италия
, тезисы
2015
Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015)
, место издания
Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург
, тезисы
2015
Спектры фотоотражения GaAs, выращенного при низких температурах на кремниевых подложках
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Базалевский М.А.
,
Деев П.М.
,
Казаков И.П.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник трудов 6-ой Междунродной Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники
, издательство
НИЯУ МИФИ
(Москва)
, тезисы
2014
Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectance
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Meahchankin A.V.
,
Zvonkov B.N.
в сборнике
Тезисы докладов 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014
, место издания
Ecole Polytechnique Lausanne Лозанна, Швейцария
, тезисы
2014
Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
Avakyants L.
,
Aslanyan A.
,
Bokov P.
,
Chervyakov A.
,
Polozhentsev K.
в сборнике
Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
, место издания
Остин, Техас, США
, тезисы
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
Bokov P.
,
Avalyants L.
,
Chervyakov A.
,
Galiev G.
,
Klimov E.
,
Lyalin I.
,
Vasilevskii I.
в сборнике
Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
, место издания
Остин, Техас, США
, тезисы
2013
Задача общего физического практикума «Свободные и вынужденные колебания пружинного маятника»
Боков П.Ю.
,
Салецкий А.М.
,
Слепков А.И.
,
Червяков А.В.
,
Авакянц Л.П.
в сборнике
Тезисы докладов конференции ФИЗИКА В СИСТЕМЕ СОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ (ФССО-2013), Петрозаводск, 3-7 июня 2013
, место издания
ПетрГУ Петрозаводск
, тезисы
2013
Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник тезисов докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2013)
, место издания
МГУ Москва
, тезисы
2013
Линейный электрооптический эффект в светодиодной гетероструктуре GaN/InGaN/AlGaN
Авакянц Л.П.
, Асланян А.Э.,
Боков П.Ю.
,
Положенцев К.Ю.
, Червяков А.В.
в сборнике
Сборник тезисов докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2013)
, место издания
МГУ Москва
, тезисы
2012
Electrooptical effect in electroreflectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
Авакянц Л.П.
,
Aslanyan A.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Polozhentsev K.
в сборнике
Тезисы докладов International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012
, место издания
Саппоро, Япония
, тезисы
2012
Fast Fourier Transform of the Frantz-Keldysh oscilla-tions from the In-GaAs/GaAs/AlGaAs structures with the nonun-form built-in electric field
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
,
Kazakov I.P.
,
Trufanov E.A.
в сборнике
Тезисы докладов 21th International Conference on Spectral Line Shapes,, Saint Petersburg, June 3-9, 2012, 2012
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы
2011
Photoreflectance study of carriers drift and diffusion in the different thickness InGaAs quantum well
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Glazyrin E.V.
,
Kazakov I.P.
в сборнике
Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia, р. 169
, место издания
Санкт-Петербург
, тезисы, с. 169-169
2010
Динамика носителей в клиновидной квантовой яме InGaAs при локальном фотовозбуждении
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Казаков И.П.
,
Глазырин Е.В.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения – 2010», секция «Физика»
, серия
СЕКЦИЯ ФИЗИКИ
, место издания
М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Москва Москва
, тезисы, с. 79-81
2010
Интерференционные эф-фекты в спектрах элек-троотражения гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
Авакянц Л.П.
,
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
в сборнике
Сборник тезисов 7 Всероссийской кон-ференции «Нитриды галлия, индия и алюминия, структу-ры и приборы-2010», Москва, 01-03 фев-раля 2010 г., Санкт-Петебрург, стр. 131-132
, место издания
ФТИ РАН Санкт-Петербург
, тезисы, с. 131-132
2009
Frequency dependent photoreflectance from p-i-n GaAs structures
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Kolmakova T.P.
в сборнике
Abstracts of 16th international conference Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures. Montpellier, France, 24-28 of August 2009, p. 154
, место издания
Монпелье, Франция
, тезисы, с. 154-154
1995
Компьютерная экспериментальная физическая лаборатория на базе локальной сети ЭВМ «Поиск»
Авакянц Л.П.
,
Китов И.А.
,
Митин И.В.
,
Салецкий А.М.
,
Червяков А.В.
в сборнике
«Физика в системе современного образования» ФССО-95. Тезисы докладов международной конференции 26-30 июня 1995 года. Петрозаводск, 1995
, место издания
Петрозаводск
, тезисы, с. 35-36
НИРы
1 декабря 2014 - 31 декабря 2015
Время жизни фотовозбужденных носителей и фазочувствительный анализ спектров фотоотражения
Физический факультет
Руководитель:
Боков П.Ю.
Участники НИР:
Авакянц Л.П.
,
Асланян А.Э.
,
Лялин И.И.
,
Мещанкин А.В.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
1 января 2013 - 31 декабря 2014
Исследование встроенных пьезоэлектрических полей в квантовых структурах на основе соединений А3N методами модуляционной спектроскопии
Физический факультет
Руководитель:
Авакянц Л.П.
Участники НИР:
Асланян А.Э.
,
Боков П.Ю.
,
Лялин И.И.
,
Положенцев К.Ю.
,
Червяков А.В.
1 января 2006 - 31 декабря 2025
Исследование межмолекулярных взаимодействий в конденсированных средах спектрально-люминесцентными методами
Физический факультет
Руководитель:
Салецкий А.М.
Участники НИР:
Авакянц Л.П.
,
Балуян Т.Г.
,
Баранов А.Н.
,
Букато И.В.
,
Букато И.В.
,
Буравцова В.Е.
,
Викторова О.И.
,
Викторова О.И.
,
Власова И.М.
,
Глушкова Т.М.
,
Гордеева Ю.А.
,
Грачев А.В.
,
Каминская Т.П.
,
Манькова А.А.
,
Пацаева С.В.
,
Погожев В.А.
,
Поляков П.А.
,
Помозов А.Р.
,
Попов В.В.
,
Потапенков К.В.
,
Русакова Н.Е.
,
Соколовская Ю.Г.
,
Усманов Н.Н.
,
Усманов Н.Н.
,
Харчева А.В.
,
Шелякин Л.Б.
1 января 2006 - 31 декабря 2020
Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Физический факультет
Руководитель:
Авакянц Л.П.
Ответственный исполнитель:
Боков П.Ю.
Участники НИР:
Боков П.Ю.
,
Червяков А.В.
Патенты
1985
Устройство компенсации нелинейности и механического гистерезиса пьезоэлементов
Авторы:
Авакянц Л.П.
, Кудряшов И.А.,
Шмальгаузен В.И.
#1358739, 18 июля
Руководство диссертациями
2019
Модуляционная спектроскопия светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Асланян Артём Эдуардович
, МГУ имени М.В. Ломоносова
Научный руководитель:
Авакянц Лев Павлович
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
МГУ.013.6(01.08)
МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
Организация, в которой выполнялась работа:
МГУ имени М.В. Ломоносова
Оппоненты:
Образцова Елена Дмитриевна
,
Горелик Владимир Семёнович
,
Снигирёв Олег Васильевич
2005
Спектроскопия фотоотражения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия и фосфида индия
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Боков Павел Юрьевич
, к.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Д 501.001.45
при МГУ имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
1994
ОСОБЕННОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СОЕДИНЕНИЯХ n-GаАs И n-InGaAs
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Китов Иван Алексеевич
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Д 501.001.45
при НИИЯФ МГУ
Организация, в которой выполнялась работа:
Физический факультет
1991
Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Гвоздкова Ирина Александровна
, к.ф.-м.н., доц.
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
К.053.05.17
при Физический факультет МГУ
1991
Размерные и плазменные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния полупроводников с тэтраэдрической координацией
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Ефимов Алексей Дмитриевич
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
К.053.05.07
при МГУ им.Ломоносова
1990
Комбинационное рассеяние света в структурно-разупорядоченном кремнии
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Образцова Е.Д.
, к.ф.-м.н., доц.
Научный руководитель:
Авакянц Лев Павлович
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
К.053.05.07
при МГУ им.Ломоносова
1989
Динамика решетки и упругооптические свойства сегнетоэластического кристалла ВiVО4
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Червяков А.В.
, к.ф.-м.н.
Научные руководители:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова,
Киселев Дмитрий Федорович
Защищена в совете
К.053.05.17
при Физический факультет МГУ
Диссертации
2010
Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия
Докторская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Авакянц Л.П.
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
д.501.001.45
при НИИЯФ МГУ
1978
Влияние дальнодействующих диполь-дипольных сил на акустические и акустооптические свойства одноосных сегнетоэлектрических кристаллов
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.05 - Оптика (физ.-мат. науки)
Автор:
Авакянц Лев Павлович
, д.ф.-м.н., доц., МГУ имени М.В. Ломоносова
Научные руководители:
Матвеев Алексей Николаевич
,
Киселев Дмитрий Федорович
Защищена в совете
К.053.05.17
при Физический факультет МГУ
Руководство дипломными работами
2003
Исследование электронных переходов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
Автор: Боков П.Ю., (Специалист)
2003
Исследование электронных переходов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
Научные руководители:
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
Автор: Боков П.Ю. (Специалист)
2001
Синтез и исследование механических свойств одностенных углеродных нанотрубок
Научные руководители:
Авакянц Л.П.
,
Образцова Е.Д.
Автор: Осадчий А.В., (Специалист)
2001
Особенности взаимодействия связанных мод в соединениях InGaAs
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
Автор: Пономарев А.С. (Специалист)
2001
Исследование полупроводниковых структур на основе GaAs
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
Автор: Желтяков П.А. (Специалист)
1993
Комбинационное рассеяние света в гетерофазном кремнии
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
Автор: Сединкин Е.Г. (Специалист)
1989
Автоматизированная установка для разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света на базе ЭВМ "Электроника-60"
Научный руководитель:
Авакянц Л.П.
Автор: Китов И.А., (Специалист)
Авторство учебных курсов
2919
Атомная физика
Автор:
Авакяц Л.П.
2023
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
2023
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакяц Лев Павлович
2022
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
2021
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
дистанционный курс
2021
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
2021
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
дистанционный курс
2020
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
дистанционный курс
2020
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
2020
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
2019
Оптическая спектроскопия полупроводниковых гетероструктур
Автор:
Авакяц Л.П.
2019
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
2017
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакяц Л.П.
2016
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
2013
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
2013
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
2011
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Лев Павлович
2010
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
Автор:
Авакянц Л.П.
2010
Введение в квантовую физику
Автор:
Авакянц Л.П.
1921
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
дистанционный курс
1913
Атомная физика
Автор:
Авакянц Л.П.
Преподавание учебных курсов
7 февраля 2023 - 22 мая 2023
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
1 сентября 2022 - 30 декабря 2022
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
1 сентября 2022 - 30 декабря 2022
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
1 сентября 2021 - 31 декабря 2021
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
1 сентября 2021 - 31 декабря 2021
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
1 сентября 2021 - 31 декабря 2021
Оптическая спектроскопия полупроводниковых гетероструктур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2021 - 31 декабря 2021
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2021 - 30 декабря 2021
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
1 сентября 2021 - 30 декабря 2021
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
8 февраля 2021 - 31 мая 2021
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 72 часов
7 февраля 2021 - 15 мая 2021
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
1 сентября 2020 - 31 декабря 2020
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
1 сентября 2020 - 31 декабря 2020
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 36 часов
1 сентября 2020 - 31 декабря 2020
Оптическая спектроскопия полупроводниковых гетероструктур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2020 - 31 декабря 2020
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
7 февраля 2020 - 15 мая 2020
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
7 февраля 2020 - 15 мая 2020
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 68 часов
1 сентября 2019 - 31 декабря 2019
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 36 часов
1 сентября 2019 - 31 декабря 2019
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
1 сентября 2019 - 31 декабря 2019
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 72 часов
7 февраля 2019 - 15 мая 2019
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 68 часов
7 февраля 2019 - 15 мая 2019
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
7 февраля 2018 - 15 мая 2018
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 68 часов
7 февраля 2018 - 15 мая 2018
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
1 сентября 2017 - 31 декабря 2017
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 72 часов
1 сентября 2017 - 14 декабря 2017
Электромагнетизм
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лабораторные занятия, 90 часов
7 февраля 2017 - 15 мая 2017
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 34 часов
7 февраля 2017 - 15 мая 2017
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 34 часов
1 сентября 2016 - 31 декабря 2016
Атомная физика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов
1 сентября 2016 - 31 декабря 2016
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 72 часов
8 февраля 2016 - 23 мая 2016
Оптика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, лабораторные занятия, 85 часов
7 февраля 2016 - 15 мая 2016
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, семинары, 34 часов
1 сентября 2012 - 31 декабря 2012
Электромагнетизм
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, практические занятия, 90 часов
6 февраля 2012 - 31 мая 2012
Оптика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, практические занятия, 85 часов
7 февраля 2011 - 23 мая 2011
Оптика
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение экспериментальной и теоретической физики
,
Кафедра общей физики
обязательная, базовой части, практические занятия, 85 часов
8 февраля 2010 - 31 декабря 2012
Оптическая спектроскопия низкоразмерных структур
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, по выбору (спецкурс), лекции, 68 часов
8 февраля 2010 - 29 декабря 2011
Введение в квантовую физику
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
обязательная, базовой части, лекции, 36 часов