Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Мелешко Н.В.
Соавторы:
Курова И.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Звягин И.П.
,
Лупачева А.Н.
,
Авакянц Л.П.
,
Ларина Э.В.
,
Громадин А.Л.
,
Коробов О.Е.
,
Хлебникова О.П.
13 статей
,
5 докладов на конференциях
,
4 тезисов докладов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 2
IstinaResearcherID (IRID): 1349271
Деятельность
Статьи в журналах
1996
Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ларина Э.В.
,
Хлебникова О.П.
,
Громадин А.Л.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 30, № 1, с. 12-16
1994
ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
KUROVA I.A.
,
LUPACHEVA A.N.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
AVAKYANZ L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 1, с. 72-74
1994
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок n-Si:H
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Ларина Э.В.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 28, № 5, с. 1092-1092
1994
Электрические свойства пленок a-Si:H(B), облученных мощными световыми импульсами
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Авакянц Л.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 28, № 1, с. 120-124
1991
THE INFLUENCE OF PRE-ILLUMINATION ON THE PROCESS OF PHOTOINDUCED DANGLING BOND FORMATION IN A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1991
Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 32, № 1, с. 97-100
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10 , с. 1078-1080
1990
MECHANISMS OF FORMATION OF PHOTOINDUCED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H FILMS
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 10, с. 1078-1080
1990
SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-H
ZVYAGIN I.P.
,
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 24, № 11, с. 1238-1240
1990
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 24, № 11, с. 1992-1994
1990
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 24, № 10, с. 1726-1731
1989
KINETICS OF THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN UNDOPED A-SI-H FILMS
KUROVA I.A.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
LUPACHEVA A.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 23, № 11, с. 1255-1257
1989
Кинетика эффекта Стеблера-Вронского в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 23, № 11, с. 2030-2033
Доклады на конференциях
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновес-ными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Авторы:
Звягин И.П.
,
Ормонт Н.Н.
,
Мелешко Н.В.
,
Курова И.А.
XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников.
, г. Киев, 1990
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Мелешко Н.В.
Совещание-семинар “Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике.
, г. Одесса, 1989
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Лупачева А.Н.
,
Ормонт Н.Н.
Совещание-семинар “Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике.
, г. Одесса, 1989
1988
Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
Авторы:
Мелешко Н.В.
,
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Дроздов А.Ю.
,
Коробов О.Е.
,
Ормонт Н.Н.
Всесоюзное совещание “Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве”
, г. Геленджик, 1988
1969
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Авторы:
Курова И.А.
,
Лупачева А.Н.
,
Ормонт Н.Н.
,
Мелешко Н.В.
Совещание - семинар "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике"
, 1969
Тезисы докладов
1990
О механизмах изменений энергетического спектра, индуцированных неравновесными носителями заряда, в неупорядоченных полупроводниках
Звягин И.П.
,
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
в сборнике
Тез. докл. XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников
, место издания
Киев "Наукова думка" г. Киев
, тезисы, с. 148-148
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в сборнике
Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
, место издания
г. Одесса
, тезисы, с. 64-64
1989
Образование и отжиг метастабильных фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
,
Лупачева А.Н.
в сборнике
Тезисы докл. Совещания-семинара “Аморф-ные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике
, место издания
г. Одесса
, тезисы, с. 64
1988
Эффект Стеблера-Вронского в нелегированных, легированных и компансированных пленках a-Si:H
Курова И.А.
,
Мелешко Н.В.
,
Ормонт Н.Н.
, Дроздов Ю.А.,
Коробов О.Е.
,
Лупачева А.
в сборнике
Тезсы докладов Всесоюзного совещания “Перспективы развития Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии ”
, место издания
г .Геленджик
, тезисы, с. 75-76