ИСТИНА

Климов Е.А.

Соавторы: Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А., Khabibullin R.A., Глазков В.П., Лунин Р.А., Galiev G.B., Klochkov A., Oveshnikov L.N., Авакянц Л.П., Боков П.Ю. показать полностью..., Васильев А.Л., Имамов Р.М., Клочков А., Ковальчук М.В., Роддатис В.В., Сорокоумова А.В., Субботин И.А., Червяков А.В.

6 статей, 2 доклада на конференциях, 1 тезисы доклада

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 42, Scopus: 50

IstinaResearcherID (IRID): 4651419

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2013 Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
    • Khabibullin RA, Galiev GB, Klimov EA, Ponomarev DS, Vasil'evskii IS, Kulbachinskii VA, Bokov PY, AVAKYANTS L., Chervyakov AV
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208 DOI
  • 
    • 2013 Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 7, с. 935-942 DOI
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • • 2011 Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
    • Васильев А.Л., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Климов Е.А., Ковальчук М.В., Пономарев Д.С., Роддатис В.В., Субботин И.А.
    • в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 56, № 2, с. 324-335

• Доклады на конференциях

  • • 2018 Generation of THz radiation in the photoconductive antennas based on epitaxial InGaAs films on GaAs substrates of various crystallographic orientations (Стендовый)
    • Авторы: Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.H., Maltsev P.P., Klochkov A.N., Leontyev A.A., Pushkarev S.S., Klimov E.А.
    • 18th International Conference on Laser Optics "ICLO 2018" (Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018 г.), г. Санкт-Петербург, Россия, 4-8 июня 2018
  • • 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
    • Авторы: Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б., Юзеева Н.А., Климов Е.А.
    • XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014

• Тезисы докладов

  • • 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
    • Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XXXVII Совещание по физике низких температур, место издания Издательство Казанского университета Казань, тезисы, с. 219