Yavich B.
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 9,
Scopus: 8
IstinaResearcherID (IRID): 438805
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2010
Interference effects in the electroreflectance and electroluminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting-diode heterostructures
-
Avakyants L.P.,
Bokov P.Y.,
Chervyakov A.V.,
Chuyas A.V.,
Yunovich A.E.,
Vasileva E.D.,
Bauman D.A.,
Uelin V.V.,
Yavich B.S.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 44, № 8, с. 1090-1095
DOI
-
-
-
-
2008
A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experiments
-
Bokov P.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Yunovich A.,
Vasileva E.,
Snegov F.,
Bauman D.,
Yavich B.
-
в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 1040, с. 184-189
-
-
2006
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
-
Yunovich A.E.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Bokov P.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Vasileva E.,
Feopentov A.,
Snegov F.,
Bauman D.,
Yavich B.
-
в журнале Materials Research Society Symposium Proceedings, том 955, с. 210-212
-
Статьи в сборниках
-
-
2007
Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
-
Yunovich A.E.,
Avakyants L.,
Badgutdinov M.,
Bokov P.,
Chervyakov A.,
Shirokov S.,
Vasileva E.,
Feopentov A.,
Snegov F.,
Bauman D.,
and Yavich B.
-
в сборнике III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices, Proc. 955E,, издательство Materials Research Society (United States), с. 15-36