Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Никифоров Владимир Николаевич
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>
1979
EDGE LUMINESCENCE OF ZNTE CRYSTALS EXCITED BY ELECTRON-BOMBARDMENT
Andronik I.K.
,
Vavilov V.S.
,
Zastavnevskii M.V.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1145-1147
1979
EFFECTS OF PULSED IRRADIATION WITH SUBTHRESHOLD-ENERGY ELECTRONS ON ELECTRICAL-PROPERTIES OF INDIUM-ANTIMONIDE FILMS
Vavilov V.S.
,
Ok A.M.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 4, с. 483-484
1979
ELECTRICAL-PROPERTIES OF THE SURFACE OF GERMANIUM IN CONTACT WITH TRANSITION-METAL OXIDES FORMED BY THE MOLECULAR DEPOSITION METHOD
ALESKOVSKII VB; DROZD VE; KISELEV VF
,
PLOTNIKOV GS
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 7, с. 817-819
1979
Effect of magnetic-fields on current-voltage characteristics of planar silicon magnetodiodes at low-temperatures
Karakushan E.I.
,
Ponomarev Y.G.
,
Stafeev V.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 2, с. 171-172
1979
Electroluminescence of p-n-junctions in GaSb doped with amphoteric Sn impurities
Lebedev A.I.
,
Strelnikova I.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1186-1187
1979
MODIFICATIONS IN THE ENERGY-SPECTRA OF IN-DOPED PB1-XSNXTE ALLOYS DUE TO CHANGES IN COMPOSITION AND APPLICATION OF PRESSURE
AKIMOV BA
,
RYABOVA LI
, YATSENKO OB,
CHUDINOV SM
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 4, с. 441-445
1979
Nature of the effective radiative recombination centers in GaSb and its solid solutions
Lebedev A.I.
, Strelnikova I.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 2, с. 229-230
1979
OPTICAL AND PHOTO-ELECTRIC PROPERTIES OF SIC-SI STRUCTURES FORMED BY IMPLANTATION OF CARBON-IONS IN SILICON
AKIMCHENKO IP
,
KAZDAEV KR
,
KAMENSKIKH IA
,
KRASNOPEVTSEV VV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 2, с. 219-221
1979
PHOTO-IONIZATION OF DONORS IN UNIAXIALLY COMPRESSED GERMANIUM
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 8, с. 939-941
1979
SEMICONDUCTOR-METAL-SEMICONDUCTOR TRANSITIONS IN PB1-XSNXTE-IN ALLOYS UNDER PRESSURE
AKIMOV BA
,
ZLOMANOV VP
,
RYABOVA LI
,
CHUDINOV SM
, YATSENKO OB
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 7, с. 759-763
1979
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE ABSORPTION OF SUBMILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED GERMANIUM
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, PLESKACHEVA T.B., SAPTSIN V.M., TSIKUNOV A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1122-1124
1978
CARRIER-DENSITY DEPENDENCE OF THE CYCLOTRON MASS IN PBSE AND PB1-XSNXSE ALLOYS
BRANDT NB
,
PONOMAREV YG
,
SKIPETROV EP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 11, с. 1325-1328
1978
CATHODOLUMINESCENCE OF ZINC DIPHOSPHIDE CRYSTALS
Gorban I.S.
,
Tkachenko A.K.
,
Tychina I.I.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 9, с. 1066-1068
1978
INVESTIGATION OF CATHODOLUMINESCENCE SPECTRA OF MONOCLINIC ZNP2
Lazarev V.B.
,
Vavilov V.S.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 4, с. 392-394
1978
PHOTOCONDUCTIVITY OF PB1-XSNXTE SINGLE-CRYSTALS GROWN FROM VAPOR
VISHNYAKOV EM,
ZLOMANOV VP
, YATSENKO OB
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 6, с. 721-722
1978
RADIATIVE RECOMBINATION AT ISOELECTRONIC CENTERS IN IN1-XGAXP AND GA1-YAIYP SOLID-SOLUTIONS
Vavilov V.S.
,
Yermakov O.N.
,
Sushkov V.P.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 9, с. 998-1001
1978
RADIATIVE RECOMBINATION AT ISOELECTRONIC CENTERS IN IN1-XGAXP AND GA1-YAIYP SOLID-SOLUTIONS
Vavilov V.S.
,
Yermakov O.N.
,
Sushkov V.P.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 9, с. 998-1001
1978
RADIATIVE TRANSITIONS IN LN1-XGAXP1-ZASZ SOLID-SOLUTIONS
Yermakov O.N.
,
Ignatkina R.S.
,
Sushkov V.P.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 4, с. 395-397
1978
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER OF DISORDERED SEMICONDUCTORS
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 5, с. 606-607
1978
VISIBLE CATHODOLUMINESCENCE OF (GAAS)X(ZNSE)1-X SOLID-SOLUTIONS
Voitsekhovskii A.V.
,
Vyalyi N.G.
,
Drozhzhov Y.P.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 12, № 12, с. 1431-1433
1977
ANISOTROPY OF ABSORPTION OF SUBMILLIMETER AND MILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED N-TYPE GERMANIUM SUBJECTED TO UNIAXIAL COMPRESSION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M., RADCHENKO V.E.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 6, с. 703-704
1977
Influence of temperature on luminescence spectra of GaSb
Lebedev A.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 11, с. 1243-1246
1977
Investigation of photoluminescence of ternary Ga1-xInxSb solid solutions
Lebedev A.I.
,
Strelnikova I.A.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 11, с. 1246-1249
1977
LUMINESCENCE EMITTED FROM IN1-XGAXP(0.6 LESS-THAN-OR-EQUAL-TO X LESS-THAN-OR-EQUAL-TO 0.7) FILMS FORMED BY LIQUID EPITAXY ON GAAS1-YPY SUBSTRATES
Yermakov O.N.
, Ignatkina R.S.,
Sushkov V.P.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 6, с. 651-654
1977
PRESSURE-INDUCED TRANSITION TO GAPLESS STATE IN IN-DOPED PB1-XSNXTE ALLOY
AKIMOV BA
,
VADKHVA RS
,
ZLOMANOV VP
,
RYABOVA LI
,
CHUDINOV SM
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 6, с. 637-640
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>