Electroluminescence of p-n-junctions in GaSb doped with amphoteric Sn impuritiesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Lebedev A. I., Strelnikova I. A. Electroluminescence of p-n-junctions in gasb doped with amphoteric sn impurities // Soviet Physics Semiconductors-Ussr. — 1979. — Vol. 13, no. 10. — P. 1186–1187. Созданы p-n-переходы из антимонида галлия, легированные одной амфотерной примесью Sn, и исследована их электролюминесценция (ЭЛ). Проведено сравнение спектров ЭЛ и фотолюминесценции и оценен вклад p- и n-областей в ЭЛ p-n-переходов. ЭЛ возникает преимущественно в n-области диодов при рекомбинации на комплексах типа V_{Ga}Ga_{Sb}D, где D = Te_{Sb} или Sn_{Ga}. Интенсивность люминесценции n-GaSb:Sn и n-GaSb:Te оказывается одного порядка, что позволяет предложить использовать Sn в качестве легирующей примеси для создания светодиодов на основе GaSb.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть