|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
PRESSURE-INDUCED TRANSITION TO GAPLESS STATE IN IN-DOPED PB1-XSNXTE ALLOYстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: AKIMOV BA, VADKHVA RS, ZLOMANOV VP, RYABOVA LI, CHUDINOV SM
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 11
- Номер: 6
- Год издания: 1977
- Первая страница: 637
- Последняя страница: 640
- Добавил в систему: Рябова Людмила Ивановна