Investigation of photoluminescence of ternary Ga1-xInxSb solid solutionsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Lebedev A. I., Strelnikova I. A., Yunovich A. E. Investigation of photoluminescence of ternary ga1-xinxsb solid solutions // Soviet Physics Semiconductors-Ussr. — 1977. — Vol. 11, no. 11. — P. 1246–1249. Исследованы спектры фотолюминесценции Ga1-xInxSb в зависимости от состава, легирования (Zn, Te) и температуры (65–320 K). В материале p-типа наблюдались линия краевого излучения и линии рекомбинации электронов на двух акцепторах. Энергия ионизации более мелкого акцептора изменялась в пределах 22–30 мэВ при 0 <= x <= 0.12. Энергия ионизации более глубокого акцептора составляла 65 мэВ и почти не зависела от x. В материале n-типа излучательная рекомбинация идет через глубокий акцептор 65 мэВ. Получено вынужденное излучение при 77 K для x∼0.8 в спектральной области 4.4 мкм.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть