ИСТИНА

Юзеева Н.А.

Соавторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Klimov E.A., Galiev G.B., Овешников Л.Н., Пономарев Д.С., Oveshnikov L.N., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Khabibullin R.A. показать полностью..., Кытин В.Г., Klochkov A., Maltsev P.P., Климов Е.А., Сорокоумова А.В., Тарасов П.М., Хабибуллин Р.А., Tarasov P.M., Гладков В.П., Глазков В.П., Климов Е.А., Мальцев П.П., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Losev G.D., Каргин Н.И., Кванин А.Л., Клочков А., Пушкин М.А., Стриханов М.Н.

23 статьи, 1 книга, 12 докладов на конференциях, 21 тезисы докладов, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 84, Scopus: 123

IstinaResearcherID (IRID): 532494

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2016 Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content
    • Yuzeeva N.A., Sorokoumova A.V., Lunin R.A., Oveshnikov L.N., Galiev G.B., Klimov E.A., Lavruchin D.V., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Journal of Low Temperature Physics, издательство Springer Verlag (Germany), том 185, с. 701-706 DOI
  • 
    • 2015 Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 2, с. 199-208 DOI
  • • 2015 Experimental determination of the subband electron effective mass in InGaAs/InAlAs HEMT - structures by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures
    • Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
    • в журнале Physics procedia, издательство Elsevier (United States), том 72, с. 425-430 DOI
  • 
    • 2015 Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 7, с. 921-929 DOI
  • • 2015 Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах n0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24 As/In0.70Al0.30As на подложках GaAs
    • Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 7, с. 942-950
  • • 2015 Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
    • Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 49, № 2, с. 204-213
  • 
    • 2014 Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 568, с. 052013-1-052013-5 DOI
  • 
    • 2013 Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 116, № 5, с. 755-759 DOI
  • 
    • 2013 Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в журнале Acta Physica Polonica A, издательство Polska Akademia Nauk (Poland), том 123, № 2, с. 345-348 DOI
  • 
    • 2013 Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 7, с. 935-942 DOI
  • 
    • 2013 Влияние вставок арсенида индия на подвижности двумерных электронов в квантовых ямах индий-галлий-мышьяк, выращенных на подложках фосфида индия
    • Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Овешников Л.Н.
    • в журнале Фундаментальные исследования, издательство Акад. естествознания (Пенза), том 4, № 4, с. 853-857
  • • 2013 Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 47, № 7, с. 927-934
  • • 2013 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53 Ga0.47 As на InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
    • в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 143, № 5, с. 872-876
  • 
    • 2012 Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Khabibullin R.A., Ponomarev D.S.
    • в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
  • 
    • 2012 Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
    • Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490 DOI
  • • 2012 Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
    • Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Каргин Н.И., Стриханов М.Н.
    • в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
  • • 2012 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
  • 
    • 2011 Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
    • Khabibullin R.A., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Gladkov V.P., Kulbachinskii V.A., Klochkov A.N., Uzeeva N.A.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
  • • 2011 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
  • 
    • 2010 Anomalous increase of the thermopower and thermoelectric figure of merit in Ga-doped p-(Bi0.5Sb0.5)(2)Te-3 single crystals
    • Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Tarasov P.M., Yuzeeva N.A.
    • в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 52, № 9, с. 1830-1835 DOI
  • • 2010 Аномальное увеличение термоэдс и термоэлектрической эффективности в легированных Ga монокристаллах р-(Bi0.5Sb0.5)2Te3
    • Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Тарасов П.М., Юзеева Н.А.
    • в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 52, № 9, с. 1707-1711

• Статьи в сборниках

  • • 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
    • в сборнике Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, St. Petersburg, место издания A.I. Ioffe Institute Saint Petersburg, с. 39-40
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200

• Книги

  • • 2012 Advances in NANODEVICES AND NANOFABRICATION
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • место издания Pan Stanford Publishing Pte. Ltd Singapore Singapore, ISBN 978-981-4364-54-6, 10 с.

• Доклады на конференциях

  • • 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале (Устный)
    • Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Лунин Р.А.
    • XII Российская конференция по физике полупроводников, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
  • • 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In (Стендовый)
    • Авторы: Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Овешников Л.Н.
    • XXXVII Совещание по физике низких температур, Казань, Россия, 29 июня - 3 июля 2015
  • • 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., and Maltsev P.P.
    • 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Saint Petersburg, June23-27, 2014
  • • 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Klimov E.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Lunin R.A.
    • 27th International Conference on Low Temperature Physics, Argentina, Buenos Aires, Аргентина, 2014
  • • 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
    • Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Галиев Г.Б.
    • 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Москва, НИЯУ-МИФИ, Россия, 2014
  • • 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
    • Авторы: Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Галиев Г.Б., Юзеева Н.А., Климов Е.А.
    • XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
  • • 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
    • Авторы: Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Пушкарев С.С.
    • XII Курчатовская молодежная научная школа, Москва, Россия, Россия, 28-31 октября 2014
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP (Устный)
    • Авторы: Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013, Москва, Россия, 1-6 февраля 2013
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Lunin R.A.
    • International Conference on Nanoscience and Technology, Paris, 2012
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой (Устный)
    • Авторы: Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Юзеева Н.А., Климов Е.А., КульбачинскийВ А., Галиев Г.Б.
    • Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Авторы: Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • 36-е Совещание по физике низких температур, Санкт-Петербург, Россия, Россия, 2012
  • • 2012 The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
    • Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Klimov E.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Yuzeeva N.A.
    • 20th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” NNovgorod, Нижний Новгород, Россия, 26 июня - 1 июля 2012

• Тезисы докладов

  • • 2015 Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале
    • Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С.
    • в сборнике Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015», место издания Ершово, тезисы, с. 262
  • • 2015 Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
    • Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XXXVII Совещание по физике низких температур, место издания Издательство Казанского университета Казань, тезисы, с. 219
  • 
    • 2014 SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATE
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A.
    • в сборнике 27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book, место издания Buenos Aires, Argentina, тезисы, с. 38-38
  • • 2014 Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
    • Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов, тезисы, с. 52-53
  • • 2014 Определение эффективных масс электронов по эффекту Шубникова – де Гааза в HEMT-структурах с квантовой ямой InGaAs с разным содержанием In
    • Юзеева Н.А., Сорокоумова А.В., Лунин Р.А., Овешников Л.Н., Климов Е.А., Галиев Г.Б., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 87-87
  • • 2014 Особенности транспорта в метаморфных HEMT-структурах на подложках GaAs
    • Овешников Л.Н., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике XII Курчатовская молодежная научная школа, место издания НИЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 79-79
  • • 2013 Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
    • Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Васильевский И.С.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
    • редакторы Богданович Б.Ю., Голотюк Олег Николаевич, Диденко Андрей Николаевич, Стриханов М.Н.
  • • 2012 Electron mobility Enchancement by Illumination in Isomorphic Quantum well InGaAs on InP Substrate
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Book of abstracts of International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T 2012), место издания Paris, France, тезисы, с. 73
  • • 2012 Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
    • Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
    • редактор Голотюк Олег Николаевич
  • • 2012 Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
    • Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А.
    • в сборнике Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург, место издания С. Петербург, тезисы, с. 184-185
  • • 2011 Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
    • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication, место издания Singapore, тезисы, с. 68
  • • 2011 Подвижности электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP
    • Овешников Л.Н., Юзеева Н.А., Лунин Р.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 122
  • • 2011 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
    • Васильевский И.С., Пономарев Д.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
  • • 2011 Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Пономарев Д.С., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
  • • 2010 Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Kulbachinskii V.A., Yuzeeva N.A., Lunin R.A., Klochkov A.N., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
    • в сборнике Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts, место издания Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, тезисы, с. 52-55
  • • 2010 Взаимосвязь морфологии поверхности, электрофизических свойств и конструкции эпитаксиальных метаморфных гетероструктур с содержанием InAs в активном слое 75-100%
    • Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Кульбачинский В.А., Пушкарев С.С., Пушкин М.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике Сборник аннотаций работ, VIII Курчатовская Молодежная научная Школа, 22-25 ноября 2010 г., Москва, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 136
  • • 2010 Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
    • Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
  • • 2010 Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
    • Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А.
    • в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
  • • 2008 Влияние Cr на магнитные, гальваномагнитные и термоэлектрические свойства монокристаллов Sb2Te3
    • Юзеева Н.А., Тарасов П.М., Кульбачинский В.А.
    • в сборнике Материалы конференции ВНКСФ-14, 26 марта-3 апреля 2008 г., Уфа, место издания Уфа, тезисы, с. 297-298
  • • 2007 Влияние Ga на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова-де Гааза смешанных кристаллов (Bi0.5Sb0.5)2Te3
    • Юзеева Н.А., Тарасов П.М., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г.
    • в сборнике Материалы конференции ВНКСФ-13, 20-26 апреля 2007г., Ростов-на-Дону – Таганрог, место издания Институт Физки Металлов УРО РАН Екатеринбург, тезисы, с. 345-346
  • • 2007 Термоэлектрические свойства и поверхность Ферми монокристаллов р-Bi1-xSbx)2Te3
    • Кульбачинский В.А., Тарасов П.М., Кытин В.Г., Юзеева Н.А.
    • в сборнике VIII Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов, Екатеринбург, 30 сентября — 5 октября 2007 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 54

• Диссертация

  • • 2013 Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
    • Кандидатская диссертация по специальности 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физ.-мат. науки)
    • Автор: Юзеева Н.А.
    • Научный руководитель: Кульбачинский В.А., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Д 212.131.02 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики"
    • Организация, в которой выполнялась работа: ИСВЧ ПЭ РАН