Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Васильева Ю.В.
Васильева Ю.В.
IstinaResearcherID (IRID): 398313
–

Статьи в журналах

    • 2005 Properties of structures based on laser-plasma Mn-doped GaAs and grown by MOC-hydride epitaxy
    • Vasil'eva Y.V., Danilov Y.A., Ershov A.A., Zvonkov B.N., Uskova E.A., Davydov A.B., Aronzon B.A., Gudenko S.V., Ryl'kov V.V., Granovsky A.B., Gan'shina E.A., Perov N.S., Vinogradov A.N.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 39, № 1, с. 77-81 DOI

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь