Point defects controlling non-radiative recombination in GaN blue light emitting diodes: Insights from radiation damage experimentsстатья Исследовательская статья Электронная публикация

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 февраля 2018 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Point_defects_controlling_JAP.pdf 1,1 МБ 1 февраля 2018 [lagov2000]

[1] Point defects controlling non-radiative recombination in gan blue light emitting diodes: Insights from radiation damage experiments / I. H. Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov et al. // Journal of Applied Physics. — 2017. — Vol. 122, no. 11. — P. 115704–1–115704–6. The role of Shockley-Read-Hall non-radiative recombination centers on electroluminescence (EL) efficiency in blue multi-quantum-well (MQW) 436 nm GaN/InGaN light emitting diodes (LEDs) was examined by controlled introduction of point defects through 6 MeV electron irradiation. The decrease in the EL efficiency in LEDs subjected to irradiation with fluences above 5 × 1015 cm-2 was closely correlated to the increase in concentration of Ec-0.7 eV electron traps in the active MQW region. This increase in trap density was accompanied by an increase in the both diode series resistance and ideality factor (from 1.4 before irradiation to 2.1 after irradiation), as well as the forward leakage current at low forward voltages that compromise the injection efficiency. Hole traps present in the blue LEDs do not have a significant effect on EL changes with radiation because of their low concentration. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть