Аннотация:Показано, что в отличие от массивного кремния, для которого аморфизация наблюдается при дозе
облучения 5 × 10^16 ион/см2, пленки кремния на сапфире аморфизуются при меньших критических дозах (10^15 ион/см2. При бомбардировке пленок кремния пучками ионов Si+ вблизи поверхности остается неразрушенный облучением слой. Его толщина зависит от плотности тока пучка. С помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов установлено, что структура облученной кремниевой пленки значительно улучшается после отжига при температуре 950°С. Отжиг пленок при температуре 1100°С ведет к перемешиванию атомов пленки и подложки на границе раздела кремний–сапфир.