ИСТИНА

Балакшин Юрий Викторович пользователь

МГУ имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Отдел физики атомного ядра, Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий, научный сотрудник, с 17 апреля 2017

Прежние места работы (Нажмите для отображения)

Соавторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Кожемяко А.В., Назаров А.В., Егоров Н.Н., Голубков С.А., Черных П.Н., Сидоров А.И., Калмыков С.Н., Костылев А.И., Магомедбеков Э.П., Малюков Б.А., Меркушкин А.О. показать полностью..., Патракеев А.С., Стаценко В.Н., Харитонов И.Д., Чумак В.Д., Бабаин В.А., Евсеев А.П., Мазгунова В.А., Мошников В.А., Муратова Е.Н., Mazgunova V.A.

21 статья, 46 докладов на конференциях, 21 НИР, 4 награды, 4 членства в программных комитетах, 1 курсовая работа, 1 учебный курс

Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 39, Web of Science: 25
РИНЦ:

IstinaResearcherID (IRID): 3660774

ResearcherID: O-1989-2013

Scopus Author ID: 55488967300

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

---

• Статьи в журналах

  • 
    • 2018 A CVD Process for Producing Atomic Current Sources Based on 63Ni
    • Kharitonov I.D., Mazgunova V.A., Babain V.A., Kostylev A.I., Merkushkin A.O., Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Kozhemyako A.V., Kalmykov S.N., Magomedbekov E.P.
    • в журнале Radiochemistry, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 60, № 2, с. 158-163 DOI
  • 
    • 2018 CVD-технология производства атомных источников тока на основе 63Ni
    • Харитонов И.Д., Мазгунова В.А., Бабаин В.А., Костылев А.И., Меркушкин А.О., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Калмыков С.Н., Магомедбеков Э.П.
    • в журнале Радиохимия, издательство Наука (СПб.), том 60, № 2, с. 143-147
  • • 2018 In situ modification and analysis of the composition and crystal structure of a silicon target by Ion-beam methods
    • Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Kozhemiako A.V., Chernysh V.S.
    • в журнале Technical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 63, № 12, с. 1839-1845 DOI
  • • 2018 In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик
    • Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Черныш В.С.
    • в журнале Журнал технической физики, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 88, № 12, с. 1900-1907 DOI
  • 
    • 2017 Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal
    • Shemukhin A.A., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V., Chernysh V.S.
    • в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство Institute of Physics (United Kingdom), том 917, с. 1-5 DOI
  • 
    • 2017 Study of the distribution profile of iron ions Implanted into silicon
    • Kozhemyako A.V., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 51, № 6, с. 778-782 DOI
  • 
    • 2017 The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film
    • Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Evseev A.P., Chernysh V.S.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 406, № Part B, с. 507-510 DOI
  • • 2017 Изучение профиля железа имплантированного в кремний
    • Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 6, с. 778-782 DOI
  • 
    • 2015 Defect formation and recrystallization in the silicon on sapphire films under Si+ irradiation
    • Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Balakshin Yu V., Chernysh V.S.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 354, с. 274-276 DOI
  • • 2015 Влияние энергии ионов пучка Si+ на образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфир
    • Шемухин А.А., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В.
    • в журнале Успехи прикладной физики, том 3, № 6, с. 537-541
  • 
    • 2014 Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation
    • Shemukhin A.A., Balakshin Y.V., Chernysh V.S., Golubkov S.A., Egorov N.N., Sidorov A.I.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 48, № 4, с. 517-520 DOI
  • 
    • 2014 Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon films
    • Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Balakshin Y.V., Chernysh V.S.
    • в журнале Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, издательство Gordon and Breach Science Publishers (Switzerland), том 8, № 2, с. 251-253 DOI
  • • 2014 Влияние параметров ионного облучения на образование дефектов в пленках кремния
    • Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Черныш В.С.
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 3, с. 56-58 DOI
  • • 2014 Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
    • Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Голубков С.А., Егоров Н.Н., Сидоров А.И.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 48, № 4, с. 535-538
  • 
    • 2013 Ion-beam methods of the accelerator complex HVEE-500 SINP MSU
    • Shemukhin A.A., Chernykh P.N., Chernysh V.S., Balakshin Y.V., Nazarov A.V.
    • в журнале Applied Physics, № 5, с. 59-62
  • 
    • 2013 Medium energy ion scattering spectroscopy: Study of germanium amorphization under ion irradiation
    • Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Chernykh P.N., Chernysh V.S.
    • в журнале Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, издательство Gordon and Breach Science Publishers (Switzerland), том 7, с. 318-321 DOI
  • • 2013 Ионно-пучковые методики ускорительного комплекса HVEE-500 НИИЯФ МГУ
    • Шемухин А.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
    • в журнале Прикладная физика, издательство [б.и.] (М.), № 5, с. 59-62
  • • 2013 Спектроскопия рассеяния ионов средних энергий: изучение аморфизации германия под действием ионного облучения
    • Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черных П.Н., Черныш В.С.
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 4, с. 25-28
  • 
    • 2012 Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire
    • Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Chernysh V.S., Patrakeev A.S., Golubkov S.A., Egorov N.N., Sidorov A.I., Malyukov B.A., Statsenko V.N., Chumak V.D.
    • в журнале Technical Physics Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 38, № 10, с. 907-909 DOI
  • • 2012 Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире
    • Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Патракеев А.С., Голубков С.А., Егоров Н.Н., Сидоров А.И., Малюков Б.А., Стаценко В.Н., Чумак В.Д.
    • в журнале Письма в "Журнал технической физики", издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 38, № 19, с. 83-89

• Статьи в сборниках

  • • 2018 Пористый анодный оксид алюминия - матрица для локализации ионизирующего излучения
    • Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Муратова Е.Н., Мошников В.А.
    • в сборнике Труды 25-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Вакуумная Техника и Технологии - 2018", место издания СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Санкт-Петербург, с. 23-26

• Доклады на конференциях

  • • 2018 Анализ структуры наноразмерного кремния с помощью ионных пучков (Стендовый)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Осминкина Л.А., Гонгальский М.Б., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Варьирование угла смачиваемости поверхности массива углеродных нанотрубок с помощью ионного облучения (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Лазарева К.А., Никитин С.М., Кушкина К.Д., Чуев В.М., Чеченин Н.Г., Черныш В.С.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на распределение по глубине в кремнии (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Назаров А.В., Бабайцев Г.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Никифорова П.М., Завильгельский А.Д., Petrovic S., Erich M.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Влияние параметров ионной имплантации на структурные и магнитные свойства наноразмерных кремния и углерода (Стендовый)
    • Авторы: Евсеев А.П., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Каргина Ю.В., Гонгальский М.Б.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Локализация ионизирующего излучения с помощью диэлектрических матриц с наноразмерными капиллярами (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Никифорова П.М., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Муратова Е.Н.
    • VII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новогород, Россия, 7-9 ноября 2018
  • • 2018 Paramagnetism of porous silicon irradiated by ion beams (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A., Kargina Y., Shemukhin A., Balakshin Y., Zvereva E., Pavlikov A., Minnenkhanov A., Chernysh V., Gongalsky M.
    • State-of-the-art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects (STRANN-2018), Москва, Россия, 17-19 октября 2018
  • • 2018 Исследование структуры пористого кремния с помощью ионных пучков (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Чуев В.М., Осминкина Л.А., Гонгальский М.Б., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • X Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных «Диагностика наноматериалов и наноструктур», Рязань, Россия, 1-6 октября 2018
  • • 2018 Influence of xenon ions charge state on depth distribution during implantation in silicon (Стендовый)
    • Авторы: Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Petrovic S., Erich M., Kozheimiako A.V., Chernysh V.S.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Ion beam analysis of nano-dimensional silicon structures (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A., Balakshin Yu, Osminkina L., Gongalsky M., Shemukhin A., Chernysh V., Kozhemiako A.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Irradiated porous silicon as a paramagnetic material for MRI imaging (Стендовый)
    • Авторы: Evseev A., Kargina Yu, Balakshin Yu, Shemukhin A., Kozheimiako A., Zvereva E., Pavlikov A., Minnenkhanov A., Gongalsky M., Chernysh V.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Irradiation-induced defects in graphene on copper (Стендовый)
    • Авторы: Balakshin Y.V., Nazarov A.V., Minnebaev D., Shemukhin A.A., Bukunov K.A., Kharitonov I.D., Kalmykov S.N., Zaitsev E.V., Zabolotskiy A.D.
    • 28th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-28), Кан, Франция, 2-6 июля 2018
  • • 2018 Влияние зарядового состояния ионов ксенона на проникновение и дефектообразование при имплантации в кремний (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Petrovic S., Erich M.
    • XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами, МГУ им. Ломоносова, Россия, 29-31 мая 2018
  • • 2018 Модификация графена ионным облучением (Стендовый)
    • Авторы: Миннебаев Д.К., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Букунов К.А., Харитонов И.Д., Калмыков С.Н.
    • XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами, МГУ им. Ломоносова, Россия, 29-31 мая 2018
  • • 2017 Влияние параметров имплантации на удельное сопротивление пленок кремния на сапфировой подложке (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Кожемяко А.В., Кушкина К.Д., Евсеев А.П.
    • 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 30 мая - 1 июня 2017
  • • 2017 Профиль распределения внедренной примеси при облучении монокристалла кремния ионами железа (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, Россия, 30 мая - 1 июня 2017
  • • 2017 Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Черныш В.С.
    • 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures "Saint-Petersburg OPEN 2017", Санкт-Петербург, Россия, 3-6 апреля 2017
  • • 2016 Изучение профилей имплантированного в кремний железа при энергиях 90 и 250 кэВ (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • XVII Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Россия, 28-29 ноября 2016
  • • 2016 Исследование профиля распределения внедренной примеси при облучении монокристалла кремния ионами железа при энергиях 90 И 250 кэВ (Устный)
    • Авторы: Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Балакшин Ю.Б., Черныш В.С.
    • XIV Курчатовская междисциплинарная молодежная научная школа, НИЦ "Курчатовский институт" Москва, Россия, 8-11 ноября 2016
  • • 2016 Influence of channeling under heavy ions implantation in silicon single crystal (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Petrovic S.
    • 27th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-27), Ланьчжоу, Китай, 24-29 июля 2016
  • • 2016 The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of impurities and defect in silicon films (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Евсеев А.П.
    • 27th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS-27), Ланьчжоу, Китай, 24-29 июля 2016
  • • 2016 ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССОВ КАНАЛИРОВАНИЯ И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КСЕНОНА ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Кожемяко А.В.
    • XLVI международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 31 мая - 2 июня 2016
  • • 2016 Имплантация ионов ксенона в режиме каналирования в монокристалл кремния (110) (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Черныш В.С., Кожемяко А.В.
    • Ломоносовские чтения - 2016, МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия, 18-27 апреля 2016
  • • 2015 Влияние эффекта каналирования на профиль распределения внедренных частиц при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+ (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Шемухин А.А., Черныш В.С.
    • XVI межвузовская научная школа молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине», Москва, Россия, 24-25 ноября 2015
  • • 2015 Влияние ориентационных эффектов на профиль распределения примеси при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+" (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Шемухин А.А.
    • XIII Курчатовская молодежная научная школа, НИЦ "Курчатовский институт", Россия, 27-30 октября 2015
  • • 2015 ИОННО-ПУЧКОВЫЕ МЕТОДИКИ РАЗВИТЫЕ В НИИЯФ МГУ (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
    • VIII Всероссийская школа-семинар для студентов, аспирантов и молодых ученых (в возрасте до 35 лет включительно) по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» НАНОДИАГНОСТИКА-2015., Россия, 14-18 сентября 2015
  • • 2015 ВЛИЯНИЕ КАНАЛИРОВАНИЯ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ И РАДИАЦИОННО­СТИМУЛИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Назаров А.В., Srdjan Petrovic
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 28-30 мая 2015
  • • 2015 Влияние параметров ионной имплантации на разупорядочение границы раздела в пленках кремния на сапфире (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Воробьева Е.А., Кожемяко А.В., Медведев В.А.
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 28-30 мая 2015
  • • 2015 Исследование состава тонких диэлектрических слоев с помощью ионно-пучковых технологий (Стендовый)
    • Авторы: Рогожин А.Е., Руденко К.В., Мяконьких А.В., Черныш В.С., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Рудаков В.И.
    • XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 28-30 мая 2015
  • • 2014 Defect formation and recrystalization in the films silicon on sapphire under Si+ irradiation (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., Черныш В.С., Иешкин А.Е.
    • 26th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS 26), Debrecen, Hungary, Венгрия, 2014
  • • 2014 Влияние процессов каналирования и дефектообразования на профиль распределения примеси при имплантации в монокристаллы (Стендовый)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Черныш В.С.
    • ХLIV Mеждународная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 2014
  • • 2014 Ионно-пучковые методики развитые в НИИЯФ МГУ. (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Куликаускас В.С., Похил Г.П., Черных П.Н., Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
    • V всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «физические и физико-химические основы ионной имплантации» (ФФХОИИ-2014), Нижний Новгород, 2014
  • • 2014 Ионно-пучковые методики ускорительного комплекса AN-2500 (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черных П.Н., назаров А.В.
    • ХLIV Mеждународная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 2014
  • • 2014 Ионно-пучковые методики ускорительного комплекса HVEE-500 (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Назаров А.В.
    • ХLIV Mеждународная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 2014
  • • 2014 Исследование дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Назаров А.В., Черныш В.С.
    • ХLIV Mеждународная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 2014
  • • 2014 Улучшение кристаллической структуры пленок кремния на сапфире с помощью ионного облучения и последующего высокотемпературного отжига.
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
    • V всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «физические и физико-химические основы ионной имплантации» (ФФХОИИ-2014), Нижний Новгород, 2014
  • • 2013 Ионно-пучковые методики ускорительного комплекса HVEE-500 НИИЯФ МГУ
    • Авторы: Шемухин А.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
    • Одиннадцатый Всероссийский семинар «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики», Москва, Россия, Россия, 2013
  • • 2013 Механизмы улучшения качества кристалличности слоев кремния
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В.
    • ХLIII международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва 28 мая – 30 мая 2013, Москва, Россия, Россия, 2013
  • • 2013 Модификация ионным облучением пленок кремния на сапфире.
    • Авторы: Шемухин А.А., Назаров А.В., Балакшин Ю.В., Черныш В.С.
    • XXI международная конференция Взаимодействие ионов с поверхностью, ВИП - 2013, Ярославль, 2013
  • • 2012 Mechanisms of improvement of the silicon layer crystal structure
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С.
    • 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS 25), Kyoto, Japan, Япония, 2012
  • • 2012 On a way to fabrication tachnology of ultra thin Si on sapphire
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Балакшин Ю.В.
    • The International Conference “Micro- and nanoelectronics", Липки, 2012
  • • 2012 Study of Ge amorfization by using MEIS (Стендовый)
    • Авторы: Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черных П.Н., Черныш В.С.
    • 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS 25), Kyoto, Japan, Япония, 2012
  • • 2012 Формирование и исследование ультратонких слоев кремния на сапфировой подложке с помощью ионной имплантации (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Патракеев А.С.
    • 42 Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Россия, Москва, Россия, 2012
  • • 2011 Modification of properties silicon-on-saphire structure by means of ion implantation (Устный)
    • Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С., Патракеев А.С.
    • 41-st International conference on physics of interaction charged particles with crystals, Россия, Москва, Россия, 2011
  • • 2011 Модификация свойств структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации (Устный)
    • Авторы: Шемухин А.А., Черныш В.С., Патракеев А.С., Балакшин Ю.В.
    • Научная сессия МИФИ-2011, Россия, Москва, Россия, 2011
  • • 2011 Модификация свойств структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации (Устный)
    • Авторы: Патракеев А.С., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Петров Д.В., Голубков С.А., Егоров Н.Н., Иванов И.А.
    • Межвузовская школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", Россия, Москва, Россия, 2011
  • • 2011 Ускорительный комплекс на энергии ионов до 500 кэВ
    • Авторы: Шемухин А.А., Черных П.Н., Назаров А.В., Балакшин Ю.В.
    • Межвузовская школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине", Россия, Москва, Россия, 2011

• НИРы

  • • 9 октября 2018 - 10 ноября 2020 Модификация рельефа и структуры поверхности различных материалов пучками атомарных и кластерных ионов для оптоэлектронных и биомедицинских приложений
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Назаров А.В. Участники НИР: Иешкин А.Е., Киреев Д.С., Татаринцев А.А.
  • • 25 июня 2018 - 1 декабря 2019 Исследование и разработка технологических операций имплантации для MOSFET транзистора на карбид кремниевой подложке
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководители: Черныш В.С., Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Назаров А.В. Участники НИР: Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Ермаков Ю.А., Мерзук Б., Миннебаев Д.К.
  • • 29 мая 2018 - 31 мая 2018 Организация 48-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
    • Отдел физики атомного ядра
    • Руководитель: Чеченин Н.Г. Ответственные исполнители: Ермаков Ю.А., Панасюк М.И., Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Борисов А.М., Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Куликаускас В.С., Макунин А.В., Машкова Е.С., Назаров А.В., Новиков Н.В., Черныш В.С., Широкова А.А.
  • • 21 марта 2018 - 31 декабря 2018 Исследование потенциала взаимодействия частиц в области энергий 100 – 500 кэВ
    • Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
    • Руководитель: Балакшин Ю.В. Участники НИР: Бабайцев Г.В.
  • • 1 июня 2017 - 15 ноября 2017 Ионно-лучевая обработка пластин-заготовок из синтетического монокристалла алмаза
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственный исполнитель: Балакшин Ю.В. Участники НИР: Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Ермаков Ю.А., Миннебаев Д.К., Назаров А.В.
  • • 30 мая 2017 - 1 июня 2017 Организация и проведение 47-й Международной Тулиновской Конференции по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Панасюк М.И. Ответственные исполнители: Ермаков Ю.А., Чеченин Н.Г., Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Борисов А.М., Куликаускас В.С., Макунин А.В., Машкова Е.С., Назаров А.В., Черныш В.С., Широкова А.А.
  • • 22 октября 2015 - 15 декабря 2016 Разработка метода отделения тонких пластин широкозонных полупроводниковых материалов, в том числе сверхтвердых, с использованием метода ионной имплантации
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственный исполнитель: Назаров А.В. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Черныш В.С.
  • • 3 августа 2015 - 30 сентября 2015 Проведение исследований структурных свойств тонкопленочных систем на основе оксида аллюминия
    • Отдел физики атомного ядра
    • Руководитель: Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
  • • 27 апреля 2015 - 30 марта 2016 Проведение процесса ионной имплантации алюминия в эпитаксиальные структуры карбида кремния
    • Отдел физики атомного ядра
    • Руководитель: Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Назаров А.В., Черныш В.С.
  • • 2 марта 2015 - 24 марта 2015 Исследование состава и толщины Al/SiO2 и NiCr/Ag/SiO2 покрытий с помощью резерфордовского обратного рассеяния»
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Назаров А.В.
  • • 9 февраля 2015 - 27 февраля 2015 Изучение радиационных дефектов в карбиде кремния после высокотемпературного облучения протонами
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Назаров А.В.
  • • 1 января 2015 - 31 декабря 2017 Влияние свойств границы раздела кремний-сапфир на характеристики ультратонких пленок кремния на сапфире
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Шемухин А.А. Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Назаров А.В. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Евсеев А.П., Кожемяко А.В., Назаров А.В.
  • • 24 ноября 2014 - 31 декабря 2016 Получение экспериментальных образцов планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) на лабораторном стенде получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь)
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Черныш В.С. Ответственный исполнитель: Шемухин А.А. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Куликаускас В.С., Назаров А.В., Ходырев В.А., Чеченин Н.Г., Широкова А.А.
  • • 18 мая 2014 - 1 декабря 2014 Ионно-лучевое травление Pd-Ba катодов с объёмным распределением частиц Ta и напыление Pd-Ba и Pt-Ba плёнок на катоды ЭВП СВЧ-техники
    • Физический факультет
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Иешкин А.Е., Миннебаев К.Ф., Назаров А.В., Шемухин А.А.
  • • 1 сентября 2012 - 31 декабря 2013 Влияние свободного водорода на функциональные свойства нанокомпозитных покрытий
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Черных П.Н. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Воробьева Е.А., Назаров А.В., Шемухин А.А.
  • • 23 апреля 2012 - 31 декабря 2012 Изучение состава матрицы и покрытия заготовок специальных металлоизделий
    • Кафедра физической электроники
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А.
  • • 16 января 2012 - 1 июня 2012 Разработка методов контроля структурного совершенства КНС-УТК и пластин сапфира. Отработка режимов аморфизации слоя кремния
    • Отдел физики атомного ядра
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Иешкин А.Е., Назаров А.В., Шемухин А.А.
  • • 1 января 2012 - 31 декабря 2021 Ядерно-физические методы и физические свойства наноструктур
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Чеченин Н.Г. Ответственные исполнители: Воробьева Е.А., Николаев А.В., Ромашкина И.Л., Ткаля Е.В. Участники НИР: Акимов Н.Б., Андрианов В.А., Бабайцев Г.В., Балакшин Ю.В., Белкова Ю.А., Бибиков А.В., Букунов К.А., Воробьева Е.А., Джунь И.О., Дзагуров О.Б., Евсеев А.П., Ерзинкян А.Л., Ермаков Ю.А., Затекин В.В., Кабачник Н.М., Кобзев В.А., Козей И.В., Козин М.Г., Криволап В.В., Куликаускас В.С., Макунин А.В., Машкова Е.С., Миннебаев Д.К., Назаров А.В., Никитин С.М., Новиков Н.В., Овчинников М.А., Петухов В.П., Теплова Я.А., Ткаля Е.В., Ходырев В.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Чувильская Т.В., Чуманов В.Я., Шемухин А.А., Широкова А.А., Шульга В.И.
  • • 18 мая 2011 - 31 декабря 2011 Определение элементного состава и структуры матрицы и покрытия специальных заготовок металлоизделий с покрытием
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Иешкин А.Е., Шемухин А.А.
  • • 1 июня 2010 - 1 сентября 2011 Исследование и отработка режимов аморфизации кремния ионами кремния, исследование границ раздела кремний сапфир после ионной имплантации и рекристаллизационного отжига
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Черныш В.С. Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Иешкин А.Е., Шемухин А.А.
  • • 1 января 2010 - 20 сентября 2011 Разработка методов создания, обработки и исследования радиационно-стойких композиционных керамических материалов для аэрокосмической техники
    • Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
    • Руководитель: Панасюк М.И. Участники НИР: Андрианова Н.Н., Балакшин Ю.В., Беспалова О.В., Борисов А.М., Воробьева Е.А., Воронина Е.Н., Востриков В.Г., Галанина Л.И., Джунь И.О., Затекин В.В., Зеленская Н.С., Козей И.В., Куликаускас В.С., Лебедев В.М., Макунин А.В., Машкова Е.С., Новиков Л.С., Петухов В.П., Похил Г.П., Спасский А.В., Черник В.Н., Черныш В.С., Чеченин Н.Г., Чирская Н.П., Шемухин А.А., Широкова А.А., Шульга В.И.

• Награды и премии

  • • 2018 Стипендия НИИЯФ МГУ для молодых ученых
    • Лауреат: Балакшин Ю.В.
    • НИИЯФ МГУ, Россия
  • • 2016 Стипендия НИИЯФ МГУ для молодых ученых
    • Лауреат: Балакшин Ю.В.
    • НИИЯФ МГУ, Россия
  • • 2015 Конкурс молодых научных сотрудников МГУ
    • Лауреат: Балакшин Ю.В.
    • МГУ им. М.В. Ломоносова, Россия
  • • 2015 Стипендия НИИЯФ МГУ для молодых ученых
    • Лауреат: Балакшин Ю.В.
    • НИИЯФ МГУ, Россия

• Участие в программных комитетах конференций

  • • 31 мая - 1 июня 2018 Научная школа по ионно-пучковым технологиям для студентов, аспирантов и молодых учёных
    • Член организационного комитета
    • Москва, Россия
  • • 29-31 мая 2018 XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами
    • Член организационного комитета
    • МГУ им. Ломоносова, Россия
  • • 30 мая - 1 июня 2017 47-я Международная Тулиновская конференция "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами"
    • Член организационного комитета
    • Москва, Россия
  • • 31 мая - 2 июня 2016 XLVI международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
    • Член организационного комитета
    • Москва, Россия

• Руководство курсовыми работами

  • • 2018 Создание микропучка с помощью конического диэлектрического капилляра в камере РОР на HVEE-500
    • Научный руководитель: Балакшин Ю.В.
    • Автор: Никифорова П.М. (Бакалавр)

• Преподавание учебных курсов

  • • 1 сентября 2012 - 31 декабря 2012 Общий ядерный практикум
    • МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Отделение ядерной физики, Кафедра общей ядерной физики
    • обязательная, базовой части, практические занятия, 72 часов

---