|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432)сборник
- Год издания: 2000
- Место издания: IEEE
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович
Статьи, опубликованные в сборнике
-
- 2000 Comparison of B and BF/sub 2/ source/drain extension implants for PMOS transistors with thin gate oxides
- Bourdelle K.K., Gossmann H.J L, Chaudhry S., Agarwal A.
- в сборнике 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), место издания IEEE DOI
-
- 2000 Decaborane, an alternative approach to ultra low energy ion implantation
- Jacobson D.C., Bourdelle K., Gossmann H.J., Sosnowski M., Albano M.A., Babaram V., Poate J.M., Agarwal A., Perel A., Horsky T.
- в сборнике 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), место издания IEEE DOI
-
- 2000 Epi-replacement in CMOS technology by high dose, high energy boron implantation into Cz substrates
- Bourdelle K.K., Chen Y., Ashton R.A., Rubin L.M., Agarwal A., Morris W.
- в сборнике 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), место издания IEEE DOI