2010 Symposium on VLSI Technologyсборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2010 Efficient multi-V<inf>T</inf> FDSOI technology with UTBOX for low power circuit design
  • Fenouillet-Beranger C., Thomas O., Perreau P., Noel J-P, Bajolet A., Haendler S., Tosti L., Barnola S., Beneyton R., Perrot C., de Buttet C., Abbate F., Baron F., Pernet B., Campidelli Y., Pinzelli L., Gouraud P., Casse M., Borowiak C., Weber O., Andrieu F., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Boedt F., Denorme S., Boeuf F., Faynot O., Skotnicki T.
  • в сборнике 2010 Symposium on VLSI Technology, место издания IEEE DOI
• • 2010 Low leakage and low variability Ultra-Thin Body and Buried Oxide (UT2B) SOI technology for 20nm low power CMOS and beyond
  • Andrieu F., Weber O., Mazurier J., Thomas O., Noel J-P, Fenouillet-Beranger C., Mazellier J-P, Perreau P., Poiroux T., Morand Y., Morel T., Allegret S., Loup V., Barnola S., Martin F., Damlencourt J-F, Servin I., Casse M., Garros X., Rozeau O., Jaud M-A, Cibrario G., Cluzel J., Toffoli A., Allain F., Kies R., Lafond D., Delaye V., Tabone C., Tosti L., Brevard L., Gaud P., Paruchur V., Bourdelle K.K., Schwarzenbach W., Bonnin O., Nguyen B-Y, Doris B., Boeuf F., Skotnicki T., Faynot O.
  • в сборнике 2010 Symposium on VLSI Technology, место издания IEEE DOI