|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Low leakage and low variability Ultra-Thin Body and Buried Oxide (UT2B) SOI technology for 20nm low power CMOS and beyondстатья
- Авторы: Andrieu F., Weber O., Mazurier J., Thomas O., Noel J-P, Fenouillet-Beranger C., Mazellier J-P, Perreau P., Poiroux T., Morand Y., Morel T., Allegret S., Loup V., Barnola S., Martin F., Damlencourt J-F, Servin I., Casse M., Garros X., Rozeau O., Jaud M-A, Cibrario G., Cluzel J., Toffoli A., Allain F., Kies R., Lafond D., Delaye V., Tabone C., Tosti L., Brevard L., Gaud P., Paruchur V., Bourdelle K.K., Schwarzenbach W., Bonnin O., Nguyen B-Y, Doris B., Boeuf F., Skotnicki T., Faynot O.
- Сборник: 2010 Symposium on VLSI Technology
- Год издания: 2010
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/vlsit.2010.5556122
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович