ИСТИНА

Кравченко В.Н.

Соавторы: Минина Н.Я., Савин А.М., Хансен О.П., Olsen J.S., Богданов Е.В., Kolokolov K.I., Sorensen C.B., Ильевский А.А., Колоколов К.И., Краак В., Cassias U., Kraak W., Savin A.M. показать полностью..., Полянский А.В., Соренсен К.Б.

7 статей, 14 тезисов докладов, 1 НИР, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 2, Scopus: 0

IstinaResearcherID (IRID): 829520

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 1998 Воздействие сильного электрического поля и ИК-излучения на долговременные релаксации пьезосопротивления в p-GaAs/AlGaAs
    • Богданов Е.В., Колоколов К.И., Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Савин А.М., Хансен О.П.
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 39, № 1, с. 41-44
  • • 1995 High electric field and light illumination influence on long-time relaxation effect in piezoresistivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures under uniaxial compression
    • Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Olsen J.S., Savin A.M.
    • в журнале PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, № 12, с. 181-187
  • 
    • 1995 LONG-TERM RELAXATION OF THE RESISTANCE OF A 2D HOLE GAS AT A GAAS/AL0.5GA0.5AS HETEROJUNCTION INDUCED BY UNIAXIAL COMPRESSION
    • KRAVCHENKO VN, MININA NY, SAVIN AM, OLSEN JS, HANSEN OP
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 61, № 5, с. 424-429

• Статьи в сборниках

  • • 2006 Двумерные электроны на гетерогранице n-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии
    • Богданов Е.В., Ильевский А.А., Краак В., Кравченко В.Н., Полянский А.В.
    • в сборнике 34 совещание по физике низких температур. Труды, место издания Ростов-на-Дону, том 2, с. 78-79
  • 
    • 1997 Light and electric field influence on resistivity and long-term relaxations of piezoresistivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures
    • Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Olsen J.S., Savin A.M.
    • в сборнике Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, с. 68-72
  • • 1996 Effect of memory in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure piezoresistivity
    • Hansen O.P., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A.
    • в сборнике High Pressure Science and Technology. Proceedings of the Joint XV AIRAPT and XXXIII EHPRG International Conference, Warsaw, Poland, Sept. 1995, место издания World Scientific, с. 664-666
  • 
    • 1995 Piezoresistance and long time relaxation effect in a two dimensional hole system at a Be-doped GaAs/Al0.5Ga0.5As heterojunction under uniaxial stress
    • Hansen O.P., Kravchenko V., Olsen J.S., Minina N., Savin A.
    • в сборнике Narrow Gap Semiconductors 1995, серия Inst. of Phys. Conf. Series, том 144, с. 302-306

• Тезисы докладов

  • • 2005 Определяющая роль дефектов на гетерограницах структур на основе GaAs p-типа в транспортных свойствах 2D дырок при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия
    • Богданов Е.В., Ильевский А.А., Кравченко В.Н., Минина Н.Я.
    • в сборнике III International conference “Fundamental problems of physics”. Program & Abstacts. Kazan. 13-18 June 2005, место издания Казань, тезисы, с. 127
  • • 2000 Anisotropy of the piezoresistivity relaxation in p-type (001) GaAs/Al0.5Ga0.5As
    • Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Savin A.M., Bogdanov E.V., Hansen O.P., Sorensen C.B.
    • в сборнике Fifth Int. Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. Abstracts. Kyev, Ukraine, 22 May - 24 May, 2000, место издания Kyev, Ukraine, тезисы, с. 56
  • • 1999 Anisotropy of the long-term relaxation effect in piezoresistivity of p-type (001) GaAs/AlGaAs heterostructures
    • Kravchenko V., Minina N., Savin A., Bogdanov E., Hansen O.P.
    • в сборнике Third Int. School-Conf. on Physical Problems in Material Science of Semiconductors. Abstract booklet. Chernivtsi, Ukraine, 07-11 September, 1999, место издания Черновцы, Украина, тезисы, с. 259
  • • 1998 Hole-hole scattering under uniaxial compression
    • Kravchenko V., Minina N., Savin A., Hansen O.P., Sorensen C.B., Kraak W.
    • в сборнике VIII International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, Thessaloniki, GREECE, August 3-13, 1998, тезисы, с. 118
  • • 1997 Non-equlibrium effects in p-GaAs/AlGaAs heterostructures under uniaxial stress and at high electric fields
    • Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Olsen J.S., Savin A.M.
    • в сборнике Second Int. School-Conf. on Physical Problems in Material Science of Semiconductors. Abstract booklet. Chernivtsi, Ukraine, 08-12 September, 1997, тезисы, с. 147
  • • 1997 Uniaxial stress influence on low temperature hole-hole scattering processes in p-GaAs/AlGaAs heterostructures
    • Hansen O.P., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Savin A.M.
    • в сборнике 16th General Conference of the Condenced Matter Division, Belgium, Leuven, 25-28 Aug. 1997, тезисы, с. 83
  • • 1997 Влияние одноосного сжатия на энергетический спектр, магнитосопротивление и процессы рассеяния двумерных дырок в гетероструктурах на основе p-GaAs/AlGaAs
    • Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Савин А.М., Краак В., Соренсен К.Б.
    • в сборнике III Всероссийская конференция по физике полупроводников, ПОЛУПРОВОДНИКИ 97, 1-5 декабря 1997, Москва, тезисы, с. 177
  • 
    • 1996 Light and electric field influence on resistivity and long-term relaxations of piezoresistivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures
    • Bogdanov E.V., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Savin A.M., Hansen O.P., Olsen J.S.
    • в сборнике Int.Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. Abstracts. Uzhgorod, Ukraine, 30 September - 02 October, 1996, тезисы, с. 12
  • • 1996 Влияние сильного электрического поля и света на долговременные релаксации пьезосопротивления в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As
    • Богданов Е.В., Колоколов К.И., Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Олсен Я.С., Савин А.М., Хансен О.П.
    • в сборнике 2-ая Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. Зеленогорск, 26 февраля - 1 марта 1996 года, том 2, тезисы, с. 154
  • • 1995 Effect of memory in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure piezoresistivity
    • Hansen O.P., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A.
    • в сборнике Joint XV AIRAPT&XXXIII EHPRG International Conference: High Pressure Physics and Technology, Warsaw, Poland, Sept. 1995, тезисы, с. Abstracts 65/MoP-K1
  • • 1995 High electric field and light illumination influence on long-time relaxation effect in piezoresistivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures under uniaxial compression
    • Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya, Olsen J.S., Savin A.M.
    • в сборнике 2 Int.Conf. Physics of low-dimensional structures. Dubna, Russia, 1995, место издания Дубна, тезисы, с. 55
  • • 1995 Influence of illumination and high-voltage pulse on long-time relaxation of piezoresistivity in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure
    • Bogdanov E., Hansen O.P., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A.
    • в сборнике : Int.School Conf. Physical problems in material science of semiconductors. Abstract booklet. Chernivtsi, Ukraine, 1995, место издания Черновцы, Украина, тезисы, с. 75
  • • 1995 Piezoresistance and long time relaxation effect in a two dimentional hole system at Be-doped GaAs/AlGaAs heterojunction under external uniaxial compression»
    • Hansen O.P., Kravchenko V.N., Olsen J.S., Minina N.Ya, Savin A.M.
    • в сборнике 7th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Jan. 8-12, 1995, Santa Fe, New Mexico, USA, тезисы, с. D7
  • • 1995 Two-dimensional hole system at a Be-doped GaAs/AlGaAs heterojunction under uniaxial, external stress
    • Hansen O.P., Olsen J.S., Sorensen C.B., Cassias U., Savin A., Minina N., Kravchenko V.
    • в сборнике Research Activities, место издания Orsted Laboratory, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, тезисы, с. 10-11

• НИРы

  • • 1 января 2004 - 31 декабря 2006 Глубокие центры вблизи нормальной и инвертированной гетерограниц в структурах на основе GaAs/AlGaAs n- и р-типа при одноосном сжатии
    • Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости
    • Руководитель: Минина Н.Я. Участники НИР: Бенеславский С.Д., Богданов Е.В., Ильевский А.А., Колоколов К.И., Кравченко В.Н., Полянский А.В.

• Диссертация

  • • 1999 Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/(Al)GaAs при одноосном сжатии.
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.09 - Физика низких температур (физ.-мат. науки)
    • Автор: Кравченко В.Н.
    • Научный руководитель: Минина Н.Я., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К 053.05.20 при МГУ имени М.В. Ломоносова