Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, возможность загрузки и скачивания файлов временно недоступна.
скрыть
Kutuzov L.
Соавторы:
Gurovich B.A.
,
Prikhodko K.
,
Stolyarov V.L.
,
Домантовский А.Г.
,
Dementyev M.
,
Fedorov G.
,
Komarov D.
,
Kuleshova E.
,
Lavrukhina Z.V.
,
Olshansky E.
,
Taldenkov A.N.
,
Tarkhov M.
,
Yakubovsky A.Y.
показать полностью...
,
Гончаров Б.В.
,
Дементьева М.А.
,
Комаров Д.А.
,
Маслаков К.И.
,
Ольшанский Е.Д.
3 статьи
Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 5
IstinaResearcherID (IRID): 578308
Деятельность
Статьи в журналах
2020
Creation of ultrathin niobium nitride films at temperatures less than 100 °C
Goncharov B.V.,
Gurovich B.A.
,
Prikhodko K.E.
,
Dementyeva M.M.
,
Stolyarov V.L.
,
Olshansky E.D.
,
Domantovsky A.G.
,
Kutuzov L.V.
, Malieva E.M., Cherepanov A.A.
в журнале
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
, издательство
-
(Krakow)
, том 1005, с. 012023-012023
DOI
2015
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ТОНКОПЛЕНОЧНОГО NBN В ОКСИД НИОБИЯ NB2O5
урович Б.А.
,
Приходько К.Е.
,
Тархов М.А.
,
Кулешова Е.А.
,
Комаров Д.А.
,
Столяров В.Л.
,
Ольшанский Е.Д.
,
Гончаров Б.В.
, Гончарова Д.А.,
Кутузов Л.В.
,
Домантовский А.Г.
,
Лаврухина З.В.
,
Дементьева М.М.
в журнале
Российские нанотехнологии
, издательство
Парк-медиа
(М.)
, том 10, № 7-8
2012
Development of ion-beam technique for manufacturing silicon nanowires
Gurovich B.
,
Prikhod’ko K.
,
Taldenkov A.
,
Yakubovskii A.
,
Maslakov K.
,
Komarov D.
,
Kutuzov L.
,
Fedorov G.
в журнале
Nanotechnologies in Russia
, том 7, № 1, с. 93-97
DOI