ИСТИНА

Валяшко Е.Г.

Соавторы: Pleskacheva T.B., Кошелев О.Г.

1 статья, 1 доклад на конференции, 1 диссертация

IstinaResearcherID (IRID): 14873469

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 1973 Электропроводность InSb при одноосном сжатии
    • Кошелев О.Г., Валяшко Е.Г., Плескачева Т.Б.
    • в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 7, с. 1360

• Доклады на конференциях

  • • 1975 Влияние одноосного сжатия на гальвано-магнитные и фотоэлектрические свойства p-InSb при низких температурах (Устный)
    • Авторы: Кошелев О.Г., Валяшко Е.Г., Плескачева Т.Б.
    • 5-ая международная конференция по физике и технике высоких давлений. , Россия, 23-27 июня 1975

• Руководство диссертациями

  • • 1966 Спонтанное и когерентное излучение в арсенид - галлиевых p-n- переходах, полученных диффузией бериллия
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Полторацкий Эдуард Алексеевич
    • Научные руководители: Валяшко Е.Г., Юнович А.Э., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете К 053.05.20 при МГУ им. М.В. Ломоносова при МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
    • Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
    • Ведущая организация: Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе АН СССР
    • Оппоненты: Стафеев В.И.