ИСТИНА

Ladygin E.A.

Соавторы: Лагов П.Б., Скипетров Е.П., Коновалов М.П., Сурма A.М., Мурашев В.Н., Мусалитин А.М., BRANDT N., DUBKOV V., Зломанов В.П., Орлова М.Н., Осипов Г.А., Таперо К.И., Горюнов Н.Н. показать полностью..., Паничкин А.В., Сопов О.В., Ammosov V.V., Aramo C., Bonvicini V., Chechin V.A., Chubenko A.P., Erlykin A.D., Hatano Y., Kryukov S.V., Lomonosov B.N., Merzon G.I., Mukhamedshin R.A., PYREGOV B., Roussetski A.S., Ryabov V.A., Saito T., Shchepetov A.L., Sobolevsky N.M., Trostin I.S., Wolfendale A., Yanagita T., ZAITOV F., Zhdanov G.B., Александров В.В., Будишевский Ю.Д., Гаськов А.М., Гриб В.В., Дашевский М.Я., Делян В.И., Замышляев Д.В., Зацепин Г.Т., Кирьянов А.Ю., Кокин С.А., Павлюченко В.П., Пальцева М.В., Панасюк М.И., Перевозчиков М.В., Пономарев Я.Г., Приходько П.С., Роганова Т.М., Ряжская О.Г., Свешникова Л.Г., Старков Н.И., Удалов В.А., Улимов В.Н., Учуваткин В.В., Царев В.А.

22 статьи, 1 книга, 30 тезисов докладов, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 32, Scopus: 15

IstinaResearcherID (IRID): 1208695

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • 
    • 2007 Применение тестового гамма-облучения для отбраковки потенциально ненадежных гетероэпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs
    • Перевозчиков М.В., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 3, с. 42-44
  • • 2006 Повышение быстродействия и радиационной стойкости силовых кремниевых диодов с применением радиационного технологического процесса
    • Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Лагов П.Б., Сурма А.М.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-2, с. 29-37
  • • 2004 Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем испытательного, отбраковочного и технологического характера
    • Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Таперо К.И., Коновалов М.П., Лагов П.Б.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 3-4, с. 7-17
  • • 2002 Эффективность радиационной обработки для улучшения статических и динамических параметров транзисторов Дарлингтона // ВАНТ. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА
    • Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б., Прокопов К.В., Сопов О.В., Делян В.И., Будишевский Ю.Д.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 4
  • 
    • 2001 A new method of ionization-neutron calorimeter for direct investigation of high-energy electrons and primary nuclei of cosmic-rays up to the "knee" region
    • Alexandrov K.V., Ambrosio M., Ammosov V.V., Antonova V.P., Aramo C., Bonvicini V., Chechin V.A., Chubenko A.P., Drobzhev V.I., Erlykin A.D., Fujii M., Hatano Y., Kryukov S.V., Ladygin E.A., Lomonosov B.N., Merzon G.I., Mukhamedshin R.A., Murashov V.N., Pavlyuchenko V.P., Panasyuk M.I., Roganova T.M., Roussetski A.S., Ryabov V.A., Ryazhskaya O.G., Saito T., Sasaki H., Shchepetov A.L., Sobolevskii N.M., Starkov N.I., Sveshnikova L.G., Trostin I.S., Tsarev V.A., Vacchi A., Wolfendale A., Yanagita T., Zatsepin G.T., Zhdanov G.B., Zhukov A.P.
    • в журнале Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 459, № 1-2, с. 135-156 DOI
  • 
    • 2000 Экспериментальные результаты и расчетные оценки повышения радиационной стойкости и улучшения комплекса параметров транзисторных структур, подверженных "глубокому" облучению быстрыми электронами
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-2, с. 70-73
  • 
    • 2000 Эффективность "сверхглубокого" облучения быстрыми электронами для повышения радиационной стойкости и улучшения комплекса электрических параметров диодных структур
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-2, с. 67-69
  • • 1999 Кинетика накопления глубоких радиационных центров в неоднородных кремниевых структурах
    • Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
    • в журнале Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, издательство Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (Москва), № 1, с. 53-55
  • • 1999 Повышение радиационной стойкости кремниевых биполярных n-p-n и p-n-p транзисторов к импульсному и статическому излучению при радиационно-термической обработке
    • Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-2, с. 114-117
  • • 1999 Преимущества высокотемпературного технологического облучения диодных матричных структур, применяемых в бортовой аппаратуре
    • Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-2, с. 118-120
  • • 1996 Повышение быстродействия диодных матриц при обработке быстрыми электронами
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Осипов Г.А.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-3, с. 101-105
  • • 1996 Улучшение усилительных, импульсных и температурных характеристик кремниевых маломощных транзисторов при обработке быстрыми электронами и отжиге
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Осипов Г.А.
    • в журнале Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов" (Лыткарино), № 1-3, с. 95-100
  • 
    • 1989 ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF N-PB1-XSNXSE UNDER PENETRATING IRRADIATION WITH FAST ELECTRONS
    • SKIPETROV EP, DUBKOV VP, ZLOMANOV VP, LADYGIN EA, MUSALITIN AM
    • в журнале Inorganic Materials, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 25, № 5, с. 630-633
  • 
    • 1989 POSITIONS OF LOCAL-LEVELS OF RADIATION DEFECTS IN PROTON-IRRADIATED PB1-XSNXTE ALLOYS
    • BRANDT NB, GASKOV AM, LADYGIN EA, SKIPETROV EP, KHOROSH AG
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 11, с. 1258-1260
  • 
    • 1988 GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN GERMANIUM DOPED INDIUM-ANTIMONIDE DEEPLY IRRADIATED WITH ELECTRONS
    • BRANDT NB, SKIPETROV EP, DMITRIEV VV, KOLTSOV GI, LADIGIN EA
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 29, № 6, с. 95-97
  • 
    • 1988 RESONANT DEFECT STATES IN PB1-0.125SN0.125SE IRRADIATED WITH ELECTRONS
    • BRANDT NB, DUBKOV VP, SKIPETROV EP, LADIGIN EA
    • в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 65, № 12, с. 1489-1493 DOI
  • 
    • 1987 INFLUENCE OF ELECTRON-IRRADIATION ON GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN NORMAL-TYPE PB1-XSNXSE(X=0.25)
    • BRANDT NB, DUBKOV VP, ZLOMANOV VP, IVANOVA GV, LADYGIN EA, SKIPETROV EP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 21, № 12, с. 1295-1298
  • 
    • 1987 INFLUENCE OF PRESSURE ON ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF PARA-TYPE INDIUM-ANTIMONIDE IRRADIATED WITH FAST ELECTRONS
    • BRANDT NB, DMITRIEV VV, LADYGIN EA, SKIPETROV EP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 21, № 3, с. 315-319
  • 
    • 1987 METAL-INSULATOR TRANSITION INDUCED BY ELECTRON-IRRADIATION IN PB1-XSNXSE (X=0,25)
    • BRANDT NB, DUBKOV VP, IVANOVA GV, LADYGIN EA, SKIPETROV EP
    • в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 28, № 5, с. 96-97
  • 
    • 1987 PRESSURE-INDUCED METAL-INSULATOR-TRANSITION IN THE FAST ELECTRON-IRRADIATED ALLOY PB0.875SN0.125SE
    • BRANDT NB, ZLOMANOV VP, LADYGIN EA, PONOMAREV YG, SKIPETROV EP, SHIBAEV PV
    • в журнале Fizika Tverdogo Tela, том 29, № 1, с. 246-249
  • 
    • 1986 ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF N-TYPE INDIUM-ANTIMONIDE IRRADIATED WITH FAST ELECTRONS
    • SKIPETROV EP, DMITRIEV VV, ZAITOV FA, KOLTSOV GI, LADYGIN EA
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 20, № 10, с. 1120-1122
  • 
    • 1985 INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF IRRADIATION WITH FAST ELECTRONS ON ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF PB1-XSNXSE
    • ZLOMANOV VP, LADYGIN EA, PYREGOV BP, SKIPETROV EP
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 19, № 1, с. 31-33

• Книги

  • • 2018 Памятка Осуществления общественного контроля в рамках противодействия коррупции в органах государственной власти и местного самоуправления
    • Гриб В.В., Кирьянов А.Ю., Пальцева М.В., Ладыгина Е.А., Замышляев Д.В., Андреева Л.А.
    • место издания Общественная палата Российской Федерации Москва, 33 с.

• Тезисы докладов

  • 
    • 2007 Перспективы применения радиационно-стимулированной диффузии в технологии силовых приборов
    • Сурма А.М., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • в сборнике Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007), место издания Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС), тезисы, с. 266-266
  • 
    • 2006 Энергетическое положение и концентрация глубоких радиационных центров в базовой области силовых кремниевых p-n структур при облучении и отжиге
    • Коновалов М.П., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Сурма А.М.
    • в сборнике Третья Международная конференция по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века" (20-26 ноября 2006 г.), место издания Москва-Черноголовка, тезисы, с. 337-338
  • 
    • 2005 Влияние облучения быстрыми электронами на электрофизические параметры кремниевых эпитаксиально-планарных диодных структур
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Орлова М.Н., Калачев А.Н.
    • в сборнике Тезисы лекций и докладов. «Кремний. Школа – 2005», место издания МИСиС Москва, тезисы, с. 187-187
  • • 2004 Перспективные приборы микроэлектроники на КНИ структурах
    • Мурашев В.Н., Приходько П.С., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Удалов В.А.
    • в сборнике Международная научно-техническая конференция «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры», Севастополь, 6-14 сентября 2003, место издания МГАПИ Москва, тезисы, с. 1-11
  • • 2003 Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем, используемых для комплектации электронных систем КА
    • Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Таперо К.И., Коновалов М.П., Лагов П.Б.
    • в сборнике Сборник трудов Международной Академии Информатизации, место издания ФГУП «Оптекс» Москва, тезисы, с. 1-10
  • • 2003 Экспериментальные методики исследования радиационных процессов в активных областях МОП и КМОП микросхем на этапах облучения и отжига
    • Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Коновалов М.П., Бражник В.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике Сборник трудов Международной Академии Информатизации, место издания ФГУП «Оптекс» Москва, тезисы, с. 11-20
  • • 2003 Эффективность радиационно-термической тренировки для выявления и отбраковки микросхем с аномальной радиационной чувствительностью
    • Ладыгин Е.А., Осипов Г.А., Коновалов М.П., Таперо К.И., Лагов П.Б.
    • в сборнике Сборник трудов Международной Академии Информатизации, место издания ФГУП «Оптекс» Москва, тезисы, с. 21-30
  • 
    • 2002 Кинетика накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых структурах при радиационных испытаниях, технологическом облучении и отжиге
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Коновалов М.П.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2002», место издания СПЭЛС Москва, том 5, тезисы, с. 260-260
  • 
    • 2002 Применение быстрых электронов для улучшения быстродействия и радиационной стойкости мощных транзисторов Дарлингтона
    • Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б., Прокопов К.В.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2002», место издания СПЭЛС Москва, том 5, тезисы, с. 262-262
  • 
    • 2002 Применение “сверхглубокого” облучения быстрыми электронами при создании биполярных структур с наилучшим сочетанием параметров и повышенной радиационной стойкостью
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Коновалов М.П.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2002», место издания СПЭЛС Москва, том 5, тезисы, с. 261-261
  • 
    • 2002 Улучшение эксплуатационных характеристик отечественных IGBT транзисторов методом радиационной технологии
    • Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2002», место издания СПЭЛС Москва, том 5, тезисы, с. 195-196
  • • 2001 Применение быстрых электронов для улучшения импульсно-частотных параметров кремниевых силовых диодов и тиристоров
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мусалитин А.М., Сурма А.М., Кокин С.А., Учуваткин В.В.
    • в сборнике V Семинар Азиатско-Тихоокеанской академии материалов «Материалы и процессы создания приборов силовой электроники» (5-7 мая 2001г.), место издания ИНХ СО РАН Новосибирск, тезисы, с. 1-1
  • • 2001 Улучшение комплекса статических и динамических характеристик отечественных IGBT транзисторов методом радиационной технологии
    • Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б., Сопов О.В., Мусалитин А.М.
    • в сборнике III Всероссийская конференция «Устройства и системы энергетической электроники» (УСЭЭ-2001), 4-5 октября 2001г, место издания Москва, тезисы, с. 1-1
  • • 2001 Физические основы радиационных процессов в технологии кремниевых приборов силовой электроники
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Дашевский М.Я., Улимов В.Н., Сопов О.В.
    • в сборнике V Семинар Азиатско-Тихоокеанской академии материалов «Материалы и процессы создания приборов силовой электроники» (5-7 мая 2001г.), место издания ИНХ СО РАН Новосибирск, тезисы, с. 2-2
  • 
    • 2000 Влияние быстрых электронов и отжига на область безопасной работы и динамические характеристики мощных кремниевых p+-n вентилей и тиристоров
    • Ладыгин Е.А., Сурма А.М., Рыбин С.В., Кокин С.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 121-122
  • • 2000 Воздействие рентгеновского излучения и повышенной температуры на МОП-транзисторы с КНИ структурой
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Алексеев А.Е., Вавилов В.А.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 5-5
  • • 2000 Изменение инжекционной зависимости коэффициента передачи тока базы в кремниевых n-p-n и p-n-p структурах при радиационно-термической обработке
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 126-126
  • • 2000 Исследование влияния быстрых электронов на область безопасной работы и динамические характеристики мощных кремниевых тиристоров
    • Рыбин С.В., Сурма А.М., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мусалитин А.М.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 150-150
  • • 2000 Исследование температурных зависимостей усилительных и импульсных характеристик кремниевых транзисторных структур при обработке быстрыми электронами и отжиге
    • Лагов П.Б., Ладыгин Е.А.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 110-111
  • • 2000 Повышение радиационной стойкости и улучшение импульсно-частотных характеристик кремниевых p+-n структур методом радиационно-термической обработки
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 3-3
  • • 2000 Полевой транзистор с повышенной стойкостью к ионизирующему гамма и рентгеновскому излучению
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 6-6
  • • 2000 Стойкий к ионизирующему излучению полевой транзистор
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 128-128
  • • 2000 Тестовые МОП-транзисторы на КНИ подложках в условиях действия рентгеновского излучения и повышенной температуры
    • Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 130-130
  • • 2000 Улучшение импульсно-частотных характеристик и повышение стойкости к излучению кремниевых p+-n структур методом радиационно-термической обработки
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 112-113
  • • 2000 Улучшение методом радиационной технологии импульсно-частотных параметров кремниевых диодов, транзисторов и микросхем, используемых в устройствах преобразования электрической энергии в источниках вторичного электропитания
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Сурма А.М., Кокин С.А., Рыбин С.В.
    • в сборнике II Всероссийская конференция «Устройства и системы энергетической электроники» (УСЭЭ-2000), 29 марта 2000г, место издания Москва, тезисы, с. 1-1
  • • 2000 Улучшение параметров мощных кремниевых p+-n вентилей методом радиационной технологии
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Кокин С.А., Сурма А.М., Мусалитин А.М.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 125-125
  • • 2000 Формирование глубоких радиационных центров с высокими рекомбинационными характеристиками в активных областях кремниевых биполярных структур
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Горюнов Н.Н.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 1-1
  • • 2000 Формирование глубоких радиационных центров с высокими рекомбинационными характеристиками в областях кремния n-типа биполярных структур при облучении быстрыми электронами
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Горюнов Н.Н., Мусалитин А.М.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 121-121
  • • 2000 Экспериментальная оценка предельных возможностей радиационно-термического процесса для повышения радиационной стойкости и улучшения всего комплекса параметров кремниевых транзисторных структур
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
    • в сборнике Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000», место издания СПЭЛС Москва, том 3, тезисы, с. 2-2
  • • 2000 Эффективность «глубокого» облучения быстрыми электронами при создании кремниевых n-p-n и p-n-p структур с улучшенным сочетанием электрофизических характеристик
    • Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мусалитин А.М.
    • в сборнике II Всероссийская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г, место издания «МИСиС» Москва, тезисы, с. 127-127

• Руководство диссертациями

  • • 1999 РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУРАХ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (техн. науки)
    • Автор: Лагов Петр Борисович, д.т.н., доц., Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук
    • Научный руководитель: Ладыгин Евгений Александрович
    • Защищена в совете Д 212.132.06 при Национальный исследовательский технологический университет МИСиС
    • Организация, в которой выполнялась работа: МИСиС (ТУ)
    • Ведущая организация: ФГУП НИИП
    • Оппоненты: Прохоцкий Юрий Михайлович, Осипов Ю.В.