Electron irradiation of near-UV GaN/InGaN light emitting diodesстатья Исследовательская статья Электронная публикация

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 февраля 2018 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст pssa201700372.pdf 305,6 КБ 1 февраля 2018 [lagov2000]

[1] Electron irradiation of near-uv gan/ingan light emitting diodes / I. H. Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov et al. // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. — 2017. — Vol. 214, no. 10. — P. 316–320. Irradiation with 6 MeV electrons of near-UV (peak wavelength 385–390 nm) multi-quantum-well (MQW) GaN/InGaN light emitting diodes (LEDs) causes an increase in density of deep electron traps near Ec−0.8 and Ec−1 eV, and correlates to a 90% decrease of electroluminescence (EL) efficiency after a fluence of 1.1 × 1016 cm−2. The likely origin of the EL efficiency decrease is this increase in concentration of the Ec −0.8 eV and Ec −1 eV traps. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть