Electron irradiation of near-UV GaN/InGaN light emitting diodes

Lee, I.H.; Polyakov, A.Y.; Smirnov, N.B.; Shchemerov, I.V.; Shmidt, N.M.; Tal'nishnih, N.A.; Shabunina, E.I.; Cho, H.S.; Hwang, S.M.; Zinovyev, R.A.; Didenko, S.I.; Lagov, P.B.; Pearton, S.J.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 февраля 2018 г.

Авторы: Lee I.H., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Shmidt N.M., Tal'nishnih N.A., Shabunina E.I., Cho H.S., Hwang S.M., Zinovyev R.A., Didenko S.I., Lagov P.B., Pearton S.J.
Журнал: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Том: 214
Номер: 10
Год издания: 2017
Издательство: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
Местоположение издательства: Germany
Первая страница: 316
Последняя страница: 320
DOI: 10.1002/pssa.201700372
Аннотация: Irradiation with 6 MeV electrons of near-UV (peak wavelength 385–390 nm) multi-quantum-well (MQW) GaN/InGaN light emitting diodes (LEDs) causes an increase in density of deep electron traps near Ec−0.8 and Ec−1 eV, and correlates to a 90% decrease of electroluminescence (EL) efficiency after a fluence of 1.1 × 1016 cm−2. The likely origin of the EL efficiency decrease is this increase in concentration of the Ec −0.8 eV and Ec −1 eV traps.
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Electron irradiation of near-UV GaN/InGaN light emitting diodesстатья Исследовательская статья Электронная публикация

Прикрепленные файлы