|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Effect of Illumination on the Rate of Relaxation of Light-Induced Metastable States in a-Si:H(B)статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
- Авторы: Kurova I.A., Ormont N.N., Gromadin A.L.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 37
- Номер: 6
- Год издания: 2003
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 753
- Последняя страница: 755
- Аннотация: Time dependences of the rates of relaxation of light-induced metastable states of electrically active impurity atoms in boron-doped a-Si:H films have been studied in the dark and under illumination. It has been established that under illumination the rate of relaxation of light-induced metastable states of boron atoms grows in the initial stage when the rate of light-induced relaxation of these states exceeds that of their lightinduced generation.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна