Effect of Illumination on the Rate of Relaxation of Light-Induced Metastable States in a-Si:H(B)статья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.

Работа с статьей


[1] Kurova I. A., Ormont N. N., Gromadin A. L. Effect of illumination on the rate of relaxation of light-induced metastable states in a-si:h(b) // Semiconductors. — 2003. — Vol. 37, no. 6. — P. 753–755. Time dependences of the rates of relaxation of light-induced metastable states of electrically active impurity atoms in boron-doped a-Si:H films have been studied in the dark and under illumination. It has been established that under illumination the rate of relaxation of light-induced metastable states of boron atoms grows in the initial stage when the rate of light-induced relaxation of these states exceeds that of their lightinduced generation.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть