Noncontact Determination of the Rate of Surface Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers at the p-p+ (n-n+) Boundaries of n+-p(n)-p+ Silicon Structures by Means of Compensation

Koshelev, O.G.; Vasiljev, N.G.

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

Noncontact Determination of the Rate of Surface Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers at the p-p+ (n-n+) Boundaries of n+-p(n)-p+ Silicon Structures by Means of Compensationстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 мая 2018 г.

Авторы: Koshelev O.G., Vasiljev N.G.
Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
Том: 82
Номер: 1
Год издания: 2018
Издательство: Allerton Press Inc.
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 98
Последняя страница: 101
DOI: 10.3103/S1062873818010112
Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Noncontact Determination of the Rate of Surface Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers at the p-p+ (n-n+) Boundaries of n+-p(n)-p+ Silicon Structures by Means of Compensationстатья