Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
отправить сообщение
Кошелев Олег Григорьевич
пользователь
МГУ имени М.В. Ломоносова
,
Физический факультет
,
Отделение физики твердого тела
,
Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
, старший научный сотрудник, с 15 октября 1959
Соавторы:
Morozova V.A.
,
Казанский А.Г.
,
Вавилов В.С.
,
Унтила Г.Г.
,
Клява Я.Г.
,
Маренкин С.Ф.
,
Semenenya T.V.
,
Морозова В.А.
,
Плескачева Т.Б.
,
Pleskacheva T.B.
,
Спасский А.В.
,
Чукичев М.В.
,
Grigoryeva G.M.
показать полностью...
,
Marenkin S.F.
,
Mikhailov S.G.
,
Веретенкин В.П.
,
Ковалев Ю.В.
,
Козлова Ю.П.
,
Лосева С.М.
,
Маренкин С.Ф.
,
Поляков А.Я.
,
Chernoguzov D.V.
,
Gavrin V.N.
,
Gavrin V.N.
,
Markov A.V.
,
Molchanov A.V.
,
Veretenkin E.P.
,
Кост Т.Н.
,
Маренкин С.Ф.
,
Миронов А.Г.
,
Форш Е.А.
,
Чеботарева А.Б.
,
Шнайдштейн И.В.
,
Biskupski G.
,
Gavrin V.N.
,
Khomich A.A.
,
Klyava Y.G.
,
Koval Y.P.
,
Kozlova J.P.
,
Mikhailov I.V.
,
Mikhin A.A.
,
Morozova V.A.
,
Morozova V.A.
,
Morozova V.A.
,
Pishchikov D.I.
,
Raukhman A.M.
,
Sazonov A.Y.
,
Trukhan V.M.
,
Баринова Ю.О.
,
Валяшко Е.Г.
,
Вербицкая Э.Л.
,
Гусева Е.А.
,
Еленский В.Г.
,
Корнилова А.А.
,
Ливеровская Т.Ю.
,
Моденов В.П.
,
Морозов А.М.
,
Морозова В.А.
,
Опаленко А.А.
,
Остробородова В.В.
,
Пищиков Д.И.
,
Плесков Ю.В.
,
Региневич М.А.
,
Семененя Т.В.
,
Ткачева Е.А.
,
Тяпкина Н.Д.
,
Филонова Е.А.
124 статьи
,
1 книга
,
62 доклада на конференциях
,
15 тезисов докладов
,
2 НИР
,
2 патента
,
3 научного отчёта
,
1 членство в программном комитете
,
2 членства в диссертационных советах
,
3 диссертации
,
32 дипломные работы
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 55, Scopus: 72
IstinaResearcherID (IRID): 580472
Деятельность
Статьи в журналах
2022
Effect of the Surface Layers and Contact Grids of a Silicon Solar Cell on the Distribution of the Photo-EMF over the Area of a p–n Junction with Local Illumination
Koshelev O.G.
,
Kost T.N.
,
Chebotareva A.B.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 86, № 1, с. 54-58
DOI
2022
Влияние слоев и сеток контактов кремниевого солнечного элемента на распределение фото-эдс по площади p-n перехода при локальном освещении
Кошелев О.Г.
,
Кост Т.Н.
,
Чеботарева А.Б.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 86, № 1, с. 72-76
2020
A Device for Noncontact Determination of the Photosensitivity Distribution on Areas of n+–p(n)–p+-Type Silicon Structures
Koshelev O.G.
в журнале
Instruments and Experimental Techniques
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 63, № 4, с. 604-610
DOI
2020
Reduction in the Photosensitivity Contrast of Inhomogeneous n+–p(n)–p+ Structures of Silicon Measured while Scanning the p–n Junction with Light. the Russian Academy of Sciences
Koshelev O.G.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 84, с. 44-47
DOI
2020
Снижение контраста фоточувствительности неоднородных n+–p(n)–p+ -структур кремния, измеряемого при сканировании светом p–n-перехода
Кошелев О.Г.
в журнале
Известия АН СССР. Серия физическая
, том 84, № 1, с. 52-55
DOI
2020
Устройство для бесконтактного определения распределения фоточувствительности по площади кремниевых n+–p(n)–p+- структур
Кошелев О.Г.
в журнале
Приборы и техника эксперимента
, издательство
ИКЦ «Академкнига»
(Москва)
, № 4, с. 149-155
DOI
2018
Noncontact Determination of the Photosensivity Inhomogeneities of HIT Heterostructures Based on α-Si:H / c-Si
Koshelev O.G.
, Vasilev N.G., Reginevich M.A.,
Shnaidshtein I.V.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 82, № 11, с. 1421-1424
DOI
2018
Noncontact Determination of the Rate of Surface Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers at the p-p+ (n-n+) Boundaries of n+-p(n)-p+ Silicon Structures by Means of Compensation
Koshelev O.G.
, Vasiljev N.G.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 82, № 1, с. 98-101
DOI
2018
Бесконтактное обнаружение неоднородностей фоточувствительности гетероструктур типа HIT на основе a-Si:H/c-Si
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.,
Региневич М.А.
,
Шнайдштейн И.В.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 82, № 11, с. 1558-1561
DOI
2018
Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на границе p-p+ (n-n+) в кремниевых n+-p-p+ (p+-n-n+) структурах компенсационным методом
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 82, № 1, с. 109-113
DOI
2017
Reduction in the Contrast of Photoconductivity along the Area of Inhomogeneous P+-N(P)-N+-type Silicon Structures due to Currents along the P+- and N+-type Layers
Koshelev O.G.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 81, № 1, с. 34-37
DOI
2017
Separate determination of the photoelectric parameters of p+-n(p)-n+ silicon structure base region by noncontact method based on measurements of quantum efficiency relationships at two wavelengths
Koshelev O.G.
, Vasiljev N.G.
в журнале
Modern Electronic Materials
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 3, № 3, с. 127-130
DOI
2017
О СНИЖЕНИИ КОНТРАСТА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ НЕОДНОРОДНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР p+-n(p)-n+-ТИПА ИЗ-ЗА ТОКОВ ПО СЛОЯМ p+- и n+-ТИПА
Кошелев О.Г.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 81, № 1, с. 41-44
2017
О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на тыльной стороне пластин кремния с p–n переходами бесконтактным методом
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.
в журнале
Ученые записки физического факультета Московского Университета
, № 6, с. 1760704-1-1760704–4
2017
Определение фотоэлектрических параметров базовой области кремниевых структур p+—n(p)—n+–типа бесконтактным методом по отношениям коэффициентов собирания при двух длинах волн». . 2017. Т. 20, № 1. C. 00—00. DOI: 10.17073/1609-3577-2017-1-00-00
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, том 20, № 1, с. 60-66
2016
Microwave Photoconductivity of Bifacial Silicon Solar Cells of p+nn+ Type under Laser Irradiation
Koshelev O.G.
,
Untila G.G.
в журнале
Physics of Wave Phenomena
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 24, № 3, с. 214-218
DOI
2014
ON THE MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY OF BIFACIAL SILICON P +-N-N + SOLAR CELLS
Koshelev O.G.
, Mikhin A.A.,
Untila G.G.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 78, № 12, с. 1273-1276
DOI
2014
Особенности СВЧ-фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов p+–n–n+ типа
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
, Михин А.А.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 78, № 12, с. 1559-1563
DOI
2012
Microwave Photoconductivity Relaxation Time in a Bifacial Silicon Solar Cell Base in the Vicinity of a p–n Junction
Koshelev O.G.
,
Untila G.G.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 76, № 12, с. 1313-1315
DOI
2012
Определение времени релаксации СВЧ-фотопроводимости вблизи p–n-перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 76, № 12, с. 1468-1470
2011
Effect of coatings of silicon solar cells on their reflectance spectra and on the measured values of recombination parameters
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Physics of Wave Phenomena
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 19, № 2, с. 86-88
DOI
2010
Structural defects and band-structure parameters of CdAs2, ZnAs2, Cd1-xZnxAs2, and Zn1-xCdxAs2 single crystals
Marenkin S.F.
,
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 46, № 9, с. 1001-1006
DOI
2009
Impurity photovoltaic effect in p-i-n structures of undoped GaAs
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
,
Veretenkin E.P.
,
Gavrin V.N.
, Kozlova Yu P.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 64, № 2, с. 177-181
DOI
2008
On application of interference of millimeter and submillimeter waves for diagnostics of photoconductivity depth distribution in semiconductor wafers
Koshelev O.G.
,
Guseva E.A.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 72, № 1, с. 108-112
DOI
2008
Photoconductivity of thin a-Si : H films
Kazanskii A.G.
,
Koshelev O.G.
,
Sazonov A.Yu
,
Khomich A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 2, с. 192-194
DOI
2008
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
, Григорьева Г.М., Звягина К.Н.,
Спасский А.В.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 1, с. 52-56
2008
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
,
Григорьева Г.М.
, Звягина К.Н.,
Спасский А.В.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
, издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
(Москва)
, № 1, с. 52-56
2007
A method of determining the distribution of photoconductivity and its relaxation time over the semiconductor wafer thickness
Koshelev O.G.
, Guseva E.A.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 62, № 3, с. 193-197
DOI
2007
Optical and photoelectric properties of monoclinic Zn1-xCdxAs2 crystals
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Koshelev O.G.
,
Chernoguzov D.V.
,
Mikhailov S.G.
,
Molchanov A.V.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 43, № 3, с. 215-220
DOI
2006
Edge absorption and light propagation in single crystals of Zn1-xCdxAs2 solid solutions
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Koshelev O.G.
,
Chernoguzov D.V.
,
Mikhailov S.G.
,
Molchanov A.V.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 42, № 12, с. 1289-1293
DOI
2006
Optical absorption in monoclinic zinc diphosphide
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Koshelev O.G.
,
Trukhan V.M.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 42, № 3, с. 221-225
2005
DIAGNOSTICS OF INHOMOGENEITY IN DISTRIBUTION OF RECOMBINATION CENTERS IN SILICON PHOTOELECTRIC TRANSDUCERS FROM PHOTOCURRENT SPECTRA
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
, Grigorieva G.M., Zvyagina K.N.,
Spassky A.V.
в журнале
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 69, № 2, с. 319-325
2005
OPTICAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF CD1 - X ZN XAS2 SINGLE CRYSTALS
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
, Marenkin S.F., Mikhailov S.G.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 41, № 3, с. 212-216
2005
Structural defects in Cd1-xZnxAs2 solid solutions
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Mikhailov S.G.
,
Koshelev O.G.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 41, № 10, с. 1039-1042
DOI
2005
Диагностика неоднородностей распределения рекомбинационных центров в кремниевых фотопреобразователях по спектрам фототока
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
, Григорьева Г.М., Звягина К.Н.,
Спасский А.В.
в журнале
Известия Российской академии наук. Серия физическая
, том 69, № 2, с. 282-286
2003
A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements
Kozlova J.P.
, Bowles T.J., Eremin V.K.,
Gavrina V.N.
,
Koshelev O.G.
, Markov A.V.,
Morozova V.A.
, Polyakov A.J.,
Verbitskaya E.M.
,
Veretenkin E.P.
в журнале
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 512, № 1-2, с. 1-7
DOI
2003
CRYSTAL GROWTH AND PROPERTIES OF CD1-XZNXAS 2 SOLID SOLUTIONS
Marenkin S.F., Mikhailov S.G., Palkina K.K., Morozova V.A.,
Koshelev O.G.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 39, № 10, с. 1024-1027
2002
ENERGY LEVELS OF STRUCTURAL DEFECTS IN ZNAS2
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
, Marenkin S.F.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 38, № 4, с. 325-330
DOI
2001
Bulk GaAs as a Solar Neutrino Detector
Garvin V.N., Kozlova Y.P., Veretenkin E.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Verbitskaya E.M., Markov A.V., Polakov A.Y.,
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 466, № 1, с. 119-125
DOI
2001
О концентрации центров EL2 в монокристаллах GaAs, выращенных из расплава различного состава
Морозова В.А.
,
Веретенкин В.П.
,
Гаврин В.Н.
,
Кошелев О.Г.
,
Козлова Ю.П.
, Марков А.В.,
Поляков А.Я.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 3, с. 66-70
2001
О концентрации центров EL2 монокристаллах GaAs, выращенных из расплава различного состава
Морозова В.А.
,
Веретенкин В.П.
,
Гаврин В.Н.
,
Кошелев О.Г.
,
Козлова Ю.П.
,
Марков А.В.
,
Поляков А.Я.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 3, с. 66-70
2001
О концентрации центров EL2 онокристаллах GaAs, выращенных из расплава различного состава
Морозова В.А.
,
Веретенкин В.П.
,
Гаврин В.Н.
,
Кошелев О.Г.
,
Козлова Ю.П.
,
Марков А.В.
,
Поляков А.Я.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, № 3, с. 66-70
2000
A contactless device for determining the lifetime of minor charge carriers in silicon wafers with p-n-junctions
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Industrial Laboratory
, том 66, № 10, с. 669-670
2000
A microwave method for determination of the recombination rate of nonequilibrium charge carriers in the bulk and at the surface of doped silicon wafers
Koshelev O.G.
в журнале
Industrial Laboratory
, том 66, № 10, с. 663-665
2000
Anomalous photoconduction relaxation due to a nonuniform microware field in semiconductor wafers
Koshelev O.G.
в журнале
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
, том 64, № 12, с. 2448-2451
2000
Компенсационный метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в p-n структурах
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
в журнале
Инженерная физика
, № 2, с. 30-35
2000
Об определении параметров зонной структуры ZnAs2
Морозова В.А.
,
Маренкин С.Ф.
,
Кошелев О.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 41, № 2, с. 49-52
2000
• A contactless device for determining the lifetime of minor charge carriers in silicon wafers with p-n-junctions
Koshelev O.G.
, Morozova V.A.
в журнале
Industrial Laboratory
, том 66, № 10, с. 669-670
1999
TRANSMISSION SPECTRA OF ZNAS2 IN THE EXTRINSIC ABSORPTION REGION
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
, Marenkin S.F.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 35, № 7, с. 661-663
1999
О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина-зеркало
Кошелев О.Г.
,
Форш Е.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 40, № 1, с. 65-67
1998
A SERIES OF FREE EXCITON LINES IN ZINC DIARSENIDE
Morozova V.A.,
Vavilov V.S.
,
Koshelev O.G.
,
Chukichev M.V.
, Marenkin S.F.
в журнале
Physics of the Solid State
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 40, № 5, с. 808-809
DOI
1998
Lattice Defects in Undoped CdAs2 Monocrystals
Marenkin S.F.,
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
,
Biskupski G.
в журнале
Physica Status Solidi (B): Basic Research
, издательство
John Wiley & Sons Ltd.
(United Kingdom)
, том 210, № 2, с. 569-573
DOI
1998
Особенности распространения света в ZnAs2
Кошелев О.Г.
, Маренкин С.Ф.,
Миронов А.Г.
, Морозова В.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 39, № 6, с. 62-63
1998
“Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин.”
Кошелев О.Г.
,
Форш Е.А.
в журнале
Известия РАН
, том 62, № 12, с. 2422-2427
1997
FEATURES OF EDGE ABSORPTION IN ZINC DIARSENIDE
Morozova V.A.
,
Semenenya T.V.
, Forsh E.A.,
Koshelev O.G.
, Marenkin S.F.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 33, № 8, с. 770-775
1997
Особенности фотоэлектрических свойств диарсенида кадмия.
Морозова В.А.
,
Маренкин С.Ф.
,
Семененя Т.В.
,
Кошелев О.Г.
,
Раухман А.М.
в журнале
Неорганические материалы
, том 33, № 10, с. 1183-1189
1996
A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctions
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 39, № 9, с. 1379-1383
DOI
1996
OPTICAL TRANSITIONS IN PERFECT UNDOPED CDAS2 SINGLE CRYSTALS AT THE EDGE OF FUNDAMENTAL ABSORPTION AND IN THE RANGE OF IMPURITY ABSORPTION
Morozova V.A., Semenenya T.V.,
Koshelev O.G.
, Loseva S.M., Marenkin S.F., Raukhman A.M.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 32, № 1, с. 10-15
1996
PHOTOCURRENT ON THE N-TYPE SILICON PHOTOANODE COATED WITH A PROTECTIVE LAYER OF CONDUCTING OXIDES
Krotova M.D.,
Pleskov Yu V.
,
Morozov A.M.
,
Koshelev O.G.
в журнале
Russian Journal of Electrochemistry
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 32, № 12, с. 1376-1379
1996
Spectral response of the short-circuit photocurrent through CdAs2 diode structures
Morozova V.A.
,
Semenenya T.V.
,
Koshelev O.G.
,
Loseva S.M.
, Marenkin S.F., Raukhman A.M.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 32, № 11, с. 1163-1165
1996
ZINC AND CADMIUM DIARSENIDES SINGLE CRYSTALS AND FILMS: SYNTHESIS AND PHYSICOCHEMICAL PROPERTIES
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Koshelev O.G.
,
Semenenya T.V.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 37, № 4, с. 102
1996
Дифракция мессбауэровского излучения в совершенном кристалле кремния при воздействии ультразвука
Опаленко А.А.
,
Корнилова А.А.
,
Кошелев О.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 37, № 2, с. 102-104
1996
Диэлектрическая проницаемость диарсенида цинка в СВЧ диапазоне
Кошелев О.Г.
,
Семененя Т.В.
,
Морозова В.А.
,
Маренкин С.Ф.
, Маймасов А.Б.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 37, № 4, с. 102-105
1996
Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с р-п переходами
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 37, № 6, с. 73-78
1996
Особенности фототока на п-кремниевом фотоаноде, покрытом защитным слоем проводящих оксидов
Кротова М.Д., Плесков Ю.В.,
Кошелев О.Г.
, Морозов А.М.
в журнале
Электрохимия (Russian Journal of Electrochemistry)
, том 32, № 12, с. 1489-1492
1996
Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка
Морозова В.А.
,
Вавилов В.С.
,
Маренкин С.Ф.
,
Кошелев О.Г.
,
Чукичев М.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 40, № 5, с. 877-878
1996
Серия линий свободного экситона в спектрах диасенид цинка
Морозова В.А.
,
Семененя Т.В.
,
Маренкин С.Ф.
,
Кошелев О.Г.
,
Чукичев М.В.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 37, № 5, с. 86-89
1995
Determination of CdAs2 band-structure parameters from optical transmission and photoconductivity
Morozova V.A., Semenenya T.V., Loseva S.M.,
Koshelev O.G.
,
Marenkin S.F.
, Raukhman A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 3, с. 199-202
1994
Об измерении времени жизни неосновных носителей заряда в фотопреобразователях по зависимости переменной фотоэдс от частоты модуляции света
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 35, с. 55
1993
METHOD FOR DETERMINATION OF SMALL VALUES OF SHORT CIRCUIT CURRENT OF PHOTOELECTRIC CONVERTERS
Barinova E.Y.,
Grigor’eva G.M.
,
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Гелиотехника
, № 2, с. 8-12
1993
Measurement of short lifetimes of minority charge carriers in silicon solar cells irradiated by fast electrons
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
,
Bareinova Y.B.
,
Grigorjeva G.M.
,
Tkacheva E.H.
в журнале
Moscow University Physics Bulletin
, издательство
Allerton Press
(New York, N.Y., United States)
, том 48, № 4, с. 80-84
1993
ON A PHASE TECHNIQUE OF LIFE TIME DETERMINATION OF THE MINORITY CARRIERS IN THE BASE OF PHOTOCONVERTERS
Koshelev O.G.
,
Mikhajlov I.V.
в журнале
Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika)
, издательство
Allerton Press Inc.
(United States)
, том 29, № 4, с. 11-16
1991
Optical and photoelectric properties of zinc diarsenide single crystals
Morozova V.A.
,
Pishchikov D.I.
,
Loseva S.M.
,
Koshelev O.G.
,
Marenkin S.F.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 25, № 9, с. 1005-1007
1991
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида цинка
Морозова В.А.
,
Пищиков Д.И.
,
Лосева С.М.
, Маренкин С.Ф.,
Кошелев О.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 25, № 9, с. 1664
1990
PHYSICAL-PROPERTIES OF OPTICALLY CONTROLLED SILICON MICROWAVE MODULATORS AT NONSTATIONARY CONDITIONS .1
KOSHELEV OG
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII RADIOELEKTRONIKA
, том 33, № 10, с. 47-53
1990
PHYSICAL-PROPERTIES OF OPTICALLY CONTROLLED SILICON MICROWAVE MODULATORS AT NONSTATIONARY CONDITIONS .2
Koshelev O.G.
,
Pleskacheva T.B.
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII RADIOELEKTRONIKA
, том 33, № 10, с. 53-57
1990
Особенности фотоэлектрических свойств особо чистого кремния
Морозова В.А.
,
Остробородова В.В.
,
Кошелев О.Г.
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 31, с. 92-94
1990
Физические явления в фотоуправляемых модуляторах на основе кремния в стационарных условиях. Ч.1
Кошелев О.Г.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
, издательство
Киев. политехн. ин-т
(Киев)
, том 10, с. 47-53
1990
Физические явления в фотоуправляемых модуляторах на основе кремния при нестационарных условиях. Ч.2
Кошелев О.Г.
,
Плескачева Т.Б.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника
, издательство
Киев. политехн. ин-т
(Киев)
, № 10, с. 53-57
1989
Резонансные свойства несимметричных структур типа полупроводник-диэлектрик в прямоугольном волноводе
Кошелев О.Г.
,
Моденов В.П.
,
АФилонова Е.
в журнале
Известия высших учебных заведений. Радиофизика
, издательство
Науч.-исслед. радиофиз. ин-т
(Н.Новгород)
, том 32, с. 921-924
1988
DETERMINATION OF ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF A HEAVILY DOPED SILICON LAYER ON A HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATE BY FAR IR RADIATION TRANSMISSION
KOSHELEV OG
,
PLESKACHOVA TB
в журнале
Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, том 29, № 1, с. 75-80
1988
Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка
Морозова В.А.
,
Вавилов В.С.
,
Маренкин С.Ф.
,
Кошелев О.Г.
,
Чукичев М.В.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 40, № 5, с. 877-878
1987
Фотоуправляемые СВЧ твердотельные устройства
Кошелев О.Г.
в журнале
Энциклопедический словарь “Физика твердого тела”
1986
TRANSMISSION SPECTRA OF SILICON THIN DOPED LAYERS ON HIGH-RESISTANCE SUBSTRATE IN THE FAR IR REGION
KOSHELEV OG
,
PLESKACHEVA TB
, KHITROVA LN
в журнале
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
, издательство
Optical Society of America
(United States)
, том 60, № 4, с. 760-764
1985
THE USE OF HEAVILY DOPED SILICON IN A BOLOMETER HAVING A SEPARATED TARGET
KOSHELEV OG
, LAGUTKIN SA,
PLESKACHEVA TB
в журнале
Journal of Optical Technology
, издательство
Optical Society of America
(United States)
, том 52, № 9, с. 517-520
1980
KRAMERS-KRONIG RELATIONSHIP BETWEEN THE REAL AND IMAGINARY PARTS OF THE HIGH-FREQUENCY CONDUCTIVITY CONSIDERED AS FUNCTIONS OF A MAGNETIC-FIELD
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 14, № 10, с. 1211-1212
1979
ABSORPTION OF SUBMILLIMETER RADIATION BY BERYLLIUM-DOPED GERMANIUM
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, PLESKACHEVA T.B., SAPTSIN V.M., TYAPKINA N.D.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1198-1199
1979
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE ABSORPTION OF SUBMILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED GERMANIUM
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, PLESKACHEVA T.B., SAPTSIN V.M., TSIKUNOV A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 13, № 10, с. 1122-1124
1978
ABSORPTION ANISOTROPY OF SUB-MILLIMETER AND MILLIMETER RADIATIONS IN COMPENSATED P-GERMANIUM DURING MONOAXIAL COMPRESSION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M., RADCHENKO V.E.
в журнале
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
, том 42, № 6, с. 1202-1205
1977
ANISOTROPY OF ABSORPTION OF SUBMILLIMETER AND MILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED N-TYPE GERMANIUM SUBJECTED TO UNIAXIAL COMPRESSION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, SAPTSIN V.M., RADCHENKO V.E.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 11, № 6, с. 703-704
1977
DETERMINATION OF THE STRAIN POTENTIAL CONSTANT BY MEANS OF THE P-INSB PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA UNDER UNIAXIAL COMPRESSION
Valyashko E.G.,
Koshelev O.G.
, Pleskacheva T.B.
в журнале
Soviet Physics Journal
, том 19, № 2, с. 263-266
DOI
1976
ABSORPTION OF SUBMILLIMETER AND MILLIMETER RADIATION IN COMPENSATED P-TYPE GERMANIUM
VAVILOV VS
,
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
, REZNIKOV PV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 10, № 8, с. 947-948
1976
DETERMINATION OF DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS FROM PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF PARA-INSB UNDER UNIAXIAL PRESSURE
VALYASHKO EG,
KOSHELEV OG
,
PLESKACHEVA TB
в журнале
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA
, № 2, с. 159-162
1975
ANISOTROPY OF CONDUCTIVITY OF P-TYPE INSB UNDER UNIAXIAL COMPRESSION
VALYASHKO EG,
KOSHELEV OG
,
PLESKACHEVA TB
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 11, с. 1434-1435
1975
CYCLOTRON-RESONANCE OF HOLES GENERATED IN UNIAXIALLY COMPRESSED SILICON BY IMPURITY-ABSORBED CO2-LASER RADIATION
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 9, с. 1105-1107
1975
INFLUENCE OF UNIAXIAL DEFORMATION ON CONDUCTIVITY OF COMPRESSED P-TYPE GE AND ON CHANGE IN CONDUCTIVITY DUE TO MICROWAVE RADIATION
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 12, с. 1557-1558
1975
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CHANGE IN CONDUCTIVITY DUE TO ABSORPTION OF MICROWAVE RADIATION IN COMPENSATED P-TYPE GE
VAVILOV VS
,
KAZANSKII AG
,
KOSHELEV OG
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 9, с. 1182-1183
1974
CYCLOTRON-RESONANCE INVESTIGATION OF HEATING OF HOLES IN P-TYPE SI BY IMPURITY-ABSORBED CO2-LASER RADIATION
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 8, № 2, с. 277-278
1974
Циклотронный резонанс дырок в одноосно сжатом кремнии, генерируемых примесной подсветкой от СО2 лазера
Кошелев О.Г.
, Казанский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 8, с. 1705-1710
1973
INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION ON CONDUCTIVITY OF COMPENSATED P-TYPE GE AT LIQUID-HELIUM TEMPERATURES
VAVILOV V.S.,
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
, ABATUROV M.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 7, № 5, с. 688-689
1973
Анизотропия рассеяния электронов в кремнии
Кошелев О.Г.
,
Казнский А.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 6, с. 953-956
1973
Приставка к гелиевому криостату для исследования оптических и фотоэлектрических свойств полупроводников при одноосном сжатии
Кошелев О.Г.
,
Плескачева Т.Б.
в журнале
Приборы и техника эксперимента
, издательство
ИКЦ «Академкнига»
(Москва)
, № 3, с. 273
1973
Электропроводность InSb при одноосном сжатии
Кошелев О.Г.
,
Валяшко Е.Г.
,
Плескачева Т.Б.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 7, с. 1360
1972
ANISOTROPY OF ELECTRON-SCATTERING IN N-TYPE SI
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 6, № 5, с. 826-830
1972
CYCLOTRON-RESONANCE OF ELECTRONS GENERATED BY IMPURITY EXCITATION OF SILICON WITH A CO2-LASER
KAZANSKII A.G.
,
KOSHELEV O.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 6, № 2, с. 218-221
1971
CRYOSTAT FOR STUDYING CYCLOTRON RESONANCE UNDER UNIAXIAL STRESS
Klyava Ya G.
,
Koshelev O.G.
в журнале
Cryogenics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 11, № 5, с. 402-404
DOI
1971
CYCLOTRON RESONANCE OF HOLES IN UNIAXIALLY COMPRESSED SILICON
KLYAVA Y.G.,
KOSHELEV O.G.
, LISOVSKAYT Y.,
KAZANSKII A.G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 5, № 3, с. 375-379
1971
Циклотронный резонанс дырок в одноосно сжатом кремнии
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
, Казанский А.Г.,
Лисовская Т.Ю.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 5, с. 428-436
1970
Влияние температуры и СВЧ на проводимость германия с бериллием при гелиевых температурах
Вавилдов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
,
Тяпкина Н.Д.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 4, с. 1683-1689
1970
Криостат для исследования циклотронного резонанса при одноосном сжатии
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
в журнале
Приборы и техника эксперимента
, издательство
ИКЦ «Академкнига»
(Москва)
, том 5, с. 212-215
1969
Влияние СВЧ на проводимость компенсированного германия п-типа при гелиевых температурах
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 3, с. 1265-1268
1969
Исследование спектральной зависимости сечений фотоионизации атомов фосфора и А-центров в кремнии методом ЭПР
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 3, с. 204-216
1968
Spin-lattice relaxation of A-center electrons in silicon
Koshelev O.G.
, Koval Yu P., Klyava Ya G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 1, № 8, с. 1057-1058
1968
Spin-lattice relaxation of A-center electrons in silicon
Koshelev O.G.
,
Koval Yu P.
, Klyava Ya G.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 1, № 8, с. 1057-1058
1967
A cryostat for studying the effect of light on the electron paramagnetic resonance spectra of substances at helium temperatures
Koshelev O.G.
в журнале
Cryogenics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 7, № 6, с. 370-371
DOI
1967
A cryostat for studying the effect of light on the electron paramagnetic resonance spectra of substances at helium temperatures
Koshelev O.G.
в журнале
Cryogenics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 12, с. 370-371
1967
Исследование рекомбинационных свойств А-центров в кремнии при гелиевых температурах
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
, Коваль Ю.П.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 1, № 1, с. 15-19
1967
Спин-решеточная релаксация электронов А-центров в кремнии
Кошелев О.Г.
,
Коваль Ю.П.
,
Клява Я.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 1, с. 1266-1268
1967
Спин-решеточная релаксация электронов фосфора в кремнии, компенсированного А-центрами
Кошелев О.Г.
,
Коваль Ю.П.
, Клява Я.Г.
в журнале
Физика и техника полупроводников
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 1, с. 1731-1733
1966
Влияние освещения на электронную спин-решеточную релаксацию фосфора и А-центров в кремнии
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
, Коваль Ю.П.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 8, с. 2395-2399
1966
Исследование межпримесной рекомбинации между фосфором и бором в кремнии
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Коваль Ю.П.
,
Клява Я.Г.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 8, с. 3449-3451
1966
Криостат для исследования влияния света на спектры ЭПР
Кошелев О.Г.
в журнале
Приборы и техника эксперимента
, издательство
ИКЦ «Академкнига»
(Москва)
, том 6, с. 216-218
1966
Спин-решеточная релаксация электронов фосфора в кремнии
Кошелев О.Г.
,
Вавилов В.С.
в журнале
Физика твердого тела
, издательство
Наука. С.-Петерб. отд-ние
(СПб.)
, том 8, с. 593-595
Статьи в сборниках
1973
Низкотемпературная проводимость германия, облученного медленными нейтронами влияние на нее одноосного сжатия
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках, Новосибирск
, с. 263-266
Книги
1977
Библиографический сборник "Физики полупроводников в сантиметровом, миллиметровом и субмиллметровом диапазонах"
Плескачева Т.Б.,
Кошелев О.Г.
,
Еленский В.Г.
место издания
Типография МГУ Москва
, 220 с.
Доклады на конференциях
2021
Влияние поверхностных слоев и сетки контактов кремниевого солнечного элемента на распределение фото ЭДС по площади p-n перехода при локальном освещении.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Кост Т.Н.
,
Чеботарева А.Б.
XXXII Всероссийская школа-семинар «Волновые явления: физика и применения» имени А.П. Сухорукова («Волны-2021»)
, Москва, Россия, 6-11 июня 2021
2020
Снижение контраста фоточувствительности неоднородных N+-P(N)-Р+ структур кремния, измеряемого при освещении всей поверхности P-N перехода
(Устный)
Автор:
Кошелев О.Г.
XVII Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2020»)
, Москва, Россия, 23-28 августа 2020
2019
Снижение контраста фоточувствительности неоднородных N+-P(N)-P+ структур кремния, измеряемого при сканировании светом P-N перехода
(Устный)
Автор:
Кошелев О.Г.
XVII Всероссийская школа-семинар «Физика и применение микроволн» имени профессора А.П. Сухорукова (Волны 2019)
, Красновидово, Московская область, Россия, 26-31 мая 2019
2018
Бесконтактное обнаружение неоднородностей фоточувствительности гетероструктур типа HIT на основе α-Si:H / c-Si».
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Шнайдштейн И.В.
,
Региневич М.А.
,
Васильев Н.Г.
XVI Всероссийская школа-семинар "Волновые явления в неоднородных средах" имени профессора А.П. Сухорукова ( "Волны-2018")
, Красновидово, Моск. обл., Россия, 27 мая - 1 июня 2018
2017
Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на границе p-p+ (n-n+) кремниевых n+-p-p+ (p+-n-n+) структур компенсационным методом
(Устный)
Авторы:
Васильев Н.Г.
,
Кошелев О.Г.
XVI Всероссийская школа-семинар
, г.Можайск. Московская область, Россия, 4-9 июня 2017
2016
«О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p+- n(p)- n+ типа из-за токов по слоям p+ и n+ типа».
(Устный)
Автор:
Кошелев О.Г.
XV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»)
, Красновидово, Московская область, Россия, 5-10 июня 2016
2016
«О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на тыльной стороне пластин кремния с p-n переходами бесконтактным методом
(Устный)
Авторы:
Васильев Н.Г.
,
Кошелев О.Г.
XV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»)
, Красновидово, Московская область, Россия, 5-10 июня 2016
2015
О времени релаксации СВЧ фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении.
(Стендовый)
Авторы:
Унтила Г.Г.
,
Кошелев О.Г.
XII Российская конференция по физике полупроводников
, Москва, Ершово, Россия, 20-25 сентября 2015
2015
СВЧ-фотопроводимость двусторонних кремниевых солнечных элементов p+-n-n+ типа при освещении лазером
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова ( "Волны-2015")
, Московская область, Можайский район, д. Красновидово, Россия, 1-6 июня 2015
2014
Особенности СВЧ-фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов p+–n–n+ типа
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Михин А.А.
,
Унтила Г.Г.
XIV Всероссийский семинар «Волновые явления в неоднородных средах» ("Волны-2014)
, Красновидово, 2014
2012
Определение времени релаксации СВЧ фотопроводимости вблизи p-n перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов.
(Устный)
Авторы:
Унтила Г.Г.
,
Кошелев О.Г.
13-я Всероссийсская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах»
, Звенигород, Московская область, 2012
2011
Влияние выбора спектра поглощения кремния на точность определения рекомбинационных параметров базовой области фотопреобразователей по спектрам их фоточувствительности.
(Устный)
Авторы:
Морозова В.А.
,
Кошелев О.Г.
VIII Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний-2011"
, г. Москва, Россия, 2011
2010
Влияние покрытий кремниевых фотопреобразователей на их спектры отражения и на измеряемые значения рекомбинационных параметров.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
XII Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах»
, Звенигород, 2010
2009
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах из арсенида галлия.
(Устный)
Авторы:
Морозова В.А.
,
Кошелев О.Г.
,
Козлова Ю.П.
,
Гаврин В.Н.
,
Веретенкин Е.П.
Международная конференция по физики полупроводников.
, Новосибирск, Россия, 14-18 сентября 2009
2007
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователях, облученных протонами малых энергий.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
,
Спасский А.В.
,
Звягина К.Н.
,
Григорьева Г.М.
Четвертая российская конференция «Кремний 2007»
, Москва, Россия, 2007
2007
Особенности спектральной зависимости коэффициента собирания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами малых энергий.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Звягина К.Н.
,
Спасский А.В.
,
Григорьева Г.М.
,
Морозова В.А.
4 российская конференция по материаловедению и физико-химическ4им основам технологий получения легированных кристаллов кремния «Кремний 2007»
, Москва, Россия, 2-6 июля 2007
2007
О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин.
(Устный)
Авторы:
Гусева Е.А.
,
Кошелев О.Г.
XI Всероссийская школа-семинар «Физика и применение микроволн» («Волны-2007»), Россия, Московская область, Звенигород, 21-26 мая 2007 года
, Московская область, Звенигород, Россия, 21-26 мая 2007
2004
Optical and photoelectrical properties of Cd1-xZnxAs2 solid solutions
(Устный)
Авторы:
Morozova V.A.,
Marenkin S.V.
,
Koshelev O.G.
,
Mikhailov S.G.
,
Varnavsky S.A.
INTERNATIONAL CONFERENCE on materials science.
, Kishinev, Молдова, Республика, 21-26 сентября 2004
2002
A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements
(Устный)
Авторы:
Kozlova J.P.
,
Bowles T.J.
,
Eremin V.K.
,
Gavrin V.N.
,
Koshelev O.G.
,
Markov A.V.
,
Morozova V.A.
,
Poljakov A.J.
,
Verbitskaja E.M.
,
Veretenkin E.P.
9th EUROPEAN SYMPOIUM ON SEMICONDUCTOR DETECTORS
, Schloss Elmau, Германия, , Германия, 23-27 июня 2002
2001
Структурные дефекты в ZnAs2
(Устный)
Авторы:
Морозова В.А.
,
Кошелев О.Г.
,
Маренкин С.Ф.
V Российская конференция по физике полупроводников.
, г. Нижний Новгород, 2001
2001
Anomalous light propagation in ZnAs2
(Устный)
Авторы:
Marenkin S.F.
,
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
,
Mikhailov S.G.
Intern. scient. conf. on materials and condenced matter physics
, Молдова, Республика, 5-7 июля 2001
1999
Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин.
(Устный)
Авторы:
Форш Е.А.
,
Кошелев О.Г.
7-я Всероссийская школа-семинар “Физика и применение микро волн”.
, Моск.обл. Красновидово, Россия, 24-28 мая 1999
1999
Бесконтактный способ определения неоднородностей времени релаксации неравновесных носителей в полупроводниковых пластинах.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Форш Е.А.
XI Международная зимняя школа по СВЧ электронике и радиофизике
, Саратов, Россия, 1-5 марта 1999
1998
“Определение неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин по измерениям отражения и пропускания”.
(Устный)
Авторы:
Форш Е.А.
,
Кошелев О.Г.
8-я международная крымская конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”.
, Севастополь. , Россия, 14-17 сентября 1998
1998
Lattice defects in undoped CdAs2 monocrystals. . July. 1998.
(Устный)
Авторы:
Marenkin S.F.
,
Morozova V.A.
,
Koshelev O.G.
,
Biskupski G.
Int.Conf. SLCS-98, Montpellier. France
, Монпелье, Франция, 6-10 июля 1998
1998
“Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин.”
(Устный)
Авторы:
Форш Е.А.
,
Кошелев О.Г.
VI Всероссийская школа-семинар “Волновые явления в неоднородных средах”.
, Красновидово, Моск.обл. , Россия, 18-23 мая 1998
1997
Light Propagation in ZnAs2,
(Устный)
Авторы:
Morozova V.A.
,
Marenkin S.F.
,
Koshelev O.G.
III Vserossiiskaya konferentsiya po fizike poluprovodnikov(III All-Russia Conf. on Semiconductor Physics)
, Москва, Россия, 8-12 сентября 1997
1997
Диагностика неоднородностей полупроводниковых пластин по отражению электромагнитных волн микроволнового и ИК диапазонов.
(Устный)
Авторы:
Форш Е.А.
,
Кошелев О.Г.
6-я Всероссийская школа-семинар “Физика и применение микроволн”.
, Красновидово, Моск.обл. , Россия, 19-23 мая 1997
1996
Пропускание структуры диэлектрический волновод-неоднороный полупроводник
(Устный)
Авторы:
Форш Е.А.
,
Кошелев О.Г.
5-й Всероссийская школа-семинар “Волновые явления в неоднородных средах"
, Москва, Россия, 1996
1996
Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с р-п переходами.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
2-ая Российская конференция по физике полупроводников.
, Зеленогорск. , Россия, 16-20 сентября 1996
1996
Оптические и фотоэлектрические свойства CdAs2
(Устный)
Авторы:
Морозова В.А.
,
Маренкин С.Ф.
,
Форш Е.А.
,
Семененя Т.В.
,
Кошелев О.Г.
2-ая Российская конференция по физике полупроводников.
, Зеленогорск. , Россия, 16-20 сентября 1996
1995
Амплитудный оптоуправляемый модулятор миллиметровых волн.
(Устный)
Авторы:
Буторин С.В.
,
Кошелев О.Г.
5-я Всероссийская школа-семинар “Физика и применение миллиметровых и субмиллиметровых волн”.
, Московская область. Красновиово, Россия, 22-26 мая 1995
1995
Оптоуправляемый фазовращатель миллиметровых волн.
(Устный)
Автор:
Кошелев О.Г.
5-я Всероссийская школа-семинар “Физика и применение миллиметровых и субмиллиметровых волн”.
, Московская область. Красновиово, Россия, 22-26 мая 1995
1994
Методика расчета скорости релаксации СВЧ волны, взаимодействующей с полупроводниковой пластиной при синусоидальной модуляции ее фотопроводимости.
(Устный)
Авторы:
Козлов Р.И.
,
Кошелев О.Г.
4-я всеросийская школа семинар "Волновые явления в неоднородных средах".
, Красновидово, 1994
1993
СВЧ способ определения скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на поверхности легированной полупроводниковой пластины.
(Устный)
Авторы:
Козлов Р.И.
,
Кошелев О.Г.
2-я Всероссийская школа-семинар “Физика и применение микроволн.”
, Московская область. Красновидово, Россия, 24-29 мая 1993
1988
Дифракция волны Н10 в прямоугольном волноводе на резонансных полупроводниково-диэлектрических структурах
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Филонова Е.А.
,
Моденов В.П.
2-я Всесоюзная школа “Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами”.
, Саратов, Россия, 20-24 июня 1988
1988
О кинетике СВЧ фотопроводимости высокоомного кремния при высоких уровнях инжекции.
(Устный)
Авторы:
Плескачева Т.Б.
,
Кошелев О.Г.
2-я Всесоюзная школа “Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами”.
, Саратов, Россия, 20-24 июня 1988
1988
Полупроводниково-диэлектрические структуры в волноводах.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Моденов В.П.
,
Пирогов Ю.А.
2-я Всесоюзная школа “Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами”.
, Саратов, Россия, 20-24 июня 1988
1985
Об СВЧ транспарантах на основе кремния, управляемых светом.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Астафьев И.А.
,
Коренков Р.Ф.
,
Николаева В.И.
,
Авраменко А.Н.
2-ая Всесоюзная научно-техническая конференция “Проблемы развития радиооптики”.
, Тбилиси, Грузия, 19-22 августа 1985
1984
Исследование двухслойной кремниевой структуры методом переменной нагрузки в диапазоне СВЧ.
(Устный)
Авторы:
Плескачева Т.Б.
,
Кошелев О.Г.
Всесоюзный научный семинар "Методы синтеза и применение многослойных интерференционных систем".
, г.Москва, Россия, 1984
1984
Определение поверхностного сопротивления легированного слоя на высокоомной подложке по пропусканию субмиллиметового излучения.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Плескачева Т.Б.
,
Лагуткин С.А.
,
Куприянов С.В.
Всесоюзный научный семинар "Методы синтеза и применение многослойных интерференционных систем".
, г.Москва, Россия, 1984
1984
Оптические свойства слоистой структуры, состоящей из двух тонких сильно поглощающих слоев на непоглощающей подложке
(Устный)
Автор:
Кошелев О.Г.
Всесоюзный научный семинар "Методы синтеза и применение многослойных интерференционных систем".
, г.Москва, Россия, 1984
1984
О дифракционных потерях при взаимодействии СВЧ излучения с полупроводниковой пластиной поперечных размеров порядка длины волны
(Устный)
Авторы:
Плескачева Т.Б.
,
Кошелев О.Г.
Всесоюзный семинар “Взаимодействие э.м. волн с полупроводниково-диэлектрическими структурами и проблемы создания интегральных КВЧ схем”.
, Саратов, Россия, 11-15 июня 1984
1984
О поглощении длинноволнового ИК излучения двухслойными структурами кремния при гелиевых температурах
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Вавилов В.С.
,
Баскаков А.Н.
,
Лагуткин С.А.
4 Всесоюзный семинар по тепловым приемникам излучения
, Москва, Россия, 4-8 июня 1984
1984
Спектральная зависимость поглощения двухслойных структур в области 20-200 мкм.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Баскаков А.Н.
,
Лагуткин С.А.
,
Кошелев О.Г.
4 Всесоюзный семинар по тепловым приемникам излучения
, Москва, Россия, 4-8 июня 1984
1983
О спектральной зависимости чувствительности композиционных кремниевых болометров.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Хитрова Л.Н.
,
Плескачева Т.Б.
,
Лагуткин С.А.
10-ой Всесосоюзной научной конференции “Электроника сверхвысоких частот”.
, Минск, Россия, 6-10 июня 1983
1982
Поглощение субмиллиметрового излучения сильно легированным кремнием при гелиевых температурах.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Баскаков А.Н.
,
Лагуткин С.А.
,
Хитрова Л.Н.
Всесоюзная конференция по физике полупроводников.
, г. Баку, 1982
1981
Методика исследования оптических констант двухслойных полупроводниковых структур в субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Трухин А.П.
,
Лагуткин С.А.
,
Баскаков А.Н.
1-я Всесоюзная межвузовская научно-техническая конференция “Оптические и радиоволновые методы и средства неразрушающего контроля качества материлов и изделий”.
, Фергана, Таджикистан, 5-9 октября 1981
1980
Поглощение субмиллиметрового излучения сильно легированными тонкими слоями кремния
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Хитрова А.П.
,
Трухин Л.Н.
,
Лагуткин С.А.
3 Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Горький, Россия, 6-10 октября 1980
1980
Смещение в длинноволновую область красной границы примесной фотопроводимости германия при одноосном сжатии.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
3 Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Горький, Россия, 6-10 октября 1980
1978
Поглощение субмиллиметрового излучения в германии с бериллием.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
,
Тяпкина Н.Д.
,
Плескачева Т.Б.
, Сапцин В.М.
2-ой Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Харьков, Украина, 3-7 июля 1978
1978
Температурная зависимость поглощения субмиллиметрового излучения компенсированным германием.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М.,
Цикунов А.В.
2-ой Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам.
, Харьков, Украина, 3-7 июля 1978
1978
Циклотронный резонанс электронов в антимониде индия при гидростатическом сжатии.
(Устный)
Авторы:
Сапцин В.М.,
Сапцина Т.Н.
,
Кошелев О.Г.
ХХ-ый Амперовский Конгресса
, Таллин, Эстония, 12-16 июня 1978
1977
Поглощение миллиметрового и субмиллиметрового излучения компенсированным п-германием при одноосном сжатии
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Радченко В.Е.
,
Казанский А.Г.
, Сапцин В.М.
Семинар по фотоэлектрической спектроскопии полупроводников
, Россия, 17-21 января 1977
1977
Поглощение субмиллиметрового и миллиметрового излучения компенсированным п-германием при одноосном сжатии
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Радченко В.Е.
, Сапцин В.М.,
Казанский А.Г.
Семинар по фотоэлектрической спектроскопии полупроводников
, Россия, 17-21 января 1977
1975
Влияние одноосного сжатия на гальвано-магнитные и фотоэлектрические свойства p-InSb при низких температурах
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Плескачева Т.Б.
,
Валяшко Е.Г.
5-ая международная конференция по физике и технике высоких давлений.
, Россия, 23-27 июня 1975
1974
Рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей в кремнии, генерируемых примесным возбуждением от СЩ2 лазера
(Устный)
Авторы:
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
Международное совещание по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле
, Варна, Болгария, 9-14 сентября 1974
1974
Исследование горячих дырок в кремнии генерируемых СО2 лазером при гелиевых температурах.
(Устный)
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Симпозиум по физике плазмы и неустойчивости в твердых телах.
, Вильнюс, Литва, 20-24 мая 1974
1973
Низкотемпературная проводимость германия, облученного медленными нейтронами и влияние на нее одноосного сжатия
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
Всесоюзное совещание по дефектам структуры в полупроводниках
, Новосибирск, Россия, 2-7 июля 1973
1969
Влияние СВЧ на проводимость компенсированного Ge p-типа при гелиевых температурах.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Клява Я.Г.
,
Кошелев О.Г.
VI Межвузовской конф. по электронике СВЧ
, Минск, 1969
1969
О межпримесной рекомбинации в кремнии и германии
(Устный)
Авторы:
Клява Я.Г.
,
Кошелев О.Г.
II Всесоюзная конференция по основам электрофотографии
, Вильнюс, Литва, 15-20 сентября 1969
1965
Исследованиекинетики электронных переходов в кремнии под воздействием света методом ЭПР.
(Устный)
Авторы:
Вавилов В.С.
,
Коваль Ю.П.
,
Кошелев О.Г.
4 Всесоюзное совещание по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках
, Одесса, Россия, 6-11 сентября 1965
Тезисы докладов
2017
Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на границе p-p+ (n-n+) кремниевых n+-p-p+ (p+-n-n+) структур компенсационным методом
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.
в сборнике
Сборник трудов XVI Всероссийской школы-семинара «Физика и применение микроволн» имени профессора А.П. Сухорукова («Волны-2017»)
, серия
Секция 9. Спектроскопия, диагностика и томография
, место издания
Москва
, тезисы, с. 32-34
2016
О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на тыльной стороне пластин кремния с p-n переходами бесконтактным методом
Кошелев О.Г.
, Васильев Н.Г.
в сборнике
Сборник трудов XV Всероссийской школы-семинара «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»)
, серия
Секция 5. Спектроскопия и томография
, место издания
Москва
, тезисы, с. 44-44
2016
О снижении контраста фотоповодимости по площади неоднородных кремниевых структур n+-p(n)-p+ типа из-за токов по слоям p+ и n+ типа»
Кошелев О.Г.
в сборнике
Труды школы-семинара «Волны-2016». Спектроскопия и томография стр.38
, серия
-
, издательство
Изд-во Моск. ун-та
(М.)
, тезисы, с. 38-38
2015
О времени релаксации СВЧ фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении»
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
в сборнике
XII Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. http://semicond-2015.lebedev.ru/
, место издания
Москва
, тезисы, с. 380
2015
СВЧ фотопроводимость двусторонних кремниевых солнечных элементов p+-n-n+ типа при освещении лазером»
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
в сборнике
Труды школы-семинара "Физика и применение микроволн” ("Волны-2015")
, серия
Спектроскопия, диагностика и томография
, место издания
http://waves.phys.msu.ru
, тезисы, с. 24
2014
Особенности СВЧ-фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов p+–n–n+ типа»
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
,
Михин А.А.
в сборнике
Труды XIV Всероссийской школы-семинара «Волновые явления в неоднородных средах» («Волны-2014»)
, серия
Секция 4. Спектроскопия и томография
, место издания
Москва
, тезисы
2012
Определение времени релаксации СВЧ фотопроводимости вблизи p-n перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов»
Кошелев О.Г.
,
Унтила Г.Г.
в сборнике
13-я Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах», Звенигород, Московская область
, тезисы
2011
Влияние выбора спектра поглощения кремния на точность определения рекомбинационных параметров базовой области фотопреобразователей по спектрам их фоточувствительности»
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
в сборнике
Международная научная школа молодых ученых и специалистов
, место издания
Москва
, тезисы
1997
Особенности распространения света в ZnAs2
Кошелев О.Г.
, Маренкин С.Ф.,
Миронов А.Г.
, Морозова В.А.
в сборнике
XII Всеросс. конф. по физике полупроводников, тезисы докладов
, место издания
Москва
, тезисы
1980
Смещение в длинноволновую область красной границы примесной фотопроводимости германия при одноосном сжатии
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «III Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Горький
, том 6, тезисы, с. 239-239
1978
Поглощение субмиллиметрового излучения в германии с бериллием
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
, Плескачева Т.Б., Сапцин В.М., Тяпкина Н.Д.
в сборнике
Материалы «II Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Харьков
, место издания
Харьков
, том 2, тезисы, с. 75-75
1978
Температурная зависимость поглощения субмиллиметрового мизлучения компенсированным германием
Вавилов В.С.,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
, Сапцин В.М., Цикунов А.В.
в сборнике
Материалы «II Всесоюзного симпозиума по миллиметровым и субмиллиметровым волнам" Харьков
, место издания
Харьков
, том 2, тезисы, с. 73-73
1974
Исследование горячих дырок в р-кремнии, генерируемых СО2 лазером при гелиевых температурах
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «Второго симпозиума по физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах» Вильнюс
, тезисы, с. 56-57
1974
Рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей в кремнии, генерируемых примесным возбуждением от СО2 лазера при гелиевых температурах
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы «Международного совещания по оптическим и фотоэлектрическим явлениямв твердом теле" Варна, Болгария
, тезисы, с. 51-51
1972
Исследование рассеяния и рекомбинации электронов на ионизованной примеси в кремнии методом циклотронного резонанса
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
в сборнике
Материалы научной конференции «Ломоносовские чтения» МГУ, секция физики
, тезисы, с. 28-28
НИРы
27 октября 2014 - 20 ноября 2016
Исследования текстурированной поверхности и интерфейсов аморфно-кристаллических структур на основе кремния
Физический факультет
Руководитель:
Кашкаров П.К.
Участники НИР:
Воронцов А.С.
,
Жигунов Д.М.
,
Ильин А.С.
,
Казанский А.Г.
,
Кошелев О.Г.
,
Мартышов М.Н.
,
Форш П.А.
1 января 1999 - 31 декабря 2025
Электронные процессы в полупроводниковых структурах и материалах для электроники и оптоэлектроники
Физический факультет
Руководители:
Днепровский В.С.
,
Снигирев О.В.
Участники НИР:
Белогорохова Л.И.
,
Васильев А.А.
,
Голинская А.Д.
,
Дагесян С.А.
,
Днепровский В.С.
,
Дорофеев А.А.
,
Звягин И.П.
,
Казанский А.Г.
,
Козлова М.В.
,
Кошелев О.Г.
,
Краевский М.В.
,
Курова И.А.
,
Лебедев А.И.
,
Манцевич В.Н.
,
Мещерякова О.И.
,
Миронов А.Г.
,
Ормонт М.А.
,
Ормонт Н.Н.
,
Савинов В.П.
,
Случинская И.А.
,
Смирнов А.М.
,
Сухова Н.И.
,
Хенкин М.В.
,
Чукичев М.В.
,
Шорохов В.В.
,
Юнович А.Э.
,
Якунин В.Г.
Патенты
2023
Способ определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда в P(N) слоях локальных участков кремниевых солнечных элементов N+-P(N)-P+ типа
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Снигрев О.В.
#2789711, 7 февраля
1994
Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Морозова В.А.
#2019890, 15 сентября
Отчеты
2014
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ И МАТЕРИАЛАХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Авторы:
Днепровский Владимир Самсонович
,
Звягин Игорь Петрович
,
Казанский Андрей Георгиевич
,
Козлова Мария Владимировна
,
Кошелев Олег Григорьевич
,
Курова Ида Александровна
,
Лебедев Александр Иванович
,
Манцевич Владимир Николаевич
,
Миронов Александр Григорьевич
,
Ормонт Михаил Александрович
,
Ормонт Наталия Николаевна
,
Случинская Ирина Александровна
,
Смирнов Александр Михайлович
,
Сухова Наталья Ивановна
,
Чукичев Михаил Васильевич
,
Юнович Александр Эммануилович
,
Хенкин Марк Вадимович
#01990001318, 9 с.
1986
Разработка фотоуправляемого модулятора для радиометров СВЧ излучения
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Вавилов В.С.
#No. 31/82, 110 с.
1985
Исследование взаимодействия СВЧ излучения с неравновесными носителями в полупроводниках.
Авторы:
Кошелев О.Г.
,
Вавилов В.С.
#х/д 38/82, 180 с.
Участие в программных комитетах конференций
10-21 апреля 2023
XXX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2023». Секция «Физика»
Член программного комитета
Москва, Россия
Членство в диссертационных советах
21 сентября 1992 - 10 февраля 2006
Секция Ученого совета МГПИ, Московский Педагогический Государственный Университет
01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
8 мая 1991 - 20 сентября 2002
01.04.10, физический факльтет МГУ
01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Руководство диссертациями
2001
Определение неоднороднодностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
Кандидатская диссертация по специальности 01.00.00 - ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ (физ.-мат. науки)
Автор:
Гусева Е.А.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
, МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Д 501.001.70
при Московском Государственном Университете имени М.В.Ломоносова
Организация, в которой выполнялась работа:
в Московском Государственном Университете имени М.В.Ломоносова, Физический факультет
Ведущая организация:
Московский инженерно-физический институт
Оппоненты:
Мельников А.П.
,
Козарь А.В.
1973
Исследование фотоэлектрических явлений в кремнии и германии с помощью СВЧ
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
Автор:
Казанский А.Г.
, д.ф.-м.н., проф.
Научные руководители:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
, МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Секция № 2 Ученого совета Отделения физики твердого тела физического факультета МГУ
при Московский государственный университет, Физический факультет
Организация, в которой выполнялась работа:
Московский государственный университет
Ведущая организация:
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Оппоненты:
Гершензон Е.М.
1970
Исследование фотоэлектрических явлений в кремнии и германии с помощью СВЧ
Кандидатская диссертация по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния (физ.-мат. науки)
Автор:
Клява Я.Г.
Научные руководители:
Вавилов В.С.
,
Кошелев О.Г.
, МГУ имени М.В. Ломоносова
Защищена в совете
Секция № 2 Отделения физики твердого тела физического факультета МГУ
при Московский государственный университет
Организация, в которой выполнялась работа:
физический факультет МГУ
Оппоненты:
Гершензон Е.М.
Руководство дипломными работами
2017
Неразрушающий способ измерения распределения фотопроводимости по площади пластины кремния с p-n переходом
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Васильев Н.Г. (Бакалавр)
2014
Особенности СВЧ фотопроводимости двусторонних кремниевых солнечных элементов с базой n-типа.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Михин А.А. (Специалист)
2007
Влияние p-p+ перехода на фоточувствительность на фотопреобразователя, облученного протонами, n+-p-p+ типа..
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Данилин А.Н (Специалист)
2005
Анализ спектральной зависимости тока короткого замыкания кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Перлов Е.В. (Специалист)
2001
Влияние неоднородности распределения рекомбинационных центров в базе фотопреобразователя на его коэффициент собирания.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Шаракшанэ А.С. (Специалист)
1995
Разработка метода определения подвижности неосновных носителей заряда в кремниевых фотопребразователях.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Панин П.А. (Специалист)
1994
Разработка автоматизированног устройства для контроля фотоэлектрических параметров кремниевых диодных структур
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Парфенов О.Н. (Специалист)
1993
Анализ зависимостей фототока солнечных элементов от их параметров и условий освещения Автор:
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Михайлов И.В. (Специалист)
1992
Разработка быстродействующего фотоуправляемого СВЧ модулятора. Автор:
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Малохатко Е.А. (Специалист)
1990
Поглощение субмиллиметрового излучения тонкими слоями сильно легированного кремния.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Трухин А.П. (Специалист)
1990
Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда элементов солнечных батарей СВЧ методом.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Тумашевская Е.А. (Специалист)
1989
Фотоэлектричекие свойства солнечных элементов в нестационарных условиях.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Потапов П.Н (Специалист)
1988
Измерпения времени жизни неравновесных носителей заряда элементов солнечных батарей СВЧ методом
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Гигаури З.И. (Специалист)
1987
«СВЧ-резонансные свойства структур типа полупроводник-диэлектрик» .
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Филонова Е.А. (Специалист)
1985
Разработка фотоуправляемого модулятора СВЧ и исследование его свойств.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Астафьев И.А. (Специалист)
1984
Исследование модуляции СВЧ излучения неравновесными носителями
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Бирюков С.В. (Специалист)
1984
Бесконтактный метод определения времени жизни неравновесных носителей в полупроводниках по поглощению субмиллиметрового излучения
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Симакин С.Г. (Специалист)
1979
Циклотронный резонанс дырок отщепленной зоны кремния в миллиметровой области
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Лудвиг В. (Специалист)
1979
Детектирование миллиметрового излучения p-Ge при одноосном сжатии.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Курленков С.С. (Специалист)
1977
Циклотронный резонанс электронов в антимониде индия при гидростатическом сжатии
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Сапцина Т.Н. (Специалист)
1977
Поглощение субмиллиметрового и миллиметрового излучений компенсированным германием при гелиевых температурах.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Цикунов А.В. (Специалист)
1976
Поглощение компенсированного германия в миллиметровой и субмиллиметровой области при гелиевых температурах.
Научный руководитель:
Сапцин В.М.,
Кошелев О.Г.
Автор: Радченко В.Е. (Специалист)
1975
Исследование взаимодействия субмиллиметрового и миллиметрового излучений с компенсированным p-Ge.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Резников П.В., (Специалист)
1974
Разработка делительного устройства . Исследование разогрева электронов в германии методом циклотронног о резонанса
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Беккиев А.Ю., (Специалист)
1972
Влияние СВЧ на проводимость компенсированного Ge p-типа при гелиевых температурах.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Казанский А.Г.
Автор: Абатуров М.А. (Специалист)
1970
Исследование процессов рассеяния дырок и электронов в кремнии методом циклотронного резонанса.
Научные руководители:
Кошелев О.Г.
,
Клява Я.Г.
Автор: Лисовская Т.Ю. (Специалист)
1969
Исследование циклотронного резонанса дырок отщепленной зоны в одноосно сжатом Si.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Казанский А.Г. (Специалист)
1967
Исследование межпримесной рекомбинации в кремнии с фосфором и бором.
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Пен Х. (Специалист)
1966
Исследование электронных переходов в кремнии под действием инфракрасного излучения
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Клява Я.Г. (Специалист)
1965
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ С ДОНОРАМИ И АКЦЕПТОРАМИ МЕТОДОМ ЭПР
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Коваль Ю.П. (Специалист)
1964
Исследование спин-решеточной релаксации в кремнии с фосфором методом ЭПР при гелиевых температурах
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Козлов С.Н. (Специалист)
1956
Получение p-n-p структур оплавлением и диффузией и исследование полученных этим методом триодов
Научный руководитель:
Кошелев О.Г.
Автор: Горбунов Ю.И. (Специалист)