|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
On a chaotic potential at the surface of a compensated semiconductor under conditions of the self-assembly of electrically active defectsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
- Авторы: Bondarenko V.B., Filimonov A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 49
- Номер: 9
- Год издания: 2015
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1187
- Последняя страница: 1190
- Добавил в систему: Филимонов Алексей Владимирович