|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAsтезисы доклада
- Авторы: Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Юзеева Н.А.
- Сборник: 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2014
- Первая страница: 52
- Последняя страница: 53
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич