SHUBNIKOV DE HAAS EFFECT AND ELECTRON MOBILITIES IN THE ISOMORPHIC InGaAs QUANTUM WELL WITH InAs INSERTS ON THE INP SUBSTRATEтезисы доклада

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2015 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Shubnikov de haas effect and electron mobilities in the isomorphic ingaas quantum well with inas inserts on the inp substrate / V. A. Kulbachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin et al. // 27th International Conference on Low Temperature Physics, Buenos Aires, Argentina, Abstracts book. — Buenos Aires, Argentina, 2014. — P. 38–38.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть