|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitrideстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 сентября 2017 г.
- Авторы: Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemukhin A.A., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 50
- Номер: 2
- Год издания: 2016
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 271
- Последняя страница: 275
- DOI: 10.1134/S1063782616020135
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович