Аннотация:Проведено моделирование тока, генерированного излучением слоя 63Ni переменной толщины, с учетом реального спектра излучаемых электронов и распределения их по углам для Si и SiC. Получена зависимость скорости генерации неравновесных носителей заряда от глубины при нескольких значениях толщины пленки Ni для обоих материалов. Результаты сравниваются с результатами моделирования для моноэнергетического электронного пучка, перпендикулярного полупроводниковому детектору. Показано, что как для Si, так и для SiC можно подобрать значение энергии электронного пучка в РЭМ, при котором соотношение между токами, индуцированными пучком РЭМ и бета-излучением 63Ni, практически не зависит от диффузионной длины.