Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wellsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 июня 2017 г.

Работа с статьей

[1] Persistent photoconductivity in inas/alsb heterostructures with double quantum wells / V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko et al. // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, no. 5. — P. 616–622. Effects of persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with the cap GaSb layer and two-dimensional electron gas in the InAs double quantum wells at T = 4.2 K are studied. From Fourier analysis of the Shubnikov-de Haas oscillations, electron concentrations in each quantum well are determined at various wavelengths of illumination and pronounced asymmetry of the structure caused by the built-in electric field is demonstrated explicitly. The self-consistent calculations of the energy profile of the double quantum well are performed and the concentrations of ionized donors on both sides of the well are determined, which provided concretization of the previously suggested mechanism of bipolar persistent photoconductivity in such structures. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть