Asymetrically strained high performance Germanium gate-all-around nanowire p-FETs featuring 3.5 nm wire width and contractible phase change liner stressor (Ge&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;Sb&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;Te&lt;inf&gt;5&lt;/inf&gt;)

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

Asymetrically strained high performance Germanium gate-all-around nanowire p-FETs featuring 3.5 nm wire width and contractible phase change liner stressor (Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf>)статья