Investigation of the offset charge noise in single electron tunneling devicesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Investigation of the offset charge noise in single electron tunneling devices / F. J. Ahlers, V. A. Krupenin, S. V. Lotkhov et al. // CPEM (Conference on Precision Electromagnetic Measurements) Digest. Proceedings of the 1996 Conference on Precision Electromagnetic Measurements (17-20 June 1996, Braunschweig, Germany). — Piscataway, NJ, United States: Piscataway, NJ, United States, 1996. — P. 507–508. The offset charge noise in metallic single electron tunneling (SET) devices fabricated on dielectric substrates was experimentally studied. On the basis of stereoscopic measurements of the low-frequency charge noise we show that the substrate makes an essential contribution to the total noise. We have observed that the intensity of the charge noise in SET transistors depends on the biasing dc current but is insensitive to temperature variations up to 300 mK. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть