Свойства GaN структур с наностолбиками, приготовленных сухим травлением эпитаксиальных пленок, выращенных методом MOCVD с использованием техники MELOтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Свойства gan структур с наностолбиками, приготовленных сухим травлением эпитаксиальных пленок, выращенных методом mocvd с использованием техники melo / А. В. Говорков, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов и др. // Тезисы докладов XVIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка. 03-06.06.2013. — ИПТМ РАН Черноголовка, 2013. — С. 84–85.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть