Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period GaAs/GaAsP superlatticesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period gaas/gaasp superlattices / L. P. Avakyants, P. Y. Bokov, T. P. Kolmakova, A. V. Chervyakov // Semiconductors. — 2004. — Vol. 38, no. 12. — P. 1384–1389. Energies of band-to-band transitions with the involvement of the quantum-confinement subbands are determined from the photoreflection spectra of the strained short-period GaAs/GaAs0.6P0.4 superlattice. Strains caused by the mismatch of the crystal lattice in the GaAs and GaAs 0.6P0.4 layers are calculated on the basis of the observed shift of the fundamental-transition energy in GaAs0.6P 0.4. Positions of minibands in the superlattice are simulated in relation to the potential jump at the heteroboundary; the Kronig-Penney model is used in the calculations. Comparison of the results of simulation with experimental data shows that the studied superlattice is of type I with weakly localized electrons and light holes. The potential jump at the heteroboundary in the conduction band amounts to ΔEc/ΔEg = 0.15. © 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica". [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть