|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period GaAs/GaAsP superlatticesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Avakyants L.P., Bokov P.Yu, Kolmakova T.P., Chervyakov A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 38
- Номер: 12
- Год издания: 2004
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1384
- Последняя страница: 1389
- DOI: 10.1134/1.1836057
- Аннотация: Energies of band-to-band transitions with the involvement of the quantum-confinement subbands are determined from the photoreflection spectra of the strained short-period GaAs/GaAs0.6P0.4 superlattice. Strains caused by the mismatch of the crystal lattice in the GaAs and GaAs 0.6P0.4 layers are calculated on the basis of the observed shift of the fundamental-transition energy in GaAs0.6P 0.4. Positions of minibands in the superlattice are simulated in relation to the potential jump at the heteroboundary; the Kronig-Penney model is used in the calculations. Comparison of the results of simulation with experimental data shows that the studied superlattice is of type I with weakly localized electrons and light holes. The potential jump at the heteroboundary in the conduction band amounts to ΔEc/ΔEg = 0.15. © 2004 MAIK "Nauka/Interperiodica".
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич