Piezoelectric field compensation in the InGaN quantum wells of GaN/InGaN/AlGaN LEDs structures: Electroreflectance experimentстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Piezoelectric field compensation in the ingan quantum wells of gan/ingan/algan leds structures: Electroreflectance experiment / L. Avakyants, P. Bokov, A. Chervyakov et al. // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. — 2010. — Vol. 7, no. 7-8. — P. 1863–1865. The influence of built-in piezoelectric field in the light-emitting diodes based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures on the electroreflectance spectra have been studied. The structures were grown by MOCVD technology and flip-chip mounted. The spectral line connected with the InGaN/GaN multiple quantum wells region are observed in the electroreflectance spectra. The blue shift of this spectral line with the increasing reverse bias voltage has been explained as the result of decreasing of the electric field in the quantum well. © 2010 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть