Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Specific Features of the Kinetics of the Reactive-Ion Etching of Si and SiO2 in a CF4 + O2 Mixture in a Low Power Supply Mode
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2022 г.
Авторы:
Efremov A.M.,
Betelin V.B.
, Kwon K.H.
Журнал:
Russian Microelectronics
Том:
50
Номер:
5
Год издания:
2021
Издательство:
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства:
Russian Federation
Первая страница:
303
Последняя страница:
310
DOI:
10.1134/s1063739721040053
Добавил в систему:
Стамов Любен Иванович