|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Study of the atomically clean InSe(0001) surface by X-Ray photoelectron spectroscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Volykhov A.A., Neudachina V.S., Kharlamova M.V., Itkis D.M., Yashina L.V., Belogorokhov A.I.
- Журнал: Russian Microelectronics
- Том: 41
- Номер: 8
- Год издания: 2012
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 521
- Последняя страница: 526
- DOI: 10.1134/S1063739712080185
- Аннотация: The (0001) surface of layered InSe semiconductor crystals is studied experimentally using X-ray photoelectron spectroscopy and theoretically within the context of the method of the electron density functional with periodic boundary conditions. It was found that the structure of the surface layer of atoms and their state has much in common with the corresponding structure and state in the volume. The InSe(0001) surface is resistant to long exposure to air, which makes this material promising for applications as a standard for composition analysis when using electron spectroscopy. В© Pleiades Publishing, Ltd., 2012.
- Добавил в систему: Волыхов Андрей Александрович