Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge centerтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2017 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Single-electron transistor based on intramolecular single-atom charge center / V. Gaydamachenko, E. Beloglazkina, R. Petrov et al. // Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts. — Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва, 2016. — P. 170–P2–04. Разработаны подходы к созданию молекулярных одноэлектронных транзисторов на основе молекул аурофильных комплексных соединений родия (Rh(III)) и терпиридина. При этом разработана новая методика формирования одноэлектронных транзисторов с зазорами между золотыми наноэлектродами, подвешенными над подложкой, меньше 5 нм.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть