|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Characteristics simulation of single-electron transistor based on the molecule with accentuated single-atom Rh detached charge centerтезисы доклада
- Авторы: Parshintsev A.A., Shorokhov V.V., Soldatov E.S.
- Сборник: Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва
- Первая страница: 178-P2-12
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич