Аннотация:Изучены некоторые особенности электронного обмена ионов с поверхностью металлов, обусловленные ее атомной структурой. Моделирование основано на трехмерной реализации метода распространения волновых пакетов с применением псевдопотенциалов, описывающих металл на атомном уровне. С помощью теории функционала плотности были построены трехмерные псевдопотенциалы для поверхностей Cu(100), Cu(110) и Cu(111), которые хорошо воспроизводят известные закономерности электронного обмена. При рассмотрении модельной “статической” задачи было показано, что латеральное положение иона слабо влияет на основные характеристики электронного обменаи на движение иона вдоль одного из кристаллических направлений. Однако, трехмерные псевдопотенциалы, учитывающие атомную структуру металла, позволяют получить более реалистичную картину электронного перехода по сравнению с широко используемыми одномерными модельными псевдопотенциалами. Например, при моделировании скользящего рассеяния с применением одномерных псевдопотенциалов электрон после перехода в металл сохраняет параллельную компоненту скорости, что не соответствует действительности. Если же используются трехмерные потенциалы, то параллельная компонента скорости движения электрона в металле уменьшается, что является более правильным.