|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
THE ROLE OF BORON IMPURITY IN THE ACTIVATION OF FREE CHARGE CARRIERS IN LAYERS OF POROUS SILICON DURING THE ADSORPTION OF ACCEPTOR MOLECULESстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Osminkina L.A., Konstantinova E.A., Sharov K.S., Kashkarov P.K., Timoshenko V.Yu
- Журнал: Semiconductors
- Том: 39
- Номер: 3
- Год издания: 2005
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 347
- Последняя страница: 350
- Добавил в систему: Кашкаров Павел Константинович